IRF100B201 INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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17+ | 4.25 EUR |
31+ | 2.32 EUR |
33+ | 2.19 EUR |
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Technische Details IRF100B201 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 192A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 441W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF100B201 nach Preis ab 1.75 EUR bis 7.94 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF100B201 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 136A Pulsed drain current: 690A Power dissipation: 441W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 255nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg |
auf Bestellung 1560 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 115A, 10V Power Dissipation (Max): 441W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V |
auf Bestellung 2197 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 10872 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 2202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100B201 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF100B201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF100B201 Produktcode: 172773 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF100B201 | Hersteller : UMW |
Description: MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB Packaging: Tube |
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