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IPW30N65FFKSA1

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IPW30N65HFDFKSA1

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IPW30N65HFKSA1

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IPW35N65FFDFKSA1

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IPW35N65FFKSA1

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IPW40N65FFDFKSA1

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IPW50R140CP

MOSFET N-Ch 500V 23A TO247-3 CoolMOS CP

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IPW50R140CP

auf Bestellung 1 Stücke:

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IPW50R140CP

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW50R140CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

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IPW50R140CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW50R140CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1385 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW50R140CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW50R140CPFKSA1

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

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IPW50R140CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

auf Bestellung 50341 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

93+	5.21 EUR

Mindestbestellmenge: 93

IPW50R140CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW50R140CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW50R190CE

MOSFET N-Ch 500V 63A TO247-3

auf Bestellung 54 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

IPW50R190CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V

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IPW50R190CEFKSA1

MOSFET N-Ch 500V 63A TO247-3

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IPW50R190CEFKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V

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IPW50R199CP

MOSFET N-Ch 500V 17A TO247-3 CoolMOS CP

auf Bestellung 262 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

IPW50R199CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V

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IPW50R199CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V

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IPW50R250CP

MOSFETs N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

auf Bestellung 231 Stücke:

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1+	5.7 EUR
10+	4.79 EUR
25+	4.52 EUR
100+	3.85 EUR
240+	3.63 EUR
480+	3.43 EUR
1200+	2.94 EUR

IPW50R250CP

TO-247

auf Bestellung 25440 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW50R250CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW50R250CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW50R250CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

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IPW50R250CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V

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IPW50R280CE

MOSFET N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CE

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IPW50R280CE

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V

auf Bestellung 101641 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

392+	1.28 EUR

Mindestbestellmenge: 392

IPW50R280CEFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 92W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 92W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPW50R280CEFKSA1

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IPW50R280CEFKSA1

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V

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IPW50R299CP

TO-247

auf Bestellung 21120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW50R299CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V

auf Bestellung 9838 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

240+	2.2 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW50R299CP

MOSFET N-Ch 500V 12A TO247-3 CoolMOS CP

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IPW50R299CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW50R299CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V

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IPW50R299CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

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IPW50R350CP

MOSFET N-Ch 500V 10A TO247-3 CoolMOS CP

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

IPW50R350CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V

auf Bestellung 4320 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

245+	2.16 EUR

Mindestbestellmenge: 245

IPW50R350CP

TO-247

auf Bestellung 49920 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW50R350CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V

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IPW50R399CP

TO-247

auf Bestellung 25920 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW50R399CP

MOSFET N-Ch 500V 9A TO247-3 CoolMOS CP

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IPW50R399CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

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IPW50R399CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 560V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V

auf Bestellung 5520 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

251+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 251

IPW50R399CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW50R399CPFKSA1

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IPW60R016CM8XKSA1

Description: IPW60R016CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 521W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V

auf Bestellung 97 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	20.63 EUR
30+	16.7 EUR

IPW60R016CM8XKSA1

IPW60R016CM8XKSA1

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IPW60R016CM8XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 113 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	20.87 EUR
10+	18.37 EUR
25+	17.88 EUR
50+	16.9 EUR
100+	15.89 EUR
240+	15.38 EUR
480+	14.38 EUR

IPW60R017C7

auf Bestellung 17097 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW60R017C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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IPW60R017C7XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 956 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	31.94 EUR
10+	29.39 EUR
25+	25.85 EUR
100+	24.34 EUR
240+	23.9 EUR
480+	22.05 EUR
1200+	21.84 EUR

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 528 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	34.97 EUR
6+	25.25 EUR
10+	23.96 EUR
50+	22.86 EUR
200+	21.62 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 224 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	26.83 EUR
10+	23.98 EUR
25+	20.97 EUR
100+	18.7 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R017C7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V

auf Bestellung 591 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	31.61 EUR
30+	25.58 EUR
120+	24.08 EUR
510+	21.82 EUR

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 224 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	26.59 EUR
10+	23.77 EUR
25+	20.79 EUR
100+	18.53 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPW60R017C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 372 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 224 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R018CFD7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R018CFD7XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	30.52 EUR
10+	28.05 EUR
25+	24.71 EUR
50+	24.69 EUR
100+	23.27 EUR
240+	22.83 EUR
480+	21.07 EUR

IPW60R018CFD7XKSA1

Description: MOSFET N CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9901 pF @ 400 V

auf Bestellung 999 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	30.18 EUR
30+	24.43 EUR
120+	23 EUR
510+	20.84 EUR

IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 53 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	29.67 EUR
10+	27.33 EUR
50+	23.55 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPW60R024CFD7

IPW60R024CFD7

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	25.13 EUR
10+	23.49 EUR
20+	22.01 EUR
50+	20.66 EUR
100+	19.42 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPW60R024CFD7

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW60R024CFD7

MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A Tube

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IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	20.66 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPW60R024CFD7XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 357 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	21.14 EUR
10+	19.29 EUR
25+	17.11 EUR
100+	16.1 EUR
240+	15.58 EUR
480+	13.38 EUR

IPW60R024CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R024CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77 A, 0.019 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 146 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 426 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	26.95 EUR
7+	21.93 EUR
10+	19.87 EUR
50+	17.23 EUR
100+	15.68 EUR
200+	14.68 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPW60R024CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R024CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 77A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.12mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7268 pF @ 400 V

auf Bestellung 195 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	20.91 EUR
30+	16.92 EUR
120+	15.92 EUR

IPW60R024P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPW60R024P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.02 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 797 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1680 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	14.79 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW60R024P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V

auf Bestellung 403 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.99 EUR
30+	14.57 EUR
120+	13.71 EUR

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 4800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	12.9 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW60R024P7XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 481 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	18.18 EUR
10+	16.53 EUR
25+	14.73 EUR
100+	13.87 EUR
240+	13.43 EUR
480+	11.51 EUR
2640+	11.14 EUR

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 192 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	23.7 EUR
8+	18.61 EUR
10+	16.49 EUR
50+	14.13 EUR
100+	12.48 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPW60R031CFD7

Description: 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER MOS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R031CFD7

MOSFET HIGH POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R031CFD7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R031CFD7

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 198 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	13.75 EUR
25+	10.97 EUR
50+	10.45 EUR
100+	9.37 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 198 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	29.43 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 364 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	11.79 EUR
50+	11.14 EUR
100+	10.68 EUR
200+	10.24 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPW60R031CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	17.44 EUR
30+	13.92 EUR
120+	12.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW60R031CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R031CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.026 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 128 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 198 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	13.63 EUR
25+	10.88 EUR
50+	10.35 EUR
100+	9.29 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R031CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 757 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.64 EUR
10+	17.55 EUR
25+	14.08 EUR
100+	12.58 EUR
240+	12.57 EUR
480+	9.98 EUR

IPW60R031CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	14.53 EUR
12+	12.65 EUR
25+	11.82 EUR
50+	11.16 EUR
100+	9.7 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPW60R037CM8XKSA1

Description: IPW60R037CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V

auf Bestellung 405 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.72 EUR
10+	10.91 EUR
240+	8.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW60R037CM8XKSA1

MOSFET Power Transistor

auf Bestellung 224 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	9.95 EUR
25+	9.15 EUR
50+	8.38 EUR
100+	7.84 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPW60R037CM8XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 290 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.88 EUR
10+	11.04 EUR
25+	10 EUR
100+	9.2 EUR
240+	8.64 EUR
480+	8.1 EUR
1200+	7.29 EUR

IPW60R037CM8XKSA1

MOSFET Power Transistor

auf Bestellung 224 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	9.95 EUR
25+	9.15 EUR
50+	8.38 EUR
100+	7.84 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPW60R037CM8XKSA1

IPW60R037CM8XKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R037CM8XKSA1

MOSFET Power Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R037CSFD

MOSFET HIGH POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R037CSFD

auf Bestellung 112282 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R037CSFDXKSA1

Description: INFINEON - IPW60R037CSFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CSFD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 229 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	14.94 EUR
50+	14.25 EUR
100+	12.01 EUR
200+	11.02 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A Automotive Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R037CSFDXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 245W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 245W
Case: TO247-3
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R037CSFDXKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R037CSFDXKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	15.31 EUR
25+	12.21 EUR
100+	10.95 EUR
240+	10.93 EUR
480+	8.68 EUR
1200+	8.29 EUR

IPW60R037CSFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R037CSFDXKSA1

Description: MOSFET N CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V

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IPW60R037P7

Infineon HIGH POWER_NEW

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Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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100+	8.8 EUR
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IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R037P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

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IPW60R037P7XKSA1
Produktcode: 173232

Transistoren > MOSFET N-CH

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Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R037P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

