Produkte > IPW
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||
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| IPW30N65FFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW30N65FFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW30N65HFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW30N65HFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW35N65FFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW35N65FFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW35N65HFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW35N65HFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW40N65FFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW40N65FFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW40N65HFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW40N65HFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R140CP | Infineon technologies | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW50R140CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 23A TO247-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R140CP | INFINEON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW50R140CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW50R140CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R140CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R140CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R140CPFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW50R140CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 550V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW50R140CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 10901 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW50R190CE | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V Power Dissipation (Max): 152W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R190CE | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 63A TO247-3 | auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW50R190CEFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 18.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 510µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1137 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R190CEFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 63A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R199CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R199CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 17A TO247-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 262 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW50R199CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 17A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R250CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW50R250CP | INF | TO-247 | auf Bestellung 25440 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW50R250CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R250CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R250CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R250CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R280CE | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V | auf Bestellung 101641 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW50R280CE | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CE | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R280CEFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 773 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R280CEFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPW50R280CEFKSA1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R299CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 12A TO247-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R299CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V | auf Bestellung 9838 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW50R299CP | INF | TO-247 | auf Bestellung 21120 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW50R299CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R299CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R299CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R350CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 10A TO247-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW50R350CP | INF | TO-247 | auf Bestellung 49920 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW50R350CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V | auf Bestellung 4320 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW50R350CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R399CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 9A TO247-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R399CP | INF | TO-247 | auf Bestellung 25920 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW50R399CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R399CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R399CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW50R399CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V | auf Bestellung 5520 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Power Transistor | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Power Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R016CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 521W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPW60R016CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 62.5A, 10V Power Dissipation (Max): 521W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 171 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7545 pF @ 400 V | auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Power Transistor | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R016CM8XKSA1 | Infineon Technologies | IPW60R016CM8XKSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R017C7 | Infineon | auf Bestellung 17097 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R017C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 528 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | auf Bestellung 677 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R017C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 387 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V | auf Bestellung 568 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 109A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R018CFD7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V Power Dissipation (Max): 416W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9901 pF @ 400 V | auf Bestellung 651 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R024CFD7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R024CFD7 | Infineon | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R024CFD7 | Infineon Technologies | IPW60R024CFD7 | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R024CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 77A TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V Power Dissipation (Max): 320W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.12mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7268 pF @ 400 V | auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R024CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R024CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R024CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R024CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77 A, 0.019 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 320W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R024CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77A Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R024CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R024CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | auf Bestellung 319 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R024CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R024P7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R024P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 101 A, 0.02 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 291W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 372 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V Power Dissipation (Max): 291W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V | auf Bestellung 315 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 101A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R024P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | auf Bestellung 442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R031CFD7 | Infineon Technologies | Description: 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER MOS Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 32.6A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R031CFD7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R031CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPW60R031CFD7 THT N channel transistors | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R031CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R031CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.026 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 364 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R031CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 32.6A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R037CM8XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R037CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 329W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Power Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | IPW60R037CM8XKSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Power Transistor | auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IPW60R037CM8XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 329W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3458 pF @ 400 V | auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET Power Transistor | auf Bestellung 152 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R037CM8XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R037CSFD | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R037CSFD | Infineon | auf Bestellung 112282 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R037CSFDXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32.6A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.63mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5623 pF @ 400 V | auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R037CSFDXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPW60R037CSFDXKSA1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R037CSFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R037CSFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R037CSFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 110160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R037CSFDXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R037CSFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CSFD productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 229 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R037CSFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 54A Automotive Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R037CSFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R037CSFDXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R037P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R037P7 | Infineon Technologies | Infineon HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R037P7 | Infineon | auf Bestellung 4920 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 4796 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R037P7XKSA1 Produktcode: 173232 | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R037P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 255W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Version: ESD Gate charge: 121nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPW60R037P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V | auf Bestellung 1121 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 15840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R037P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 48A Power dissipation: 255W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Version: ESD Gate charge: 121nC | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R040C7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R040C7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R040C7 | Infineon | auf Bestellung 40810 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R040C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1116 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V | auf Bestellung 860 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R040C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPW60R040C7XKSA1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R040CFD7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R040CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R040CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R040CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 150-154 Tag (e) |
