IPW65R050CFD7AXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
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| 13+ | 12.26 EUR |
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Technische Details IPW65R050CFD7AXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW65R050CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPW65R050CFD7AXKSA1 nach Preis ab 8.30 EUR bis 12.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IPW65R050CFD7AXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS |
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IPW65R050CFD7AXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24.8A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.24mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4975 pF @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW65R050CFD7AXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R050CFD7AXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 45 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7A SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPW65R050CFD7AXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
N-Channel MOSFET Transistor |
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IPW65R050CFD7AXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPW65R050CFD7AXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 650V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
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