IPW60R099CPAFKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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| 20+ | 8.26 EUR |
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Technische Details IPW60R099CPAFKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPW60R099CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 255W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: CoolMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IPW60R099CPAFKSA1 nach Preis ab 5.42 EUR bis 15.52 EUR
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IPW60R099CPAFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R099CPAFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R099CPAFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IPW60R099CPAFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS |
auf Bestellung 938 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW60R099CPAFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPW60R099CPAFKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPW60R099CPAFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.09 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPW60R099CPAFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 31A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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