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Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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MOSFETs Y

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240+	10.19 EUR
480+	8.1 EUR
1200+	7.73 EUR

IPW60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R037P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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IPW60R040C7

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MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPW60R040C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

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30+	14.39 EUR
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510+	11.36 EUR
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IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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25+	12.23 EUR
100+	10.81 EUR

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Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R040C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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11+	14.19 EUR
50+	13.34 EUR
100+	12.81 EUR
200+	12.27 EUR
960+	11.26 EUR

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IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R040C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 180 Stücke:

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10+	15.5 EUR
25+	12.34 EUR
100+	10.91 EUR

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IPW60R040C7XKSA1

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IPW60R040C7XKSA1

MOSFETs Y

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25+	14.56 EUR
100+	13.02 EUR
240+	13.01 EUR
480+	10.33 EUR

IPW60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R040CFD7

MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPW60R040CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R040CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 254 Stücke:

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IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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9+	17.96 EUR
12+	12.84 EUR
50+	11.57 EUR
100+	9.85 EUR
200+	8.83 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPW60R040CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

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Lieferzeit 481-485 Tag (e)

1+	16.88 EUR
10+	14.47 EUR
100+	12.04 EUR

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R040CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4354 pF @ 400 V

auf Bestellung 68 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.82 EUR
30+	11.03 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW60R040CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1259 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	17.74 EUR
12+	13.4 EUR
50+	12.2 EUR
100+	10.56 EUR
200+	9.56 EUR
960+	8.95 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPW60R041C6

Description: 600V, 0.041OHM, N-CHANNEL MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R041C6

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 96mOhm; 77,5A; 481W; -55°C ~ 150°C; IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6 TIPW60r041c6
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	59.87 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW60R041C6

MOSFETs N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6

auf Bestellung 219 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	24.29 EUR
10+	21.4 EUR
25+	20.82 EUR
50+	19.66 EUR
100+	18.5 EUR
240+	17.92 EUR
480+	16.76 EUR

IPW60R041C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	18.78 EUR
5+	17.76 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 154 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	20.45 EUR
10+	16.24 EUR
25+	15.6 EUR
50+	14.71 EUR
100+	11.53 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 154 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	20.27 EUR
10+	16.1 EUR
25+	15.47 EUR
50+	14.58 EUR
100+	11.43 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPW60R041C6FKSA1

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	18.78 EUR
5+	17.76 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R041C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6

auf Bestellung 36 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	24.29 EUR
10+	22.86 EUR
25+	20.06 EUR
50+	18.69 EUR
100+	18.5 EUR
240+	17.35 EUR
480+	15.38 EUR

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 81 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	21.6 EUR
10+	19.29 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPW60R041C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R041C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 218 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 374 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

8+	19.92 EUR
10+	17.13 EUR
50+	16.09 EUR
100+	13.68 EUR
240+	12.52 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R041C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 94 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R041C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	26.16 EUR
10+	23 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPW60R041P6

auf Bestellung 230 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW60R041P6

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 720 Stücke:

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8+	20.56 EUR
10+	19.22 EUR
20+	18.01 EUR
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IPW60R041P6

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

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1+	19.34 EUR
10+	17.05 EUR
25+	16.58 EUR
50+	15.66 EUR
100+	14.75 EUR
240+	14.27 EUR
480+	13.36 EUR

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R041P6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R041P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 481W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 753 Stücke:

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IPW60R041P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R041P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R041P6FKSA1

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

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1+	19.36 EUR
10+	18.83 EUR
25+	15.68 EUR
100+	14.77 EUR
240+	14.75 EUR
480+	13.36 EUR
1200+	12.27 EUR

IPW60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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10+	15.03 EUR
25+	12.58 EUR
100+	11.23 EUR
240+	10.66 EUR

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IPW60R041P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPW60R045

SMD

auf Bestellung 50 Stücke:

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IPW60R045C

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IPW60R045CP

MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

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1+	29.2 EUR
10+	25.73 EUR
25+	25.03 EUR
50+	23.64 EUR
100+	22.25 EUR
240+	21.54 EUR
480+	20.15 EUR

IPW60R045CP
Produktcode: 105994

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPW60R045CPA

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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10+	28.41 EUR
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50+	24.91 EUR
100+	23.37 EUR

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IPW60R045CPA

MOSFETs N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA

auf Bestellung 184 Stücke:

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1+	30.29 EUR
10+	29.81 EUR
25+	25.19 EUR
50+	25.01 EUR
100+	24.64 EUR
240+	24.48 EUR
480+	22.33 EUR

IPW60R045CPAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 323 Stücke:

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1+	32 EUR
30+	25.9 EUR
120+	24.38 EUR

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 98 Stücke:

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7+	21.92 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

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7+	23.31 EUR
10+	22.11 EUR
200+	20.76 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPW60R045CPAFKSA1

MOSFET AUTOMOTIVE

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IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 98 Stücke:

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7+	21.92 EUR
10+	20.92 EUR
25+	18.45 EUR
50+	17.57 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1920 Stücke:

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240+	22.93 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW60R045CPAFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R045CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 577 Stücke:

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IPW60R045CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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7+	23.8 EUR
10+	22.18 EUR
25+	17.89 EUR
50+	17.03 EUR
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IPW60R045CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 431W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R045CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R045CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 431W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 834 Stücke:

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IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R045CPFKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R045CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V

auf Bestellung 1433 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	28.88 EUR
30+	23.38 EUR
120+	22.01 EUR
510+	19.94 EUR

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 178 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

7+	23.59 EUR
10+	21.99 EUR
25+	17.73 EUR
50+	16.88 EUR
100+	16.02 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 198 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R045CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R045CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

auf Bestellung 206 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	28.14 EUR
10+	27.97 EUR
25+	23.32 EUR
50+	23.27 EUR
100+	22.04 EUR
240+	22 EUR
480+	20.15 EUR

IPW60R045CPXK

MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R045P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1055 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R045P7XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.11 EUR
25+	8.87 EUR
100+	7.94 EUR
240+	7.92 EUR
480+	6.28 EUR
1200+	6 EUR

IPW60R045P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V

auf Bestellung 1932 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.98 EUR
30+	8.77 EUR
120+	7.85 EUR
510+	6.92 EUR
1020+	6.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 279 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	13.74 EUR
15+	10.23 EUR
50+	8.91 EUR
100+	8.12 EUR
200+	7.4 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.04 EUR
25+	7.26 EUR
50+	6.96 EUR
100+	6.08 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	13.93 EUR
12+	12.51 EUR
50+	11.27 EUR
100+	9.61 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	8.96 EUR
25+	7.19 EUR
50+	6.9 EUR
100+	6.03 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 48240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	7.07 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 55920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	9.49 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 260 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	13.89 EUR
15+	10.49 EUR
50+	9.55 EUR
100+	8.28 EUR
200+	7.49 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPW60R055CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R055CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 216 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R055CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 154 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.97 EUR
10+	11.95 EUR
25+	8.99 EUR
240+	8.98 EUR
480+	7.36 EUR
1200+	7.02 EUR

IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R055CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V

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2+	11.19 EUR
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IPW60R055CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R060C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPW60R060C7

Description: IPW60R060 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

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IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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12+	12.93 EUR
25+	10.51 EUR

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IPW60R060C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R060C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 683 Stücke:

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IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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18+	8.83 EUR
20+	7.48 EUR
25+	6.83 EUR
50+	6.52 EUR
100+	5.74 EUR

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IPW60R060C7XKSA1
Produktcode: 161478

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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20+	7.48 EUR
25+	6.83 EUR
50+	6.52 EUR
100+	5.74 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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23+	6.93 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 210 Stücke:

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17+	9.08 EUR
20+	7.72 EUR
25+	7.06 EUR
50+	6.74 EUR
100+	5.94 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

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18+	8.72 EUR
20+	7.4 EUR
25+	6.76 EUR

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IPW60R060C7XKSA1

MOSFETs Y

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1+	10.74 EUR
10+	9.22 EUR
25+	8.76 EUR
100+	7.67 EUR
240+	7.66 EUR
480+	6.09 EUR
1200+	5.81 EUR

IPW60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 641 Stücke:

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16+	9.43 EUR
50+	8.87 EUR
100+	8.51 EUR
200+	8.16 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IPW60R060C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

auf Bestellung 242 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.63 EUR
30+	8.48 EUR
120+	7.59 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW60R060P7

auf Bestellung 148 Stücke:

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IPW60R060P7

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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15+	10.63 EUR
25+	9.81 EUR
50+	9.09 EUR
100+	8.44 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPW60R060P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPW60R060P7

auf Bestellung 117090 Stücke:

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IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R060P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1677 Stücke:

