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ohne MwSt
AUIR3241SBOARDB2BTOBO1 AUIR3241SBOARDB2BTOBO1 INFINEON 3166327.pdf Description: INFINEON - AUIR3241SBOARDB2BTOBO1 - Evaluationsboard, AUIR3241S, Power-Management, High-Side-Leistungsschalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: AUIR3241S
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AUIR3241S
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Leistungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AUIR3242SBOARDB2BTOBO1 AUIR3242SBOARDB2BTOBO1 INFINEON 3166327.pdf Description: INFINEON - AUIR3242SBOARDB2BTOBO1 - Evaluationsboard, AUIR3242S, Power-Management, High-Side-Leistungsschalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: AUIR3242S
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AUIR3242S
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Leistungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PROF2BTS70041EPPDBTOBO1 PROF2BTS70041EPPDBTOBO1 INFINEON 3600270.pdf Description: INFINEON - PROF2BTS70041EPPDBTOBO1 - Tochterplatine - intelligenter High-Side-Leistungsschalter, PROFET +2 12V-Hauptplatine
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine, intelligenter High-Side-Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Infineon PROFET +2 12V-Hauptplatine
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
EVALISO1H812GTOBO1 INFINEON INFN-S-A0004150175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - EVALISO1H812GTOBO1 - EVAL.BOARD ISOLIERTER HIGH-SIDE-SCHALTER
Prozessorkern: ISO1H812G
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ISO1H812G
Unterart Anwendung: Isolierter High-Side-Schalter, kernloser Transformator
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
EVALISO1H816GTOBO1 INFINEON AN-Eval+2x8-ISO1H816G-V11.pdf?fileId=db3a304326dfb13001271ed7907d4e8d Description: INFINEON - EVALISO1H816GTOBO1 - EVAL.BOARD ISOLIERTER HIGH-SIDE-SCHALTER
Prozessorkern: ISO1H816G
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ISO1H816G
Unterart Anwendung: Isolierter High-Side-Schalter, kernloser Transformator
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SHIELDBTS70041EPZTOBO1 SHIELDBTS70041EPZTOBO1 INFINEON Infineon-PROFET_2_12V_Grade0-ProductBrief-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701715a7bfa906379 Description: INFINEON - SHIELDBTS70041EPZTOBO1 - Evaluationsboard, Power-Management, BTS7004-1EPZ, High-Side-Leistungsschalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTS7004-1EPZ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTS7004-1EPZ
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Leistungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
EVALISO1H815GTOBO1 INFINEON INFN-S-A0004150244-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - EVALISO1H815GTOBO1 - EVAL.BOARD ISOLIERTER HIGH-SIDE-SCHALTER
tariffCode: 85423990
Prozessorkern: ISO1H815G
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ISO1H815G
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter High-Side-Schalter, kernloser Transformator
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
PROF2BTS70081EPPDBTOBO1 PROF2BTS70081EPPDBTOBO1 INFINEON 3600270.pdf Description: INFINEON - PROF2BTS70081EPPDBTOBO1 - Tochterplatine - intelligenter High-Side-Leistungsschalter, PROFET +2 12V-Hauptplatine
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine, intelligenter High-Side-Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Infineon PROFET +2 12V-Hauptplatine
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BTS70081EPADAUGHBRDTOBO1 BTS70081EPADAUGHBRDTOBO1 INFINEON Infineon-Customer_evaluation_kit%20_description-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bac9ebb6b24c7 Description: INFINEON - BTS70081EPADAUGHBRDTOBO1 - Evaluationsboard, Power-Management, BTS7008-1EPA, High-Side-Leistungsschalter
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine - Lastschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: PROFET+2 12V-Hauptplatine PROFETPLUS2MOTHBRDTOBO1
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SHIELDBTS500251TEATOBO1 SHIELDBTS500251TEATOBO1 INFINEON Infineon-BTS50025-1TEA_Demo_Board_Arduino_Shield-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171e9891a723e7f Description: INFINEON - SHIELDBTS500251TEATOBO1 - Abschirmung, High-Side-Schalter, Arduino
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLR7807ZTRPBF IRLR7807ZTRPBF INFINEON 107855.pdf Description: INFINEON - IRLR7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 43
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRLR7807ZTRPBF IRLR7807ZTRPBF INFINEON 107855.pdf Description: INFINEON - IRLR7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 40
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IGP15N60TXKSA1 IGP15N60TXKSA1 INFINEON INFN-S-A0001300628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGP15N60TXKSA1 - IGBT, 26 A, 1.5 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 26A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP200N15N3GXKSA1 IPP200N15N3GXKSA1 INFINEON IPD200N15N3_Rev2.02.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be Description: INFINEON - IPP200N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP65R125C7XKSA1 IPP65R125C7XKSA1 INFINEON 1812585.pdf Description: INFINEON - IPP65R125C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPS7071GTRPBF IPS7071GTRPBF INFINEON 44087.pdf Description: INFINEON - IPS7071GTRPBF - Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 5A, 0.11 Ohm, SOIC-8
