| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRGB20B60PD1PBF | INFINEON |
  Description: INFINEON - IRGB20B60PD1PBF - IGBT, 40 A, 2.35 V, 215 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35 Verlustleistung: 215 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektorstrom: 40 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
IPI076N15N5AKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPI076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 112A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
FP25R12W1T7B11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FP25R12W1T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.6 V, 175 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: 23 Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 25 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
CY8C4147AZI-S455 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4147AZI-S455 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: - Programmspeichergröße: 128KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 4 RAM-Speichergröße: 16KB MCU-Baureihe: CY8C41xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 54I/O(s) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
CY8C4127AZI-S455 | INFINEON |
Description: INFINEON - CY8C4127AZI-S455 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24 MHz, 128 KB tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: - Programmspeichergröße: 128KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 24MHz euEccn: NLR MCU-Familie: PSoC 4 RAM-Speichergröße: 16KB MCU-Baureihe: CY8C41xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 54I/O(s) Anzahl der Pins: 64Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
IHW40N135R5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IHW40N135R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 394W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A |
auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
IHW40N135R3FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IHW40N135R3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 429 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35 Verlustleistung: 429 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 Kollektorstrom: 80 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: TRENCHSTOP™ SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
FS820R08A6P2BBPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS820R08A6P2BBPSA1 - IGBT-Modul, AEC-Q101, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.1 V, 714 W, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT EDT2 Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V Dauer-Kollektorstrom: 450A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.1V Verlustleistung Pd: 714W euEccn: NLR Verlustleistung: 714W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V Produktpalette: HybridPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 450A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
FS820R08A6P2BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS820R08A6P2BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 820 A, 1.3 V, 714 W, 150 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT EDT2 Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.3 Verlustleistung Pd: 714 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750 Produktpalette: HybridPACK IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] DC-Kollektorstrom: 820 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
FF1800R12IE5PBPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1800R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.7 V, 175 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: PrimePACK 3+B IGBT-Konfiguration: Zweifach DC-Kollektorstrom: 1.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
FF1800R12IE5BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1800R12IE5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.7 V, 175 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: PrimePACK 3+ IGBT-Konfiguration: Zweifach DC-Kollektorstrom: 1.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
FF1800R17IP5PBPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1800R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.8 kA, 1.75 V, 175 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7 Produktpalette: PrimePACK 3+B IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] DC-Kollektorstrom: 1.8 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
IDH20G65C6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 26.8 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: TO-220 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: CoolSiC 6G 650V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 352 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
BTS5242-2L | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS5242-2L - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 2 Ausgänge, 28V, 40A, SOIC-12 Durchlasswiderstand: 0.019 Überhitzungsschutz: - Strombegrenzung: 40 Betriebstemperatur, min.: -40 Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: High-Side Eingangsspannung: 28 Anzahl der Pins: 12 Produktpalette: - Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC Betriebstemperatur, max.: 150 Anzahl der Ausgänge: 2 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
IRLR8721TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 65 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 65 Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.9 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
IRLR8721TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
IRLR9343TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.093 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 8199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
PVT312LPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - PVT312LPBF - MOSFET-Relais, 250V, 170mA, 15R, SPST-NO tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: PC-Pin hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA Durchlassstrom If: 25mA Isolationsspannung: 4kV Lasttyp: AC/DC euEccn: NLR Lastspannung, max.: 250V Relaismontage: Durchsteckmontage Kontaktform: SPST-NO (1 Form A) Laststrom: 170mA Produktpalette: HEXFET PVT312 productTraceability: Yes-Date/Lot Code I/O-Kapazität: 1pF Bauform MOSFET-Relais: DIP-6 Kontaktkonfiguration: SPST-NO Durchlasswiderstand, max.: 15ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