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| IPW60R040CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R040CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.031 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R040CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R040CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R040CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R040CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4354 pF @ 400 V | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R041C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R041C6 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 96mOhm; 77,5A; 481W; -55°C ~ 150°C; IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6 TIPW60r041c6 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPW60R041C6 | Infineon Technologies | Description: 600V, 0.041OHM, N-CHANNEL MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R041C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.96mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 10 V | auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R041C6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R041C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 481W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R041C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R041C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R041C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 3499 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R041C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 77.5A Power dissipation: 481W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R041C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R041C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 77.5A Power dissipation: 481W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPW60R041C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R041C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R041P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R041P6 | Infineon technologies | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R041P6 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R041P6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 77.5A Power dissipation: 481W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V | auf Bestellung 194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R041P6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R041P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 77.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 481W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 738 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R041P6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 77.5A Power dissipation: 481W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R045 | INFINEON | SMD | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R045C | auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| IPW60R045CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R045CP Produktcode: 105994 | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IPW60R045CPA | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 60A TO247-3 CoolMOS CPA | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R045CPA | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1202 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R045CPAFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R045CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 431W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPW60R045CPFKSA1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 431W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V | auf Bestellung 1015 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R045CPFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R045CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 60 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 431W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 824 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R045CPXK | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 201W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V | auf Bestellung 1734 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R045P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 201W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R045P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 178W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 55920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R055CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R055CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.046 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 178W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 40080 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 48240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R055CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R060C7 | Infineon Technologies | Description: IPW60R060 - 600V COOLMOS N-CHANN Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R060C7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R060C7XKSA1 Produktcode: 161478 | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R060C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R060C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 35 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 162W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS C7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R060P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R060P7 | Infineon | auf Bestellung 117090 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R060P7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R060P7 | Infineon technologies | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R060P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 164W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 928 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 1664 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V Power Dissipation (Max): 164W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V | auf Bestellung 606 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R060P7XKSA1 Produktcode: 192082 | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R0706P | Infineon Technologies | Description: 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER MOS Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R070C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 1571 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R070C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; 391W; PG-TO247-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 53A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 391W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ C6 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R070C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; 391W; PG-TO247-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 53A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 391W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ C6 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 391W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.72mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R070CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 156W; PG-TO247-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A On-state resistance: 0.129Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 156W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 67nC Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R070CFD7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R070CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 156W; PG-TO247-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A On-state resistance: 0.129Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 156W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 67nC Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1086 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R070CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R070CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.057 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V | auf Bestellung 1410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 3703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R070P6 | Infineon Technologies | Description: 600V, 0.07OHM, N-CHANNEL MOSFET, Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R070P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R070P6 | Infineon technologies | auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R070P6 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2112 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R070P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 391W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2753 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 53.5A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 391W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ P6 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R070P6XKSA1 Produktcode: 165846 | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R070P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 53.5A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 391W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ P6 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R070P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | auf Bestellung 411 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R075CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R075CPA | Infineon Technologies | MOSFET AUTOMOTIVE | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R075CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R075CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R075CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.74mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R075CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R075CPAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R075CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; 313W; PG-TO247-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 313W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ CP Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R075CPFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R075CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 39 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; 313W; PG-TO247-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 313W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ CP Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V | auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R075CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R075CPXK | Infineon Technologies | Description: IPW60R075 - 600V COOLMOS N-CHANN Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R080P7 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPW60R080P7 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R080P7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 129W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V | auf Bestellung 783 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 129W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 905 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 1414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 570µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 400 V | auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R090CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 125 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS CFD7 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.069 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R099C6 Produktcode: 186494 | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IPW60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPW60R099C6FKSA1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18.1A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V | auf Bestellung 644 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099C6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 230mOhm; 37,9A; 278W; -55°C ~ 150°C; IPW60R099C6 TIPW60r099c6 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R099C6 Produktcode: 88983 | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IPW60R099C7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R099C7 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO247 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 40560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPW60R099C7XKSA1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 52320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 128 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099CP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3-1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R099CP Produktcode: 72969 | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IPW60R099CPA | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | auf Bestellung 227 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099CPA | Infineon Technologies | Description: IPW60R099 - 600V-800V N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | auf Bestellung 938 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 51740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 51740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Power dissipation: 255W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Power dissipation: 255W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099CPFKSA1 Produktcode: 189155 | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IPW60R099P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM | auf Bestellung 1614 