Durchlasswiderstand: 0.11
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 5
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IPS7071GTRPBF IPS7071GTRPBF INFINEON 44087.pdf Description: INFINEON - IPS7071GTRPBF - Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 5A, 0.11 Ohm, SOIC-8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
AUIPS6041GTR AUIPS6041GTR INFINEON IRSDS12248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIPS6041GTR - IC, Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5Vin, 7A, 0.11 Ohm, SOIC-8
Durchlasswiderstand: 0.11
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
AUIPS6041GTR AUIPS6041GTR INFINEON IRSDS12248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIPS6041GTR - IC, Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5Vin, 7A, 0.11 Ohm, SOIC-8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
CY62146ESL-45ZSXI CY62146ESL-45ZSXI INFINEON 2330456.pdf Description: INFINEON - CY62146ESL-45ZSXI - SRAM, MoBL®, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BTS70082EPADAUGHBRDTOBO1 BTS70082EPADAUGHBRDTOBO1 INFINEON Infineon-Customer_evaluation_kit%20_description-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bac9ebb6b24c7 Description: INFINEON - BTS70082EPADAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine, Lastschalter, PROFET+2 12V-Hauptplatine
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine - Lastschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: PROFET+2 12V-Hauptplatine PROFETPLUS2MOTHBRDTOBO1
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BTS700121ESPEVALBRDTOBO1 BTS700121ESPEVALBRDTOBO1 INFINEON 3625760.pdf Description: INFINEON - BTS700121ESPEVALBRDTOBO1 - Evaluationsboard, BTS70012-1ESP, Power-Management, Lastschalter, High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTS70012-1ESP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTS70012-1ESP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPAW60R380CEXKSA1 IPAW60R380CEXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002272464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPAW60R380CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
S25FL128SAGNFI013 S25FL128SAGNFI013 INFINEON 2864249.pdf Description: INFINEON - S25FL128SAGNFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
S25FL128SAGNFI013 S25FL128SAGNFI013 INFINEON 2864249.pdf Description: INFINEON - S25FL128SAGNFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
Bauform - Speicherbaustein: WSON
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ROTATEKNOBANGLE2GOTOBO1 ROTATEKNOBANGLE2GOTOBO1 INFINEON 3626605.pdf Description: INFINEON - ROTATEKNOBANGLE2GOTOBO1 - Drehknopf, Tlx5012 magnetische Winkelsensoren 2GO-Kits
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Drehknopf
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Winkelsensoren, magnetisch, Tlx5012, 2GO-Kits
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL40SC228 IRL40SC228 INFINEON INFN-S-A0003258229-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCR602XTSA1 BCR602XTSA1 INFINEON 2787973.pdf Description: INFINEON - BCR602XTSA1 - LED-Treiber, linear, dimmbar, 1 Ausgang, 8V-60Vin, 10mA Gate, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 60V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 8V
Topologie: Linear
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Isoliert
Betriebstemperatur, max.: 160°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRS2334SPBF IRS2334SPBF INFINEON 1497827.pdf Description: INFINEON - IRS2334SPBF - MOSFET-Treiber, 3-Phasen-Brücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 530ns Verzögerung, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Drehstrombrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 530ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRS23364DSPBF IRS23364DSPBF INFINEON 2331976.pdf Description: INFINEON - IRS23364DSPBF - Treiber-IC, 3-Phasen-Brücke, 11.5V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 530ns Verzögerung, SOIC-28
Sinkstrom: 350
Treiberkonfiguration: Drehstrombrücke
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 6
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 11.5
Quellstrom: 200
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 530
Ausgabeverzögerung: 530
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0033 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
auf Bestellung 4111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP60R380E6XKSA1 IPP60R380E6XKSA1 INFINEON 2255623.pdf Description: INFINEON - IPP60R380E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD50R399CP IPD50R399CP INFINEON 1926940.pdf Description: INFINEON - IPD50R399CP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IPD50R399CP IPD50R399CP INFINEON 1926940.pdf Description: INFINEON - IPD50R399CP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 83
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRF7811AVTRPBF IRF7811AVTRPBF INFINEON 107877.pdf description Description: INFINEON - IRF7811AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRFH8303TRPBF IRFH8303TRPBF INFINEON 2333714.pdf Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PVI1050NS-TPBF PVI1050NS-TPBF INFINEON IRSDS10210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - PVI1050NS-TPBF - Optokoppler, 2 Kanäle, SMD, 8 Pin(s), 2.5 kV, PVI