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1+	9.38 EUR
10+	8.2 EUR
25+	7.76 EUR
100+	6.65 EUR
240+	6.64 EUR
480+	5.03 EUR
2640+	4.75 EUR

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 110 Stücke:

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16+	10.19 EUR
22+	6.8 EUR
50+	6.42 EUR
100+	6.16 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 720 Stücke:

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15+	10.27 EUR
16+	9.3 EUR
25+	7.35 EUR
100+	6.55 EUR
480+	4.99 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPW60R060P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V

auf Bestellung 509 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.66 EUR
30+	7.66 EUR
120+	6.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 480 Stücke:

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IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R060P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 946 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	10.24 EUR
16+	9.28 EUR
25+	7.33 EUR
100+	6.54 EUR
480+	4.98 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPW60R060P7XKSA1
Produktcode: 192082

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPW60R0706P

Description: 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER MOS
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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IPW60R070C6

MOSFETs N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6

auf Bestellung 3967 Stücke:

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1+	15.58 EUR
10+	13.36 EUR
25+	12.11 EUR
100+	11.12 EUR
240+	10.45 EUR
480+	9.8 EUR
1200+	8.82 EUR

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1020 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	12.85 EUR
25+	9.89 EUR
100+	9.05 EUR
240+	8.69 EUR
480+	6.85 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPW60R070C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1020 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	12.85 EUR
25+	9.89 EUR
100+	9.05 EUR
240+	8.69 EUR
480+	6.85 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPW60R070C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6

auf Bestellung 155 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.92 EUR
25+	11.16 EUR
100+	10.49 EUR
240+	10.47 EUR
480+	8.82 EUR

IPW60R070C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 216 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R070C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V

auf Bestellung 1391 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.4 EUR
30+	12.29 EUR
120+	11 EUR
510+	9.71 EUR
1020+	8.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW60R070C6FKSA1

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IPW60R070CFD7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 156W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPW60R070CFD7

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IPW60R070CFD7

MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 272 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	10.86 EUR
25+	10.02 EUR
50+	9.28 EUR
100+	8.62 EUR
250+	8.03 EUR

Mindestbestellmenge: 15

IPW60R070CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V

auf Bestellung 1553 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.65 EUR
10+	7.88 EUR
100+	5.74 EUR
500+	4.83 EUR
1000+	4.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1086 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.52 EUR
20+	7.74 EUR
50+	6.83 EUR
200+	6.55 EUR
960+	6.27 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPW60R070CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 3650 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.37 EUR
10+	8.71 EUR
25+	8.22 EUR
100+	7.04 EUR
240+	6.65 EUR
480+	5.35 EUR
1200+	5.03 EUR

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 239 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.52 EUR
20+	7.75 EUR
25+	6.5 EUR
100+	5.82 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R070CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 239 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.52 EUR
20+	7.75 EUR
25+	6.5 EUR
100+	5.82 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPW60R070CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R070CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.057 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 395 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R070P6

auf Bestellung 41 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW60R070P6

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

auf Bestellung 290 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.51 EUR
10+	10.7 EUR
25+	9.7 EUR
100+	8.92 EUR
240+	8.4 EUR
480+	7.87 EUR
1200+	7.09 EUR

IPW60R070P6

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	10.14 EUR
25+	9.35 EUR
50+	8.66 EUR
100+	8.05 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IPW60R070P6

Description: 600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V

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IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	10.94 EUR
25+	7.8 EUR

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IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 290 Stücke:

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14+	11.53 EUR
16+	9.76 EUR
100+	6.96 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPW60R070P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53.5A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 2112 Stücke:

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12+	12.57 EUR
50+	8.27 EUR
100+	7.46 EUR
200+	7.01 EUR
240+	6.7 EUR
480+	5.8 EUR
960+	5.77 EUR
1920+	5.5 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R070P6XKSA1
Produktcode: 165846

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPW60R070P6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.37 EUR
30+	9.88 EUR
120+	8.84 EUR
510+	7.8 EUR

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IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 950 Stücke:

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12+	13.72 EUR
13+	11.55 EUR
50+	8.62 EUR
100+	7.46 EUR
200+	6.9 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPW60R070P6XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R070P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2763 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 2280 Stücke:

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11+	14.58 EUR
14+	10.86 EUR
50+	9.47 EUR
100+	8.63 EUR
200+	7.87 EUR
960+	7.11 EUR
1920+	6.42 EUR

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IPW60R070P6XKSA1

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IPW60R070P6XKSA1

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

auf Bestellung 411 Stücke:

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10+	12.25 EUR
25+	7.66 EUR
100+	7.32 EUR
240+	7.29 EUR
480+	7 EUR
1200+	6.78 EUR

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 746 Stücke:

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14+	10.94 EUR
25+	7.2 EUR
100+	6.49 EUR
240+	6.22 EUR
480+	5.05 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 290 Stücke:

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13+	12.62 EUR
14+	10.69 EUR
100+	7.62 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 746 Stücke:

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14+	10.94 EUR
25+	7.2 EUR
100+	6.49 EUR
240+	6.22 EUR
480+	5.05 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 960 Stücke:

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240+	8.58 EUR

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IPW60R070P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

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9+	17.1 EUR

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IPW60R075CP

MOSFETs N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

auf Bestellung 164 Stücke:

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1+	18.22 EUR
10+	16.05 EUR
25+	15.61 EUR
50+	14.75 EUR
100+	13.89 EUR
240+	13.43 EUR
480+	12.57 EUR

IPW60R075CPA

MOSFET AUTOMOTIVE

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IPW60R075CPAFKSA1

Description: AUTOMOTIVE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.74mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 174 Stücke:

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2+	17.27 EUR
30+	13.97 EUR
120+	13.15 EUR

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IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 720 Stücke:

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IPW60R075CPAFKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 119 Stücke:

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10+	14.38 EUR
25+	12.85 EUR
50+	12.8 EUR
100+	12.37 EUR
240+	12.07 EUR
480+	10.88 EUR

IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R075CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R075CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

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IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R075CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R075CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 467 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R075CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; 313W; PG-TO247-3
Mounting: THT
Case: PG-TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 313W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ CP
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 64 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	11.49 EUR
25+	9.58 EUR
30+	9.09 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 64 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R075CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 64 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	11.39 EUR
25+	9.49 EUR
30+	9.01 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPW60R075CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V

auf Bestellung 237 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.65 EUR
30+	10.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW60R075CPFKSA1

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IPW60R075CPXK

Description: IPW60R075 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V

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IPW60R080P7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

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IPW60R080P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPW60R080P7

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IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.52 EUR
29+	5.22 EUR
100+	4.38 EUR
240+	3.46 EUR

Mindestbestellmenge: 24

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R080P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 926 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.31 EUR
25+	6.58 EUR
100+	5.65 EUR
240+	5.63 EUR
480+	4.28 EUR
2640+	4.03 EUR

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.52 EUR
29+	5.22 EUR
100+	4.38 EUR
240+	3.46 EUR

Mindestbestellmenge: 24

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.25 EUR
21+	7.24 EUR
50+	6.42 EUR
100+	5.9 EUR
200+	5.42 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPW60R080P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R080P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V

auf Bestellung 847 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.57 EUR
10+	6.42 EUR
100+	4.62 EUR
500+	3.86 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R090CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS CFD7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.069
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 425 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	5.82 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW60R090CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	8.94 EUR
30+	7.08 EUR
120+	6.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R090CFD7XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 940 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.03 EUR
10+	7.8 EUR
25+	7.16 EUR
100+	6.14 EUR
240+	5.77 EUR
480+	5.46 EUR
1200+	4.66 EUR

IPW60R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R099C6
Produktcode: 186494

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R099C6

MOSFETs N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6

auf Bestellung 71 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.63 EUR
10+	9.96 EUR
25+	9.03 EUR
100+	8.31 EUR
240+	7.83 EUR
480+	7.34 EUR
1200+	6.6 EUR

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 620 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.47 EUR
25+	7.07 EUR
50+	6.78 EUR
100+	6.08 EUR
480+	4.88 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	7.48 EUR
25+	6.51 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IPW60R099C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V

auf Bestellung 654 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.51 EUR
30+	9.19 EUR
120+	8.22 EUR
510+	7.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW60R099C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	7.85 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 620 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R099C6FKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.41 EUR
25+	7.06 EUR
50+	6.77 EUR
100+	6.03 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 620 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.04 EUR
18+	8.54 EUR
25+	7.13 EUR
50+	6.84 EUR
100+	6.13 EUR
480+	4.93 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPW60R099C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 585 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R099C6FKSA1

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 230mOhm; 37,9A; 278W; -55°C ~ 150°C; IPW60R099C6 TIPW60r099c6
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	14.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW60R099C6FKSA1

