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IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPP040N06N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 188W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V.
Weitere Produktangebote IPP040N06N3GXKSA1 nach Preis ab 1.15 EUR bis 7.28 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Power dissipation: 188W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 90A Power dissipation: 188W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 569 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon | Транзистор польовий OptiMOS N-HEXFET TO220AB Udss=60В; Id=90A; Pdmax=188W; Rds=0,0037 Ohm; Ugs=+-20В; -55C...+175C |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP040N06N3GXKSA1 транзистор Produktcode: 202066 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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IPP040N06N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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