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SMD
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PVI
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
S25FL064LABNFI011 S25FL064LABNFI011 INFINEON 2785310.pdf Description: INFINEON - S25FL064LABNFI011 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
S25FL064LABNFI040 S25FL064LABNFI040 INFINEON 2309630.pdf Description: INFINEON - S25FL064LABNFI040 - Flash-Speicher, Floating-Gate-Architektur, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, SPI, USON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: USON
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002837998-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGW30N60TPXKSA1 - IGBT, 53 A, 1.6 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 53A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON 2332237.pdf Description: INFINEON - IGW30N60TFKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 187
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05
Kollektorstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
IRF9321TRPBF IRF9321TRPBF INFINEON 3739373.pdf Description: INFINEON - IRF9321TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 36545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 INFINEON INFN-S-A0001299891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
S25FL256SDPNFB000 S25FL256SDPNFB000 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL256SDPNFB000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
S25FL256SAGBHV200 S25FL256SAGBHV200 INFINEON Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Description: INFINEON - S25FL256SAGBHV200 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7452TRPBF IRF7452TRPBF INFINEON 137917.pdf Description: INFINEON - IRF7452TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRF7452TRPBF IRF7452TRPBF INFINEON 137917.pdf Description: INFINEON - IRF7452TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON IRSD-S-A0000576918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF100S201 IRF100S201 INFINEON INFN-S-A0012813337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
EVAL1ED44176N01FTOBO1 EVAL1ED44176N01FTOBO1 INFINEON Infineon-Low-side_driver-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01655c2d8358778a Description: INFINEON - EVAL1ED44176N01FTOBO1 - Evaluationsboard, 1ED44176N01F, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1ED44176N01F
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED44176N01F
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
CY15B108QN-40SXI CY15B108QN-40SXI INFINEON 2843378.pdf Description: INFINEON - CY15B108QN-40SXI - FRAM, 8MB, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Taktfrequenz, max.: 40MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP042N03LGXKSA1 IPP042N03LGXKSA1 INFINEON INFNS16316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 INFINEON Infineon-IPP_B052N06L3-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a32d97c125b6 Description: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP086N10N3GXKSA1 IPP086N10N3GXKSA1 INFINEON IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 Description: INFINEON - IPP086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0074 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON INFNS17005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 INFINEON Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012393bed2d20405 Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP028N08N3GXKSA1 IPP028N08N3GXKSA1 INFINEON INFNS17001-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1 INFINEON IPP040N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942 Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP051N15N5AKSA1 IPP051N15N5AKSA1 INFINEON INFN-S-A0002484814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP051N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
AUIR3241SBOARDB2BTOBO1 3166327.pdf
AUIR3241SBOARDB2BTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIR3241SBOARDB2BTOBO1 - Evaluationsboard, AUIR3241S, Power-Management, High-Side-Leistungsschalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: AUIR3241S
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AUIR3241S
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Leistungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AUIR3242SBOARDB2BTOBO1 3166327.pdf
AUIR3242SBOARDB2BTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIR3242SBOARDB2BTOBO1 - Evaluationsboard, AUIR3242S, Power-Management, High-Side-Leistungsschalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: AUIR3242S
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard AUIR3242S
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Leistungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PROF2BTS70041EPPDBTOBO1 3600270.pdf
PROF2BTS70041EPPDBTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - PROF2BTS70041EPPDBTOBO1 - Tochterplatine - intelligenter High-Side-Leistungsschalter, PROFET +2 12V-Hauptplatine
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine, intelligenter High-Side-Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Infineon PROFET +2 12V-Hauptplatine
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