MOSFET N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R099C6
Produktcode: 88983

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPW60R099C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R099C7

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R099C7XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 334 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.69 EUR
10+	7.3 EUR
25+	6.9 EUR
100+	6.04 EUR
240+	5.7 EUR
480+	5.24 EUR
1200+	4.49 EUR

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 230 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	9.73 EUR
19+	7.89 EUR
50+	7.17 EUR
100+	6.04 EUR
200+	5.55 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IPW60R099C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 40560 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	4.88 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW60R099C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 110W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 110W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 52320 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	5.77 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW60R099C7XKSA1

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IPW60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R099CP
Produktcode: 72969

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPW60R099CP

MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

auf Bestellung 130 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.61 EUR
10+	12.51 EUR
25+	11.35 EUR
100+	10.42 EUR
240+	9.82 EUR
480+	9.2 EUR
1200+	8.29 EUR

IPW60R099CP

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R099CPA

MOSFETs AUTOMOTIVE

auf Bestellung 261 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.78 EUR
10+	11.81 EUR
25+	10.7 EUR
100+	9.84 EUR
240+	9.26 EUR
480+	8.68 EUR
1200+	7.81 EUR

IPW60R099CPA

Description: IPW60R099 - 600V-800V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R099CPAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 176 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.66 EUR
30+	10.89 EUR
120+	9.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 48802 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	12 EUR
25+	8.45 EUR
50+	8.04 EUR
100+	6.78 EUR
480+	5.76 EUR
720+	5.33 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPW60R099CPAFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	7.91 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	8.63 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW60R099CPAFKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 1520 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.69 EUR
10+	13.46 EUR
25+	9.45 EUR
100+	8.75 EUR
240+	8.13 EUR
480+	7.46 EUR

IPW60R099CPAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 48802 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	12 EUR
25+	8.45 EUR
50+	8.04 EUR
100+	6.78 EUR
480+	5.76 EUR
720+	5.33 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPW60R099CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 198 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 185 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	10.59 EUR
25+	8.66 EUR
100+	7.92 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPW60R099CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	7.72 EUR
25+	7.12 EUR
50+	6.6 EUR
100+	6.13 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R099CPFKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 188 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.14 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPW60R099CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

auf Bestellung 107 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.48 EUR
10+	13.41 EUR
25+	11 EUR
100+	10.65 EUR
240+	10.17 EUR
480+	8.29 EUR
1200+	7.9 EUR

IPW60R099CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V

auf Bestellung 77 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.47 EUR
30+	11.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	11.38 EUR
16+	9.65 EUR
100+	8.09 EUR
240+	7.44 EUR
480+	6.53 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPW60R099CPFKSA1
Produktcode: 189155

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 184 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	10.57 EUR
25+	8.64 EUR
100+	7.91 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPW60R099CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 188 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	8.79 EUR
25+	7.65 EUR
100+	7.23 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPW60R099P6

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

auf Bestellung 247 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.38 EUR
10+	8.71 EUR
25+	8.22 EUR
100+	7.04 EUR
240+	6.65 EUR
480+	6.27 EUR
1200+	5.35 EUR

IPW60R099P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R099P6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V

auf Bestellung 145 Stücke:

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2+	10.26 EUR
30+	8.14 EUR
120+	6.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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21+	7.44 EUR
23+	6.56 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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23+	6.88 EUR
24+	6.26 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

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23+	6.88 EUR
24+	6.26 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IPW60R099P6XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 129 Stücke:

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IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R099P6XKSA1

MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM

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1+	7.83 EUR
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25+	6.64 EUR
100+	6.05 EUR
240+	5.24 EUR
480+	5.05 EUR
1200+	5.03 EUR

IPW60R099P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPW60R099P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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19+	8.1 EUR
21+	7.15 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPW60R099P7

Infineon HIGH POWER_NEW

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IPW60R099P7

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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20+	7.88 EUR
25+	7.27 EUR
50+	6.74 EUR
100+	6.26 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IPW60R099P7

Description: 600V, 0.099OHM, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 150 Stücke:

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30+	5.22 EUR
33+	4.57 EUR
35+	4.15 EUR
100+	3.42 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 140 Stücke:

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27+	5.75 EUR
37+	4.09 EUR

Mindestbestellmenge: 27

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R099P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2 Stücke:

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IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 140 Stücke:

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IPW60R099P7XKSA1

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IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 628 Stücke:

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34+	4.57 EUR

Mindestbestellmenge: 34

IPW60R099P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V

auf Bestellung 58 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.11 EUR
30+	5.63 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 138 Stücke:

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27+	5.7 EUR
37+	4.05 EUR

Mindestbestellmenge: 27

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 225 Stücke:

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41+	3.78 EUR
42+	3.54 EUR

Mindestbestellmenge: 41

IPW60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 225 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	3.78 EUR
42+	3.54 EUR

Mindestbestellmenge: 41

IPW60R099P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1811 Stücke:

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1+	7.18 EUR
25+	5.7 EUR
240+	5.68 EUR
480+	4.45 EUR
1200+	4.19 EUR
2640+	3.48 EUR

IPW60R099ZH

Description: IPW60R099 - 600V CoolMOS N-Chann
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

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IPW60R099ZH

auf Bestellung 706780 Stücke:

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IPW60R099ZHXKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R099ZHXKSA1 - IPW60R099 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 101 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

auf Bestellung 240 Stücke:

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16+	9.63 EUR
21+	7.17 EUR
50+	6.25 EUR
100+	5.68 EUR
200+	5.19 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

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IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

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IPW60R105CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 235 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.66 EUR
10+	8.11 EUR
25+	7.66 EUR
100+	6.49 EUR
480+	4.98 EUR
1200+	4.7 EUR

IPW60R105CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R105CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 207 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R105CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

auf Bestellung 2160 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	5.42 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW60R105CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R

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IPW60R120C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPW60R120C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R120C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.23 EUR
10+	6.08 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPW60R120C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R120C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R120C7XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.32 EUR
10+	6.16 EUR
25+	5.97 EUR
100+	5.49 EUR
240+	4.68 EUR
480+	4.4 EUR
1200+	3.56 EUR

IPW60R120P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R120P7

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R120P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	3.49 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R120P7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 257 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.57 EUR
10+	6.37 EUR
25+	4.95 EUR
100+	4.33 EUR
240+	4.08 EUR
480+	3.75 EUR
1200+	3.2 EUR

IPW60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	7.47 EUR
24+	6.32 EUR
50+	4.84 EUR
200+	4.42 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IPW60R125C6

MOSFETs N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6

auf Bestellung 205 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.66 EUR
10+	8.1 EUR
25+	7.66 EUR
100+	6.56 EUR
240+	6.2 EUR
480+	5.83 EUR
1200+	5 EUR

IPW60R125C6
Produktcode: 182612

Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2127/96
JHGF: THT

auf Bestellung 8 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

erwartet 50 Stück:

IPW60R125C6

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW60R125C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V

auf Bestellung 272 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.74 EUR
10+	7.24 EUR
100+	5.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW60R125C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6

auf Bestellung 203 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.41 EUR
10+	8.34 EUR
25+	6.88 EUR
100+	6.42 EUR
240+	6.41 EUR
480+	5 EUR
1200+	4.7 EUR

IPW60R125C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R125C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 219W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 145 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	6.51 EUR
27+	5.28 EUR
100+	4.87 EUR
240+	4.62 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IPW60R125C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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28+	5.32 EUR
32+	4.57 EUR

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IPW60R125C6FKSA1

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IPW60R125C6FKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R125C6FKSA1 - IPW60R125 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 217 Stücke:

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IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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27+	5.33 EUR
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240+	4.66 EUR

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IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R125C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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28+	5.32 EUR
32+	4.57 EUR

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IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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19+	8.22 EUR
20+	7.72 EUR
25+	6.06 EUR
100+	5.09 EUR
480+	3.64 EUR

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IPW60R125CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 230 Stücke:

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IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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16+	9.67 EUR
22+	6.8 EUR
50+	5.8 EUR
100+	5.26 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	8.2 EUR
20+	7.71 EUR
25+	6.04 EUR
100+	5.08 EUR
480+	3.64 EUR

Mindestbestellmenge: 19

IPW60R125CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V

auf Bestellung 65 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.61 EUR
10+	5.73 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPW60R125CFD7XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.18 EUR
25+	5.7 EUR
100+	4.89 EUR
240+	4.88 EUR
480+	3.7 EUR
1200+	3.48 EUR

IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R125CP
Produktcode: 143316

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPW60R125CP

Description: 25A, 600V, 0.125OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V

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IPW60R125CP

MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP

auf Bestellung 156 Stücke:

