MUN2113T1G ON Semiconductor
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Technische Details MUN2113T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN2113T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 338mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MUN2113T1G nach Preis ab 0.014 EUR bis 0.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MUN2113T1G | Hersteller : onsemi |
 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
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MUN2113T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R |
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MUN2113T1G | Hersteller : onsemi |
Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V |
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MUN2113T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 230 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
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MUN2113T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2113T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 338mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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MUN2113T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2113T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 338mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 14315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN2113T1G | Hersteller : ON |
08+ SOT-23 |
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| MUN2113T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MUN2113T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN2113T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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MUN2113T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R |
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MUN2113T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R |
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MUN2113T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R |
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MUN2113T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R |
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MUN2113T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-59 T/R |
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