EVALISO1H812GTOBO1 INFN-S-A0004150175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVALISO1H812GTOBO1 - EVAL.BOARD ISOLIERTER HIGH-SIDE-SCHALTER
Prozessorkern: ISO1H812G
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ISO1H812G
Unterart Anwendung: Isolierter High-Side-Schalter, kernloser Transformator
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
EVALISO1H816GTOBO1 AN-Eval+2x8-ISO1H816G-V11.pdf?fileId=db3a304326dfb13001271ed7907d4e8d
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVALISO1H816GTOBO1 - EVAL.BOARD ISOLIERTER HIGH-SIDE-SCHALTER
Prozessorkern: ISO1H816G
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ISO1H816G
Unterart Anwendung: Isolierter High-Side-Schalter, kernloser Transformator
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SHIELDBTS70041EPZTOBO1 Infineon-PROFET_2_12V_Grade0-ProductBrief-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701715a7bfa906379
SHIELDBTS70041EPZTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SHIELDBTS70041EPZTOBO1 - Evaluationsboard, Power-Management, BTS7004-1EPZ, High-Side-Leistungsschalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTS7004-1EPZ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTS7004-1EPZ
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Leistungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
EVALISO1H815GTOBO1 INFN-S-A0004150244-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVALISO1H815GTOBO1 - EVAL.BOARD ISOLIERTER HIGH-SIDE-SCHALTER
tariffCode: 85423990
Prozessorkern: ISO1H815G
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ISO1H815G
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Isolierter High-Side-Schalter, kernloser Transformator
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
PROF2BTS70081EPPDBTOBO1 3600270.pdf
PROF2BTS70081EPPDBTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - PROF2BTS70081EPPDBTOBO1 - Tochterplatine - intelligenter High-Side-Leistungsschalter, PROFET +2 12V-Hauptplatine
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine, intelligenter High-Side-Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Infineon PROFET +2 12V-Hauptplatine
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BTS70081EPADAUGHBRDTOBO1 Infineon-Customer_evaluation_kit%20_description-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bac9ebb6b24c7
BTS70081EPADAUGHBRDTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70081EPADAUGHBRDTOBO1 - Evaluationsboard, Power-Management, BTS7008-1EPA, High-Side-Leistungsschalter
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine - Lastschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: PROFET+2 12V-Hauptplatine PROFETPLUS2MOTHBRDTOBO1
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SHIELDBTS500251TEATOBO1 Infineon-BTS50025-1TEA_Demo_Board_Arduino_Shield-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171e9891a723e7f
SHIELDBTS500251TEATOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - SHIELDBTS500251TEATOBO1 - Abschirmung, High-Side-Schalter, Arduino
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLR7807ZTRPBF 107855.pdf
IRLR7807ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 43
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRLR7807ZTRPBF 107855.pdf
IRLR7807ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.011 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 40
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IGP15N60TXKSA1 INFN-S-A0001300628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGP15N60TXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGP15N60TXKSA1 - IGBT, 26 A, 1.5 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 26A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP200N15N3GXKSA1 IPD200N15N3_Rev2.02.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be
IPP200N15N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP200N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP65R125C7XKSA1 1812585.pdf
IPP65R125C7XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP65R125C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPS7071GTRPBF 44087.pdf
IPS7071GTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPS7071GTRPBF - Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 5A, 0.11 Ohm, SOIC-8
Durchlasswiderstand: 0.11
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 5
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IPS7071GTRPBF 44087.pdf
IPS7071GTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPS7071GTRPBF - Leistungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 5A, 0.11 Ohm, SOIC-8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
AUIPS6041GTR IRSDS12248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIPS6041GTR
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIPS6041GTR - IC, Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5Vin, 7A, 0.11 Ohm, SOIC-8
Durchlasswiderstand: 0.11
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
AUIPS6041GTR IRSDS12248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
AUIPS6041GTR
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - AUIPS6041GTR - IC, Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5Vin, 7A, 0.11 Ohm, SOIC-8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
CY62146ESL-45ZSXI 2330456.pdf
CY62146ESL-45ZSXI