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10+	9.33 EUR
25+	8.47 EUR
100+	7.78 EUR
240+	7.3 EUR
480+	6.85 EUR
1200+	6.16 EUR

IPW60R125CP

auf Bestellung 2100 Stücke:

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IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 450 Stücke:

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21+	7.64 EUR
240+	6.66 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IPW60R125CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R125CPFKSA1

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IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 450 Stücke:

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20+	7.7 EUR
240+	6.72 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IPW60R125CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V

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IPW60R125CPFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP

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IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R125CPFKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R125CPFKSA1 - IPW60R125 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 235 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R125CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R125P6

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V

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IPW60R125P6

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

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IPW60R125P6
Produktcode: 169145

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPW60R125P6XKSA1

MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM

auf Bestellung 195 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.5 EUR
10+	8.75 EUR
25+	7.11 EUR
100+	6.64 EUR
240+	4.33 EUR

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 8640 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	4.64 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R125P6XKSA1

N-MOSFET 30A 600V 219W 0.125Ω IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6 TIPW60r125p6
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	15.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R125P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPW60R125P6XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R125P6XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPW60R125P6XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V

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IPW60R145CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R145CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R145CFD7XKSA1

Description: MOSFET HIGH POWER
Packaging: Bulk
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)

auf Bestellung 98190 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

143+	3.4 EUR

Mindestbestellmenge: 143

IPW60R145CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R145CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R145CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R145CFD7XKSA1

Description: MOSFET HIGH POWER
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Part Status: Active

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPW60R145CFD7XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 43 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.37 EUR
10+	5.49 EUR
25+	5.16 EUR
100+	4.33 EUR
240+	4.24 EUR
480+	3.29 EUR
1200+	3.1 EUR

IPW60R160C6

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW60R160C6

MOSFET N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6

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IPW60R160C6

Description: 23.8A, 600V, 0.16OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V

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IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 740 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	6.24 EUR
26+	5.84 EUR
30+	4.8 EUR
100+	4.11 EUR
240+	3.93 EUR
480+	3.01 EUR

Mindestbestellmenge: 25

IPW60R160C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 219 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 162 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	7.19 EUR
23+	6.7 EUR
27+	5.29 EUR
100+	4.41 EUR

Mindestbestellmenge: 22

IPW60R160C6FKSA1

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 370mOhm; 23,8A; 176W; -55°C ~ 150°C; IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6 TIPW60r160c6
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	11.38 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPW60R160C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V

auf Bestellung 69 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.76 EUR
30+	6.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPW60R160C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 258 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	6.18 EUR
27+	5.66 EUR
31+	4.67 EUR
100+	4.05 EUR
240+	3.82 EUR

Mindestbestellmenge: 25

IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 738 Stücke:

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25+	6.18 EUR
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IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R160C6FKSA1

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IPW60R160C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6

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10+	7.62 EUR
25+	6.18 EUR
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IPW60R160C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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22+	7.19 EUR
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IPW60R160P6

MOSFETs HIGH POWER_LEGACY

auf Bestellung 906 Stücke:

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1+	6.83 EUR
10+	5.74 EUR
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240+	4.36 EUR
480+	4.12 EUR
1200+	3.52 EUR

IPW60R160P6

auf Bestellung 31680 Stücke:

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IPW60R160P6

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V

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IPW60R160P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

auf Bestellung 661 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.83 EUR
10+	5.74 EUR
25+	4.33 EUR
100+	4 EUR
240+	3.45 EUR
480+	3.34 EUR
1200+	3.33 EUR

IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 450 Stücke:

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21+	7.62 EUR
24+	6.23 EUR
50+	5.61 EUR
100+	4.62 EUR
200+	4.16 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IPW60R160P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPW60R160P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V

auf Bestellung 239 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

IPW60R160P6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R160P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 195 Stücke:

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IPW60R160P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R160P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPW60R165CP

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW60R165CP

Description: 21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

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IPW60R165CP

MOSFETs N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP

auf Bestellung 233 Stücke:

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1+	9.17 EUR
10+	8.76 EUR
25+	7.27 EUR
100+	6.23 EUR
240+	5.63 EUR
480+	4.73 EUR
1200+	4.47 EUR

IPW60R165CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 180 Stücke:

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18+	8.58 EUR
19+	7.8 EUR
25+	6.35 EUR
50+	5.91 EUR
100+	5.04 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IPW60R165CPFKSA1

Description: INFINEON - IPW60R165CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R165CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPW60R165CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R165CPFKSA1

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IPW60R165CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.06 EUR
30+	7.19 EUR
120+	6.16 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW60R165CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.65 EUR
19+	7.87 EUR
25+	6.41 EUR
50+	5.96 EUR
100+	5.09 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IPW60R165CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R165CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R170CFD7

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 75W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: THT
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPW60R170CFD7

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IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 208 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	3.5 EUR
49+	3.01 EUR
100+	2.66 EUR

Mindestbestellmenge: 44

IPW60R170CFD7XKSA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 189 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.77 EUR
25+	4.58 EUR
100+	3.92 EUR
240+	3.91 EUR
480+	2.97 EUR
1200+	2.82 EUR

IPW60R170CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V

auf Bestellung 143 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.72 EUR
30+	4.53 EUR
120+	3.88 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	6.69 EUR
27+	5.66 EUR
50+	4.35 EUR
200+	3.96 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 6240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	3.92 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	3.54 EUR
49+	3.04 EUR
100+	2.68 EUR

Mindestbestellmenge: 44

IPW60R170CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	3.39 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 215 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4.08 EUR
50+	3.78 EUR
100+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 38

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	6.9 EUR
26+	5.69 EUR
50+	4.54 EUR
100+	4.21 EUR
200+	3.8 EUR
240+	3.47 EUR

Mindestbestellmenge: 23

IPW60R180C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R180C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 229 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.34 EUR
10+	5.32 EUR
25+	5.03 EUR
100+	4.31 EUR
240+	4.14 EUR
480+	3.27 EUR
1200+	3.08 EUR

IPW60R180C7XKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	7.22 EUR
27+	5.47 EUR
50+	4.37 EUR
100+	4.04 EUR
200+	3.64 EUR
240+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 22

IPW60R180C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V

auf Bestellung 192 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.35 EUR
30+	4.23 EUR
120+	3.63 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPW60R180C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R180P7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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IPW60R180P7

auf Bestellung 54960 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW60R180P7

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	5.21 EUR
31+	4.8 EUR
50+	4.45 EUR
100+	4.13 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IPW60R180P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R180P7XKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 14640 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	2.81 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW60R180P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

auf Bestellung 225 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.96 EUR
30+	3.92 EUR
120+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 460 Stücke:

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29+	5.37 EUR
34+	4.35 EUR
50+	3.96 EUR
200+	3.26 EUR

Mindestbestellmenge: 29

IPW60R180P7XKSA1

Description: INFINEON - IPW60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 13 Stücke:

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IPW60R180P7XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 925 Stücke:

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1+	5.02 EUR
10+	4.21 EUR
25+	3.98 EUR
100+	3.4 EUR
240+	3.2 EUR
480+	3.1 EUR
1200+	2.43 EUR

IPW60R190C6
Produktcode: 133423

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPW60R190C6

MOSFETs N-Ch 600V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6

auf Bestellung 1947 Stücke:

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1+	6.39 EUR
10+	5.95 EUR
25+	5.07 EUR
100+	4.35 EUR
240+	3.71 EUR
480+	3.27 EUR
1200+	3.13 EUR

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R190C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V

auf Bestellung 106 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.32 EUR
30+	5.01 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPW60R190C6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

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IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 549 Stücke:

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30+	5.23 EUR
33+	4.6 EUR
100+	3.76 EUR
500+	3.4 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 260 Stücke:

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26+	5.97 EUR
33+	4.55 EUR
120+	3.73 EUR

Mindestbestellmenge: 26

IPW60R190C6FKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R190C6FKSA1 - IPW60R190 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 54 Stücke:

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IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R190C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

13+	5.83 EUR
14+	5.15 EUR
17+	4.45 EUR
18+	4.2 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPW60R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 260 Stücke:

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26+	6.02 EUR
33+	4.59 EUR
120+	3.76 EUR

Mindestbestellmenge: 26

IPW60R190C6FKSA1

auf Bestellung 46 Stücke:

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13+	5.83 EUR
14+	5.15 EUR
17+	4.45 EUR
18+	4.2 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPW60R190E6

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW60R190E6

Description: 600V, 0.19OHM, N-CHANNEL MOSFET,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V

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IPW60R190E6

MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6

auf Bestellung 238 Stücke:

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1+	6.39 EUR
10+	5.35 EUR
25+	5.05 EUR
100+	4.33 EUR
240+	4.1 EUR
480+	3.85 EUR
1200+	3.31 EUR