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37.9 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPW60R099P6XKSA1 THT N channel transistors | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V | auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P7 | Infineon Technologies | Description: 600V, 0.099OHM, N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R099P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P7 | Infineon Technologies | Infineon HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 1724 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 117W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R099P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 117W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R099P7XKSA1 | Infineon | auf Bestellung 420 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R099ZH | Infineon Technologies | Description: IPW60R099 - 600V CoolMOS N-Chann Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R099ZH | Infineon | auf Bestellung 706780 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R099ZHXKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R099ZHXKSA1 - IPW60R099 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R105CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R105CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.089 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R | auf Bestellung 2160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 191 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R105CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R120C7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 390µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R120C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R120P7 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R120P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R120P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R125C6 | Infineon technologies | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R125C6 Produktcode: 182612 | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 650 V Idd,A: 30 A Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2127/96 JHGF: THT | auf Bestellung 40 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 5 Stück: | ||||||||||||||||||
| IPW60R125C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127 pF @ 100 V | auf Bestellung 272 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R125C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 219W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R125C6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R125C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 219W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R125C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 219W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R125CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.104 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 390µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 400 V | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R125CP Produktcode: 143316 | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IPW60R125CP | INFINEON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R125CP | Infineon Technologies | Description: 25A, 600V, 0.125OHM, N-CHANNEL M Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R125CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 136 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R125CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R125CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R125CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R125CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R125CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R125CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R125CPFKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R125CPFKSA1 - IPW60R125 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R125CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPW60R125CPFKSA1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R125CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R125P6 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R125P6 Produktcode: 169145 | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IPW60R125P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R125P6XKSA1 | Infineon | N-MOSFET 30A 600V 219W 0.125Ω IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6 TIPW60r125p6 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPW60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11.6A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 960µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER PRICE/PERFORM | auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R125P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPW60R125P6XKSA1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 8640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET HIGH POWER Packaging: Bulk Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) | auf Bestellung 98190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R145CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R145CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET HIGH POWER Packaging: Tube Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Part Status: Active | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R145CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R160C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R160C6 | Infineon technologies | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R160C6 | Infineon Technologies | Description: 23.8A, 600V, 0.16OHM, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R160C6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R160C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R160C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R160C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R160C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 23.8A TO247-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 166 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R160C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23.8A Power dissipation: 176W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R160C6FKSA1 Produktcode: 206426 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IPW60R160C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R160C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23.8A Power dissipation: 176W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R160C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 100 V | auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R160C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R160C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R160C6FKSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 370mOhm; 23,8A; 176W; -55°C ~ 150°C; IPW60R160C6FKSA1 IPW60R160C6 TIPW60r160c6 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPW60R160P6 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R160P6 | Infineon | auf Bestellung 31680 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R160P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | auf Bestellung 881 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R160P6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23.8A Power dissipation: 176W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | auf Bestellung 437 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R160P6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R160P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.144 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 176W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 750µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 100 V | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R160P6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23.8A Power dissipation: 176W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R165CP | Infineon Technologies | Description: 21A, 600V, 0.165OHM, N-CHANNEL M Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R165CP | Infineon technologies | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R165CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R165CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R165CPFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R165CPFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R165CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R165CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R165CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 192W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R165CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 192W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R165CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R165CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R165CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R170CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 75W; PG-TO247-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A On-state resistance: 0.325Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 28nC Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R170CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 75W; PG-TO247-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A On-state resistance: 0.325Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 28nC Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 6240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V | auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 157 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R170CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V | auf Bestellung 192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 229 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R180C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPW60R180C7XKSA1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R180P7 | Infineon | auf Bestellung 54960 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R180P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R180P7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R180P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 72W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Version: ESD | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R180P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 72W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 25200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R180P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R190C6 Produktcode: 133423 | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IPW60R190C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 1839 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R190C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190C6FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R190C6FKSA1 - IPW60R190 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190E6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6 | auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R190E6 | Infineon | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R190E6 | Infineon Technologies | Description: 600V, 0.19OHM, N-CHANNEL MOSFET, Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R190E6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R190E6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 151W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS E6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; IPW60R190E6 TIPW60r190e6 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R190E6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPW60R190E6FKSA1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V | auf Bestellung 139 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R190E6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190P6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R190P6 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_PRC/PRFRM | auf Bestellung 749 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R190P6 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190P6 Produktcode: 107275 | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 12240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 151W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPW60R190P6FKSA1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R199CP | Infineon Technologies | Description: 16A, 600V, 0.199OHM, N-CHANNEL M Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R199CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R199CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW60R199CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R199CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 139W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.199Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Technology: CoolMOS™ CP Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R199CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R199CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 139W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.199Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Technology: CoolMOS™ CP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R199CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R230P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16.8A