IPW65R070C6FKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPW65R070C6FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 391W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPW65R070C6FKSA1 nach Preis ab 6.96 EUR bis 15.32 EUR
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IPW65R070C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW65R070C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW65R070C6FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R070C6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 391W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IPW65R070C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW65R070C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 53.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW65R070C6FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 53.5A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPW65R070C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.76mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V |
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IPW65R070C6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
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IPW65R070C6FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 53.5A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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