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 329 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	4.05 EUR
41+	3.48 EUR
50+	3.31 EUR
100+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 37

IPW60R190E6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R190E6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 221 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 329 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	4.24 EUR

Mindestbestellmenge: 37

IPW60R190E6FKSA1

auf Bestellung 163 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	6.3 EUR
30+	4.99 EUR
120+	4.28 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPW60R190E6FKSA1

MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6

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IPW60R190E6FKSA1

Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; IPW60R190E6 TIPW60r190e6
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	7.74 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPW60R190E6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R190E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R190E6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPW60R190P6

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 137 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	3.94 EUR
50+	3.65 EUR
100+	3.4 EUR

Mindestbestellmenge: 39

IPW60R190P6
Produktcode: 107275

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPW60R190P6

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

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IPW60R190P6

MOSFETs HIGH POWER_PRC/PRFRM

auf Bestellung 606 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.58 EUR
10+	4.68 EUR
25+	4.42 EUR
100+	3.91 EUR
240+	3.33 EUR
1200+	2.89 EUR
2640+	2.73 EUR

IPW60R190P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPW60R190P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 590 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	4.33 EUR
50+	3.5 EUR
100+	3.19 EUR

Mindestbestellmenge: 36

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 290 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	2.95 EUR
100+	2.79 EUR

Mindestbestellmenge: 50

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R190P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.89 EUR
30+	3.08 EUR
120+	2.64 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPW60R190P6FKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 184 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.92 EUR
25+	3.13 EUR
100+	2.73 EUR

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R190P6FKSA1

Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 151W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3022 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 12240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	3.14 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 86 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

49+	3.18 EUR
50+	2.95 EUR

Mindestbestellmenge: 49

IPW60R190P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R199CP

Description: 16A, 600V, 0.199OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R199CP

MOSFETs N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.85 EUR
10+	6.6 EUR
25+	6.23 EUR
100+	5.33 EUR
240+	5.03 EUR
480+	4.75 EUR
1200+	4.07 EUR

IPW60R199CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R199CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	9.71 EUR
22+	6.82 EUR
50+	5.82 EUR
100+	5.27 EUR
200+	4.77 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IPW60R199CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R199CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R199CPFKSA1

MOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R199CPFKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R230P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16.8A TO247-3

auf Bestellung 896 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

IPW60R250CP

TO-247

auf Bestellung 22080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW60R250CP

MOSFET N-Ch 600V 12A TO247-3 CoolMOS CP

auf Bestellung 183 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.6 EUR
10+	6.85 EUR
100+	5.61 EUR
240+	5.6 EUR

IPW60R250CP

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3

auf Bestellung 10800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

IPW60R250CPFKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R250CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R250CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R280C6

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

auf Bestellung 210 Stücke:

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210+	2.47 EUR

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IPW60R280C6

MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6

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IPW60R280C6

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IPW60R280C6FKSA1

MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6

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IPW60R280C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R280C6FKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R280C6FKSA1 - IPW60R280 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 14160 Stücke:

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IPW60R280C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R280C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R280C6FKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R280C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

auf Bestellung 14160 Stücke:

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IPW60R280E6

MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO247-3 CoolMOS E6

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1+	8.04 EUR
10+	7.23 EUR
100+	5.91 EUR
480+	5.05 EUR

IPW60R280E6

auf Bestellung 210 Stücke:

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IPW60R280E6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPW60R280E6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R280E6FKSA1

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IPW60R280E6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPW60R280P6

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IPW60R280P6

MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3

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10+	3.82 EUR
25+	3.61 EUR
100+	3.1 EUR
240+	2.92 EUR
480+	2.75 EUR
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IPW60R280P6
Produktcode: 169317

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPW60R280P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R280P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R280P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V

auf Bestellung 252 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	4.51 EUR
30+	3.57 EUR
120+	3.06 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPW60R280P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPW60R280P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R280P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 60 Stücke

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IPW60R280P6FKSA1

MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3

auf Bestellung 4 Stücke:

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1+	4.56 EUR
10+	4.44 EUR
25+	3.61 EUR
100+	3.1 EUR
240+	3.04 EUR
480+	2.34 EUR
1200+	2.22 EUR

IPW60R299CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

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IPW60R299CP

auf Bestellung 2100 Stücke:

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IPW60R299CP

MOSFET N-Ch 650V 11A TO247-3 CoolMOS CP

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IPW60R299CPFKSA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

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IPW60R299CPFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 98W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 98W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R299CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R299CPFKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3

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IPW60R299CPFKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R299CPFKSA1 - IPW60R299 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 54 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW60R299CPFKSA1

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IPW60R299CPFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW60R330P6

MOSFET LOW POWER_LEGACY

auf Bestellung 463 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

IPW60R330P6

Description: IPW60R330 - 600V COOLMOS N-CHANN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW60R330P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3

auf Bestellung 36480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

IPW60R330P6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 93W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPW60R330P6FKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65F6048A

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	27.21 EUR
10+	25.24 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPW65R018CFD7XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	33.56 EUR
10+	30.45 EUR
25+	25.27 EUR
100+	23.78 EUR
240+	23.76 EUR
480+	21.54 EUR

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW65R018CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 61 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	26.98 EUR
10+	25.02 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPW65R018CFD7XKSA1

Description: 650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R018CFD7XKSA1

SP005413353

auf Bestellung 16 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1200 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	22.12 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW65R018CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 106A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW65R019C7

auf Bestellung 2320 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW65R019C7

Description: 75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R019C7

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	40.54 EUR
5+	37.73 EUR
10+	35.22 EUR
20+	32.96 EUR
50+	30.89 EUR
100+	28.98 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPW65R019C7

auf Bestellung 239 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW65R019C7

MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

auf Bestellung 638 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	33.79 EUR
10+	29.78 EUR
25+	28.95 EUR
50+	27.35 EUR
100+	25.75 EUR
240+	24.92 EUR
480+	23.32 EUR

IPW65R019C7FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R019C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 397 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 319 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 278 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	26.75 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPW65R019C7FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Power dissipation: 446W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R019C7FKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R019C7FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	33.79 EUR
25+	27.37 EUR
100+	25.77 EUR
240+	25.75 EUR
480+	23.32 EUR

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 319 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	34.41 EUR
25+	26.86 EUR
100+	24.35 EUR
240+	23.4 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPW65R019C7FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V

auf Bestellung 845 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	33.44 EUR
30+	27.07 EUR
120+	25.48 EUR
510+	23.09 EUR

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 319 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5+	31.19 EUR

Mindestbestellmenge: 5

IPW65R019C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R022CFD7AXKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 155 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.57 EUR
10+	22.53 EUR
240+	18.85 EUR
480+	17.64 EUR
1200+	16.67 EUR
2640+	15.75 EUR

IPW65R022CFD7AXKSA1

Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V

auf Bestellung 129 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	25.29 EUR
10+	22.28 EUR

IPW65R022CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

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IPW65R022CFD7AXKSA1

SP003793206

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

auf Bestellung 197 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	11.67 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

auf Bestellung 197 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	11.67 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPW65R029CFD7XKSA1

SP005413355

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R029CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 441 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R029CFD7XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.02 EUR
25+	11.44 EUR

IPW65R029CFD7XKSA1

The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	14.96 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPW65R029CFD7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.97 EUR
30+	10.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW65R035CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R035CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R035CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.029 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 410 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R035CFD7AXKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 209 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.78 EUR
10+	12.51 EUR
25+	10.84 EUR

IPW65R035CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R035CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1196 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.37 EUR
30+	10.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW65R035CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6+	29.05 EUR
8+	19.53 EUR
10+	16.09 EUR
50+	15.44 EUR
100+	14.79 EUR

Mindestbestellmenge: 6

IPW65R035CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

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IPW65R037C6

MOSFETs N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6

auf Bestellung 264 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	27.33 EUR
10+	24.08 EUR
25+	23.43 EUR
50+	22.12 EUR
100+	20.82 EUR
240+	20.17 EUR
480+	18.87 EUR

IPW65R037C6FKSA1
Produktcode: 180225

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R037C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240 pF @ 100 V

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.01 EUR
30+	15.94 EUR

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	15.59 EUR
25+	13.42 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPW65R037C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6

auf Bestellung 98 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.22 EUR
25+	16.77 EUR

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R037C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	15.45 EUR
25+	13.3 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPW65R037C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R037C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 83.2 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 460 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R037C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 83.2A; 500W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 83.2A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R037C6FKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R041CFD

MOSFET N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2

auf Bestellung 227 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	24.45 EUR
10+	21.54 EUR
25+	20.96 EUR
50+	19.8 EUR
100+	18.66 EUR
240+	18 EUR
480+	16.88 EUR