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY62146ESL-45ZSXI - SRAM, MoBL®, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BTS70082EPADAUGHBRDTOBO1 Infineon-Customer_evaluation_kit%20_description-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bac9ebb6b24c7
BTS70082EPADAUGHBRDTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70082EPADAUGHBRDTOBO1 - Tochterplatine, Lastschalter, PROFET+2 12V-Hauptplatine
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Tochterplatine - Lastschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: PROFET+2 12V-Hauptplatine PROFETPLUS2MOTHBRDTOBO1
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BTS700121ESPEVALBRDTOBO1 3625760.pdf
BTS700121ESPEVALBRDTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS700121ESPEVALBRDTOBO1 - Evaluationsboard, BTS70012-1ESP, Power-Management, Lastschalter, High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTS70012-1ESP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTS70012-1ESP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRFR825TRPBF INFN-S-A0012838739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR825TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPAW60R380CEXKSA1 INFN-S-A0002272464-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPAW60R380CEXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPAW60R380CEXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.34 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
S25FL128SAGNFI013 2864249.pdf
S25FL128SAGNFI013
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGNFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
S25FL128SAGNFI013 2864249.pdf
S25FL128SAGNFI013
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGNFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
Bauform - Speicherbaustein: WSON
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
Speichergröße: 128Mbit
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ROTATEKNOBANGLE2GOTOBO1 3626605.pdf
ROTATEKNOBANGLE2GOTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ROTATEKNOBANGLE2GOTOBO1 - Drehknopf, Tlx5012 magnetische Winkelsensoren 2GO-Kits
tariffCode: 84733020
Art des Zubehörs: Drehknopf
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Winkelsensoren, magnetisch, Tlx5012, 2GO-Kits
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL40SC228 INFN-S-A0003258229-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL40SC228
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40SC228 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 360 A, 500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BCR602XTSA1 2787973.pdf
BCR602XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BCR602XTSA1 - LED-Treiber, linear, dimmbar, 1 Ausgang, 8V-60Vin, 10mA Gate, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 60V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 8V
Topologie: Linear
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Isoliert
Betriebstemperatur, max.: 160°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRS2334SPBF 1497827.pdf
IRS2334SPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS2334SPBF - MOSFET-Treiber, 3-Phasen-Brücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 530ns Verzögerung, WSOIC-20
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Drehstrombrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 6Channels
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 530ns
Ausgabeverzögerung: 530ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRS23364DSPBF 2331976.pdf
IRS23364DSPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRS23364DSPBF - Treiber-IC, 3-Phasen-Brücke, 11.5V-20V Versorgungsspannung, 350mAout, 530ns Verzögerung, SOIC-28
Sinkstrom: 350
Treiberkonfiguration: Drehstrombrücke
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 6
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 11.5
Quellstrom: 200
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 20
Eingabeverzögerung: 530
Ausgabeverzögerung: 530
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
IRFH8324TRPBF INFN-S-A0012813227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8324TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0033 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
auf Bestellung 4111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP60R380E6XKSA1 2255623.pdf
IPP60R380E6XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP60R380E6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPD50R399CP 1926940.pdf
IPD50R399CP
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R399CP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IPD50R399CP 1926940.pdf
IPD50R399CP
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R399CP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 83
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRF7811AVTRPBF description 107877.pdf
IRF7811AVTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7811AVTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 10.8
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRFH8303TRPBF 2333714.pdf
IRFH8303TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PVI1050NS-TPBF IRSDS10210-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PVI1050NS-TPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - PVI1050NS-TPBF - Optokoppler, 2 Kanäle, SMD, 8 Pin(s), 2.5 kV, PVI
