MUN5135DW1T1G ON Semiconductor
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Technische Details MUN5135DW1T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5135DW1T1G (SOT363, ON) 2хТранзистора Produktcode: 153435 |
Hersteller : ON |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: SOT-363 U, V: 50 V U, V: 50 V I, А: 0,1 A |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP x2 Power dissipation: 0.187W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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MUN5135DW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 2.2kΩ Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP x2 Power dissipation: 0.187W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 |
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