MUN5114DW1T1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details MUN5114DW1T1G onsemi
Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MUN5114DW1T1G nach Preis ab 0.038 EUR bis 0.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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MUN5114DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 24250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5114DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 24250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5114DW1T1G | Hersteller : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP |
auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUN5114DW1T1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
auf Bestellung 10161 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MUN5114DW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.187W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MUN5114DW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.187W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5114DW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 13559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5114DW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 13559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5114DW1T1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5114DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 366379 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MUN5114DW1T1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
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