TO247-3 | auf Bestellung 896 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R250CP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3 | auf Bestellung 10800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R250CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 12A TO247-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R250CP | INF | TO-247 | auf Bestellung 22080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R250CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R250CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R250CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R280C6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R280C6 | Infineon technologies | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R280C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 37 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R280C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPW60R280C6FKSA1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R280C6FKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R280C6FKSA1 - IPW60R280 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 14160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO247-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R280C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | auf Bestellung 14160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R280E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO247-3 CoolMOS E6 | auf Bestellung 705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R280E6 | Infineon technologies | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R280E6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R280E6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R280E6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPW60R280E6FKSA1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R280P6 Produktcode: 169317 | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IPW60R280P6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3 | auf Bestellung 181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R280P6 | Infineon | auf Bestellung 56820 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R280P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO247-3 | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R280P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R280P6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPW60R280P6FKSA1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R280P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V | auf Bestellung 252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW60R280P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R280P6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R299CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R299CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 11A TO247-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R299CP | INFINEON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW60R299CPFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R299CPFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R299CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R299CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPW60R299CPFKSA1 THT N channel transistors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R299CPFKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW60R299CPFKSA1 - IPW60R299 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R299CPFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R330P6 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | auf Bestellung 463 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW60R330P6 | Infineon Technologies | Description: IPW60R330 - 600V COOLMOS N-CHANN Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R330P6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.6A On-state resistance: 0.33Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 93W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 22nC Technology: CoolMOS™ P6 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R330P6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3 Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.6A On-state resistance: 0.33Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 93W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 22nC Technology: CoolMOS™ P6 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW60R330P6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3 | auf Bestellung 36480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65F6048A | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R018CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.018 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: 650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 106A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R018CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005413353 | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R019C7 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7 | auf Bestellung 539 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R019C7 | Infineon technologies | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW65R019C7 | Infineon Technologies | Description: 75A, 650V, 0.019OHM, N-CHANNEL M Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R019C7 | Infineon | auf Bestellung 2320 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW65R019C7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 257 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7 | auf Bestellung 191 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R019C7FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 75A Power dissipation: 446W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R019C7FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R019C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V | auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R019C7FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 75A Power dissipation: 446W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R022CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | SP003793206 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R022CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R022CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 96A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R022CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 58.2A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11659 pF @ 400 V | auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies. | auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 35.8A, 10V Power Dissipation (Max): 305W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V | auf Bestellung 154 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies. | auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R029CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005413355 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies. | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies. | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R029CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R035CFD7AXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R035CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.029 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R035CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35.8A, 10V Power Dissipation (Max): 305W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R037C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 33.1A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7240 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 83.2A; 500W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 83.2A Power dissipation: 500W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 83.2A; 500W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 83.2A Power dissipation: 500W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 Produktcode: 180225 | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R037C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 83.2 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R041CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2 | auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R041CFD7 | Infineon Technologies | IPW65R041CFD7 | auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R041CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R041CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 211 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 50A Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R041CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: 650V FET COOLMOS TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 24.8A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 68.5A; 500W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 68.5A Power dissipation: 500W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 68.5A; 500W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 68.5A Power dissipation: 500W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 68.5A TO247-3 CoolMOS CFD2 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 33.1A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 100 V | auf Bestellung 611 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 68.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R041CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | 650V CMOS power transistor | auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW65R045C | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R045C7 | Infineon technologies | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW65R045C7 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R045C7 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7 | auf Bestellung 471 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R045C7 | Infineon Technologies | Description: 46A, 650V, 0.045OHM, N-CHANNEL M Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R045C7300XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R045C7FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R045C7FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7 | auf Bestellung 154 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R045C7FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R045C7FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Power dissipation: 227W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 24.9A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.25mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V | auf Bestellung 2365 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R045C7_300 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R048CFDA | Infineon | auf Bestellung 212880 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW65R048CFDA | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 63.3A TO247-3 | auf Bestellung 269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 63.3A TO247-3 | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 29.4A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.9mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7440 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R048CFDAFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R048CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 63.3 A, 0.043 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFDA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R050CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R050CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | auf Bestellung 1418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R050CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R050CFD7AXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R050CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R050CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R050CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R050CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005433699 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 353 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: 650V FET COOLMOS TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 860µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R060CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R065C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R065C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A Power dissipation: 171W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R065C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A Power dissipation: 171W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R070C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 309 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R070C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 53.5A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.76mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R070C6FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 391W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R070C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 53.5A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R075CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R075CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R075CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 820µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3288 