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IPW60R099C7XKSA1

IPW60R099C7XKSA1 Infineon Technologies


180infineon-ipw60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d4c.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IPW60R099C7XKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V.

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IPW60R099C7XKSA1 IPW60R099C7XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies 180infineon-ipw60r099c7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624cb7f111014d4c.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V
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