IPW65R041CFD7

IPW65R041CFD7

auf Bestellung 196 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	16.91 EUR
25+	15.55 EUR
50+	14.37 EUR
100+	13.33 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPW65R041CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R041CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 105 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	17.24 EUR
12+	13.01 EUR
50+	11.84 EUR
100+	10.25 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPW65R041CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 221 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R041CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R041CFD7XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 312 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.2 EUR
25+	11.35 EUR
100+	10.17 EUR
240+	10.16 EUR
480+	8.06 EUR
1200+	7.69 EUR

IPW65R041CFD7XKSA1

Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V

auf Bestellung 364 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.06 EUR
30+	11.23 EUR
120+	10.04 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW65R041CFDFKSA1

MOSFET N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R041CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	14.55 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPW65R041CFDFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 68.5A; 500W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 68.5A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R041CFDFKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R041CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 220 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	14.55 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPW65R041CFDFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R041CFDFKSA2

auf Bestellung 720 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW65R041CFDFKSA2

650V CMOS power transistor

auf Bestellung 189 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R041CFDFKSA2

Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 157 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R041CFDFKSA2

MOSFETs Y

auf Bestellung 186 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	22.07 EUR
10+	21.63 EUR
25+	17.88 EUR
100+	16.83 EUR
240+	16.79 EUR
480+	13.96 EUR

IPW65R041CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V

auf Bestellung 615 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	21.82 EUR
30+	17.67 EUR
120+	16.63 EUR
510+	15.07 EUR

IPW65R041CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R045C

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R045C7

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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8+	19.96 EUR
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IPW65R045C7

MOSFETs N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

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25+	15 EUR
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240+	12.95 EUR
480+	12.14 EUR
1200+	10.91 EUR

IPW65R045C7

Description: 46A, 650V, 0.045OHM, N-CHANNEL M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

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IPW65R045C7

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IPW65R045C7300XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

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IPW65R045C7FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPW65R045C7FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R045C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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IPW65R045C7FKSA1

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IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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25+	10.69 EUR
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240+	8.47 EUR
480+	8.04 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPW65R045C7FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

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30+	15.22 EUR
120+	13.62 EUR
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1020+	10.82 EUR

IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW65R045C7FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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25+	10.59 EUR
100+	8.84 EUR
240+	8.4 EUR
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Mindestbestellmenge: 12

IPW65R045C7FKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

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10+	15.49 EUR
25+	13.68 EUR
100+	12.88 EUR
240+	12.72 EUR
480+	10.93 EUR
1200+	10.91 EUR

IPW65R045C7_300

Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW65R048CFDA

MOSFETs N-Ch 650V 63.3A TO247-3

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10+	18.59 EUR
25+	18.08 EUR
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100+	16.05 EUR
240+	15.56 EUR
480+	14.56 EUR

IPW65R048CFDA

auf Bestellung 212880 Stücke:

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IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW65R048CFDAFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 63.3A TO247-3

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10+	20.98 EUR
25+	16.4 EUR
240+	13.36 EUR

IPW65R048CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 29.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7440 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 47 Stücke:

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1+	20.87 EUR
30+	16.89 EUR

IPW65R048CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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7+	22.93 EUR
9+	18.02 EUR

Mindestbestellmenge: 7

IPW65R048CFDAFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R048CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 63.3 A, 0.043 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 199 Stücke:

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IPW65R050CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 129120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	9.76 EUR

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IPW65R050CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

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IPW65R050CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R050CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 237 Stücke:

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IPW65R050CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 240 Stücke:

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8+	19.68 EUR
12+	12.71 EUR
50+	11.96 EUR
100+	11.48 EUR
200+	10.99 EUR

Mindestbestellmenge: 8

IPW65R050CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

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IPW65R050CFD7AXKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 1712 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.96 EUR
25+	8.76 EUR
100+	8.45 EUR

IPW65R050CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 224 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.84 EUR
30+	8.66 EUR
120+	8.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW65R050CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R060CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R060CFD7XKSA1

SP005433699

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R060CFD7XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 474 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.93 EUR
10+	9.36 EUR
25+	7.87 EUR
100+	7.48 EUR
240+	7.23 EUR
480+	6.88 EUR
1200+	6.2 EUR

IPW65R060CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	6.83 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW65R060CFD7XKSA1

Description: 650V FET COOLMOS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R060CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube

auf Bestellung 205 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	14.73 EUR
13+	11.89 EUR
50+	10.68 EUR
100+	8.74 EUR
200+	7.49 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPW65R060CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R065C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 176 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.42 EUR
10+	9.79 EUR
25+	8.89 EUR
100+	8.17 EUR
240+	7.66 EUR
480+	7.18 EUR
1200+	6.46 EUR

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	7.14 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R065C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V

auf Bestellung 198 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.3 EUR
30+	9.02 EUR
120+	8.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 225 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	12.27 EUR
15+	10.39 EUR
50+	9.44 EUR
100+	8.29 EUR
200+	7.94 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPW65R065C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R065C7XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 178 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.42 EUR
25+	9.12 EUR
100+	8.17 EUR
240+	8.15 EUR
480+	6.46 EUR
1200+	6.18 EUR

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R065C7XKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R070C6

MOSFETs N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R070C6FKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53.5A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 171 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	13.22 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPW65R070C6FKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 170 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	13.1 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 171 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 789 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	14.38 EUR
240+	8.47 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPW65R070C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.76mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V

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IPW65R070C6FKSA1

MOSFETs Y

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IPW65R070C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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11+	14.38 EUR
240+	8.47 EUR

Mindestbestellmenge: 11

IPW65R070C6FKSA1

Description: INFINEON - IPW65R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 462 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R075CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

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IPW65R075CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.51 EUR
30+	9.2 EUR
120+	8.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW65R075CFD7AXKSA1

MOSFETs Y

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1+	11.63 EUR
10+	9.98 EUR
25+	9.05 EUR
100+	8.31 EUR
240+	7.83 EUR
480+	6.67 EUR
1200+	6.3 EUR

IPW65R075CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

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IPW65R075CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

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IPW65R080CFD

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	12.8 EUR
25+	11.77 EUR
50+	10.88 EUR
100+	10.09 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPW65R080CFD

MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2

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IPW65R080CFDA

MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3

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10+	15.72 EUR
25+	14.26 EUR
100+	13.09 EUR
240+	12.32 EUR
480+	11.56 EUR
1200+	10.4 EUR

IPW65R080CFDA

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27.4A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27.4A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IPW65R080CFDA

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IPW65R080CFDAFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3

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1+	18.73 EUR
25+	14.33 EUR
100+	12.48 EUR
240+	11.86 EUR
480+	10.4 EUR

IPW65R080CFDAFKSA1

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW65R080CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 720 Stücke:

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14+	11.66 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPW65R080CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 225 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	18.15 EUR
30+	14.49 EUR
120+	12.97 EUR

IPW65R080CFDFKSA1

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R080CFDFKSA1 - HIGH POWERLEGACY
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 180 Stücke:

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IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 130 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R080CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V

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IPW65R080CFDFKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43.3A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43.3A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 120 Stücke:

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30+	12.41 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IPW65R080CFDFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2303 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R080CFDFKSA1

MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2

auf Bestellung 74 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.65 EUR
10+	15.51 EUR
25+	13.39 EUR
100+	12.83 EUR
240+	12.81 EUR
480+	12.36 EUR
1200+	11.99 EUR

IPW65R080CFDFKSA1

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IPW65R080CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

120+	11.27 EUR

Mindestbestellmenge: 120

IPW65R080CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V

auf Bestellung 154 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15.08 EUR
30+	12.03 EUR
120+	10.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW65R080CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R080CFDFKSA2

MOSFETs Y

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IPW65R080CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	11.86 EUR
25+	9.23 EUR
50+	6.79 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPW65R080CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	11.97 EUR
25+	9.31 EUR
50+	6.85 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPW65R080CFDFKSA2

Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 236 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R080CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R080CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	9.53 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW65R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 225 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	10.17 EUR
20+	7.57 EUR
50+	6.58 EUR
100+	6.18 EUR
200+	5.8 EUR

Mindestbestellmenge: 16

IPW65R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R090CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R090CFD7XKSA1

SP005413364

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R090CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V

auf Bestellung 179 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.38 EUR
30+	7.43 EUR
120+	6.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW65R090CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	5.33 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW65R090CFD7XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.47 EUR
25+	7.52 EUR
100+	6.44 EUR
240+	6.42 EUR
480+	4.89 EUR
1200+	4.61 EUR

IPW65R095C7

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R095C7

MOSFETs HIGH POWERNEW

auf Bestellung 1069 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.33 EUR
10+	7.83 EUR
25+	7.39 EUR
100+	6.34 EUR
240+	5.97 EUR
480+	5.61 EUR
1200+	4.8 EUR