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Bauform - Optokoppler: SMD
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PVI
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 248 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
S25FL064LABNFI011 2785310.pdf
S25FL064LABNFI011
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABNFI011 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
S25FL064LABNFI040 2309630.pdf
S25FL064LABNFI040
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABNFI040 - Flash-Speicher, Floating-Gate-Architektur, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, SPI, USON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: USON
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGW30N60TPXKSA1 INFN-S-A0002837998-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGW30N60TPXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGW30N60TPXKSA1 - IGBT, 53 A, 1.6 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 53A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IGW30N60TFKSA1 2332237.pdf
IGW30N60TFKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IGW30N60TFKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 187
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05
Kollektorstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
IRF9321TRPBF 3739373.pdf
IRF9321TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9321TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 36545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPA80R1K0CEXKSA2 INFN-S-A0001299891-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA80R1K0CEXKSA2
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPA80R1K0CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.7 A, 0.83 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.83ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
S25FL256SDPNFB000 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL256SDPNFB000
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SDPNFB000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 66MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
S25FL256SAGBHV200 Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
S25FL256SAGBHV200
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGBHV200 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, BGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF7452TRPBF 137917.pdf
IRF7452TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7452TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRF7452TRPBF 137917.pdf
IRF7452TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7452TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.06 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
IRF100B201 IRSD-S-A0000576918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF100B201
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF100S201 INFN-S-A0012813337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF100S201
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF100S201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
EVAL1ED44176N01FTOBO1 Infineon-Low-side_driver-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01655c2d8358778a
EVAL1ED44176N01FTOBO1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1ED44176N01FTOBO1 - Evaluationsboard, 1ED44176N01F, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 1ED44176N01F
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1ED44176N01F
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
CY15B108QN-40SXI 2843378.pdf
CY15B108QN-40SXI
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B108QN-40SXI - FRAM, 8MB, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Taktfrequenz, max.: 40MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP042N03LGXKSA1 INFNS16316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP042N03LGXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP042N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3739 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP052N06L3GXKSA1 Infineon-IPP_B052N06L3-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a32d97c125b6
IPP052N06L3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP086N10N3GXKSA1 IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
IPP086N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0074 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP040N06N3GXKSA1 INFNS17005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP040N06N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP040N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0033 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP072N10N3GXKSA1 Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012393bed2d20405
IPP072N10N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP072N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP028N08N3GXKSA1 INFNS17001-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP028N08N3GXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942
IPP040N06NAKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP040N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPP051N15N5AKSA1 INFN-S-A0002484814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP051N15N5AKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPP051N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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