MUN5212T1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details MUN5212T1G onsemi
Description: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MUN5212T1G nach Preis ab 0.032 EUR bis 1.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MUN5212T1G | Hersteller : onsemi |
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V |
auf Bestellung 14350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUN5212T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
auf Bestellung 12456 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUN5212T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5212T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5212T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V |
auf Bestellung 60186 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUN5212T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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MUN5212T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5212T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 12284 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5212T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 662 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| MUN5212T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5212T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 130850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5212T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
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MUN5212T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
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MUN5212T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R |
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