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R095C7XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 474 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.82 EUR
10+	8.76 EUR
25+	7.36 EUR
100+	6.34 EUR
240+	6.14 EUR
480+	4.8 EUR
1200+	4.54 EUR

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	5.03 EUR
32+	4.48 EUR
50+	4.27 EUR
100+	3.79 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	5.24 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R095C7XKSA1
Produktcode: 201470

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 232 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	6.06 EUR
50+	5.71 EUR
100+	5.48 EUR

Mindestbestellmenge: 25

IPW65R095C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

auf Bestellung 1046 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.2 EUR
30+	7.31 EUR
120+	6.26 EUR
510+	5.57 EUR
1020+	4.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

30+	5.03 EUR
32+	4.48 EUR
50+	4.27 EUR
100+	3.79 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IPW65R095C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R099C6

MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3

auf Bestellung 181 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.78 EUR
10+	10.95 EUR
25+	9.94 EUR
100+	9.12 EUR
240+	8.59 EUR
480+	8.06 EUR
1200+	7.25 EUR

IPW65R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R099C6FKSA1

MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R099C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R099C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R099CFD7A

IPW65R099CFD7A

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

14+	11.69 EUR
25+	10.75 EUR
50+	9.94 EUR
100+	9.22 EUR

Mindestbestellmenge: 14

IPW65R099CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 186 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.87 EUR
30+	7.88 EUR
120+	7.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW65R099CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

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IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 213840 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	6.24 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW65R099CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R099CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R099CFD7AXKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 115 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.98 EUR
10+	9.91 EUR
25+	7.97 EUR
100+	7.13 EUR
480+	5.65 EUR
1200+	5.4 EUR

IPW65R099CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 210 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	13.05 EUR
15+	10.17 EUR
50+	8.87 EUR
100+	7.85 EUR
200+	7.37 EUR

Mindestbestellmenge: 12

IPW65R110CFD

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	7.5 EUR
25+	6.92 EUR
50+	6.41 EUR
100+	5.96 EUR
250+	5.55 EUR
500+	5.17 EUR
1000+	4.82 EUR

Mindestbestellmenge: 21

IPW65R110CFD

MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2

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IPW65R110CFD

auf Bestellung 39 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW65R110CFD7XKSA1

MOSFETs Y

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IPW65R110CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R110CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 238 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R110CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW65R110CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.53 EUR
30+	4.37 EUR
120+	3.75 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPW65R110CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R110CFD7XKSA1

SP005413366

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IPW65R110CFDA

auf Bestellung 327600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW65R110CFDA

MOSFETs N-Ch 650V 31.2A TO247-3

auf Bestellung 903 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.31 EUR
10+	12.27 EUR
25+	11.12 EUR
100+	10.21 EUR
240+	9.63 EUR
480+	9.01 EUR
1200+	8.11 EUR

IPW65R110CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 236 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.96 EUR
30+	7.95 EUR
120+	7.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW65R110CFDAFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 31.2A TO247-3

auf Bestellung 247 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.31 EUR
10+	12.27 EUR
25+	11.12 EUR
100+	10.21 EUR
240+	9.63 EUR
480+	9.01 EUR
1200+	8.11 EUR

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.48 EUR
50+	8 EUR
100+	7.68 EUR
200+	7.34 EUR

Mindestbestellmenge: 18

IPW65R110CFDAFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R110CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 979 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R110CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	12.05 EUR
15+	9.84 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPW65R110CFDFKSA1
Produktcode: 196399

Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R110CFDFKSA1

Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 277.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 235 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R110CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	12.05 EUR
15+	9.84 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPW65R110CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R110CFDFKSA1

MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R110CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R110CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.79 EUR
30+	8.61 EUR
120+	7.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW65R110CFDFKSA2

MOSFETs Y

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R110CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R110CFDFKSA2

Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R115CFD7AXKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 150-154 Tag (e)

1+	9.38 EUR
10+	9.2 EUR
25+	7.44 EUR
100+	6.39 EUR
240+	6.37 EUR
480+	4.84 EUR
1200+	4.56 EUR

IPW65R115CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	12.48 EUR
17+	8.77 EUR
50+	7.49 EUR
100+	6.76 EUR
200+	6.13 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPW65R115CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R115CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R115CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R115CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	5.27 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW65R115CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R115CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.28 EUR
30+	7.36 EUR
120+	6.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW65R125C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1920 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.76 EUR
10+	6.51 EUR
25+	6.16 EUR
100+	5.26 EUR
240+	4.96 EUR
480+	4.66 EUR
1200+	4 EUR

IPW65R125C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 18A; 101W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 101W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IPW65R125C7XKSA1

MOSFETs Y

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IPW65R125C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW65R125C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V

auf Bestellung 260 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.67 EUR
30+	6.08 EUR
120+	5.21 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPW65R125C7XKSA1

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IPW65R125C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW65R125C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R125CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R125CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V

auf Bestellung 235 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.11 EUR
30+	5.63 EUR
120+	4.83 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPW65R125CFD7XKSA1

SP005413372

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IPW65R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW65R125CFD7XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 237 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.18 EUR
25+	5.7 EUR
100+	4.89 EUR
240+	4.88 EUR
480+	3.7 EUR
1200+	3.48 EUR

IPW65R125CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW65R145CFD7AXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

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IPW65R145CFD7AXKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 188 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.1 EUR
10+	9.47 EUR
25+	5.93 EUR
240+	4.65 EUR
480+	4.36 EUR
1200+	3.75 EUR
2640+	3.52 EUR

IPW65R145CFD7AXKSA1

Description: INFINEON - IPW65R145CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.122 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R145CFD7AXKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

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IPW65R145CFD7AXKSA1

N-Channel MOSFET Transistor

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IPW65R150CFD
Produktcode: 188945

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPW65R150CFD

MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3

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IPW65R150CFDAFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 436 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.77 EUR
10+	8.38 EUR
240+	6.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPW65R150CFDAFKSA1

MOSFETs N-Ch 650V 22.4A TO247-3

auf Bestellung 441 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.87 EUR
10+	8.47 EUR
25+	8.27 EUR
100+	8.18 EUR
240+	6.48 EUR
480+	6.18 EUR
1200+	5.33 EUR

IPW65R150CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R150CFDAFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW65R150CFDFKSA1

MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3

auf Bestellung 332 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.24 EUR
10+	6.9 EUR
25+	6.51 EUR
100+	5.58 EUR
240+	5.26 EUR
480+	4.96 EUR
1200+	4.26 EUR

IPW65R150CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW65R150CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R150CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IPW65R150CFDFKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R150CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R150CFDFKSA2

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R150CFDFKSA2

Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V

auf Bestellung 236 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.36 EUR
10+	6.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPW65R150CFDFKSA2

MOSFETs Y

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IPW65R150CFDFKSA2

650V Power Transistor

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IPW65R155CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

30+	4.86 EUR
90+	4.16 EUR

Mindestbestellmenge: 30

IPW65R155CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R155CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R155CFD7XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 247 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.34 EUR
10+	7.46 EUR
25+	4.22 EUR
240+	3.96 EUR
480+	3.73 EUR
1200+	3.19 EUR
2640+	3.03 EUR

IPW65R155CFD7XKSA1

SP005413375

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R155CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R15OCFDAFKSA1

Description: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R190C6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R190C6

MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6

auf Bestellung 91 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

IPW65R190C6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R190C6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R190C7

Description: IPW65R190 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R190C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.74 EUR
10+	4.82 EUR
25+	4.56 EUR
100+	3.91 EUR
240+	3.68 EUR
480+	3.45 EUR
1200+	2.96 EUR

IPW65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	6.42 EUR
29+	5.23 EUR
50+	4.72 EUR
100+	3.91 EUR
200+	3.52 EUR

Mindestbestellmenge: 24

IPW65R190C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.68 EUR
30+	4.5 EUR

Mindestbestellmenge: 4

IPW65R190C7XKSA1

MOSFETs Y

auf Bestellung 353 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.74 EUR
25+	4.56 EUR
100+	3.91 EUR
240+	3.78 EUR
480+	2.96 EUR
1200+	2.8 EUR

IPW65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

240+	3.23 EUR

Mindestbestellmenge: 240

IPW65R190C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

IPW65R190C7XKSA1

Description: INFINEON - IPW65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.404 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.404ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 507 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPW65R190CFD

auf Bestellung 1920 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPW65R190CFD

MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 CoolMOS CFD2

auf Bestellung 480 Stücke:

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N-Channel MOSFET Transistor

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Trans MOSFET N-CH 650V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101

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MOSFETs Y

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