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R075CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | auf Bestellung 1501 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R075CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R080CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2 | auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R080CFD | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R080CFDA | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27.4A; 391W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 27.4A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R080CFDA | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27.4A; 391W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 27.4A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R080CFDA | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3 | auf Bestellung 576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2341 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3 | auf Bestellung 275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 6980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 6960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW65R080CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R080CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 43.3A TO247-3 CoolMOS CFD2 | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R080CFDFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43.3A; 391W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 43.3A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R080CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R080CFDFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43.3A; 391W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 43.3A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R080CFDFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 391W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 2272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R080CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1410 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R080CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R080CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.76mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R080CFDFKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 391W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R080CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R080CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V | auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R080CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R080CFDFKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R090CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R090CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 25 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005413364 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V | auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R090CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R095C7 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO247 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R095C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWERNEW | auf Bestellung 1077 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V | auf Bestellung 1046 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R095C7XKSA1 Produktcode: 201470 | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IPW65R095C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R095C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.084 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 471 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R099C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3 | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 38A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R099CFD7A | Infineon Technologies | IPW65R099CFD7A | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R099CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R099CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | auf Bestellung 115 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R099CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R099CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R099CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1484 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R099CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R099CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 213840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R099CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R099CFD7AXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R099CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 127W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R110CFD | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R110CFD | Infineon technologies | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2 | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R110CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005413366 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R110CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R110CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R110CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R110CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22 A, 0.087 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R110CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R110CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V | auf Bestellung 221 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R110CFDA | Infineon | auf Bestellung 327600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW65R110CFDA | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 31.2A TO247-3 | auf Bestellung 579 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R110CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 9120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R110CFDAFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R110CFDAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, AEC-Q101, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 277.8W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFDA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 977 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R110CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R110CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R110CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 31.2A TO247-3 | auf Bestellung 229 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R110CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R110CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R110CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2 | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R110CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 277.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 277.8W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA1 Produktcode: 196399 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 277.8W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1458 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R110CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Power Dissipation (Max): 277.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 100 V | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R110CFDFKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R115CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R115CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R115CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R115CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 535 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R115CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R115CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R115CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R115CFD7AXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R115CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.103 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.103ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R125C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V Power Dissipation (Max): 101W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V | auf Bestellung 257 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R125CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R125CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005413372 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R145CFD7AXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R145CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.122 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R145CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R145CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R145CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R145CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R150CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 22.4A TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R150CFD Produktcode: 188945 | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||
| IPW65R150CFDA | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R150CFDAFKSA1 Produktcode: 207780 | Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar erwartet 12 Stück: | ||||||||||||||||||
| IPW65R150CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R150CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R150CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 22.4A TO247-3 | auf Bestellung 432 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R150CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R150CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R150CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 700V 22.4A TO247-3 | auf Bestellung 143 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R150CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R150CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R150CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R150CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R150CFDFKSA2 | Infineon Technologies | 650V Power Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R150CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R150CFDFKSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R150CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 195.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V | auf Bestellung 192 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R150CFDFKSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R155CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R155CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R155CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R155CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R155CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.131 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 77W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.131ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R155CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R155CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005413375 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R15OCFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R190C6 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R190C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 730µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R190C6FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 700V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R190C7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R190C7 | Infineon Technologies | Description: IPW65R190 - 650V AND 700V COOLMO Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 5760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 353 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R190C7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPW65R190C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.404 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.404ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R190C7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R190CFD | Infineon | auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||
| IPW65R190CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 CoolMOS CFD2 | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 1068-1072 Tag (e) |
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| IPW65R190CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 150-154 Tag (e) |
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| IPW65R190CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | N-Channel MOSFET Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R190CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R190CFD7AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1291 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R190CFDA | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R190CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R190CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3 | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||
| IPW65R190CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||
| IPW65R190CFDAFKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPW65R190CFDAFKSA1 - IPW65R190 600V-800V N-CHANNEL AUTOMOTIV tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |