IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IPW60R190P6FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 151W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPW60R190P6FKSA1 nach Preis ab 3.35 EUR bis 5.54 EUR
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IPW60R190P6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R190P6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R190P6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µ Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW60R190P6FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R190P6FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.171 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 151W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IPW60R190P6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R190P6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R190P6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPW60R190P6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPW60R190P6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| IPW60R190P6FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW60R190P6FKSA1 THT N channel transistors |
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IPW60R190P6FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs HIGH POWER_LEGACY |
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