PVT312LS-TPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - PVT312LS-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 250 V, 170 mA, DIP-6, Oberflächenmontage tariffCode: 85364900 rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Gull-Wing hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA Durchlassstrom If: 25mA Isolationsspannung: 4kV Lasttyp: AC/DC euEccn: NLR Lastspannung, max.: 250V Relaismontage: Oberflächenmontage Kontaktform: SPST-NO (1 Form A) Laststrom: 170mA Produktpalette: HEXFET PVT312 productTraceability: Yes-Date/Lot Code I/O-Kapazität: 1pF Bauform MOSFET-Relais: DIP-6 Kontaktkonfiguration: SPST-NO Durchlasswiderstand, max.: 15ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
PVT312LS-TPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - PVT312LS-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 250 V, 170 mA, DIP-6, Oberflächenmontage tariffCode: 85364900 rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Gull-Wing hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA Isolationsspannung: 4kV Lasttyp: AC/DC euEccn: NLR Lastspannung, max.: 250V Relaismontage: Oberflächenmontage Kontaktform: SPST-NO (1 Form A) Laststrom: 170mA Produktpalette: HEXFET PVT312 productTraceability: Yes-Date/Lot Code I/O-Kapazität: 1pF Bauform MOSFET-Relais: DIP-6 Durchlasswiderstand, max.: 15ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
PVT312SPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - PVT312SPBF - MOSFET-Relais, 250V, 190mA, 10R, SPST-NO tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Relaisanschlüsse: Gull-Wing hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 2µA Durchlassstrom If: 25mA Isolationsspannung: 4kV Lasttyp: AC/DC euEccn: NLR Lastspannung, max.: 250V Relaismontage: Oberflächenmontage Kontaktform: SPST-NO (1 Form A) Laststrom: 190mA Produktpalette: HEXFET PVT312 productTraceability: Yes-Date/Lot Code I/O-Kapazität: 1pF Bauform MOSFET-Relais: DIP-6 Kontaktkonfiguration: SPST-NO Durchlasswiderstand, max.: 10ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 553 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| CY7C1380KV33-167AXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY7C1380KV33-167AXI - SRAM, Pipelined-SRAM, 18 Mbit, 512K x 36 Bit, TQFP, 100 Pin(s), 3.135 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TQFP Speicherdichte: 18Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 167MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.135V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 100Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Pipelined-SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 36 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
 |
CYUSB3014-BZXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CYUSB3014-BZXI - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 3.0, 1.7 V, 3.6 V, BGA, 121 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES USB-Version: USB 3.0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: BGA MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.3 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V Anzahl der Anschlüsse: - euEccn: NLR USB-IC: USB-Peripherie-Controller Anzahl der Pins: 121Pins Übertragungsrate: 320Mbps Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 191 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
CYUSB3014-BZXC | INFINEON |
Description: INFINEON - CYUSB3014-BZXC - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 3.0, 1.15 V, 1.25 V, BGA, 121 Pin(s) tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES USB-Version: USB 3.0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: BGA MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.a.2 Betriebstemperatur, min.: - Versorgungsspannung, min.: 1.15V Anzahl der Anschlüsse: - euEccn: NLR USB-IC: USB-Peripherie-Controller Anzahl der Pins: 121Pins Übertragungsrate: 5Gbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 1.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 849 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
IRLS3034TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 819 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
FF1200R12IE5PBPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1200R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: PrimePACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal DC-Kollektorstrom: 1.2kA Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
FF1200R17IP5BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1200R17IP5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75 Verlustleistung Pd: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7 Produktpalette: PrimePACK 2 IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] DC-Kollektorstrom: 1.2 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
FF1200R17IP5PBPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1200R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module tariffCode: 85415000 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: PrimePACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 1.2kA Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
FF1200R12IE5BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF1200R12IE5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85415000 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: PrimePACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 1.2kA Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
S25FL128SAGBHIA00 | INFINEON |
Description: INFINEON - S25FL128SAGBHIA00 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, BGA tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Serial-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 128Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: -ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 316 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
CY62128ELL-45SXIT | INFINEON |
Description: INFINEON - CY62128ELL-45SXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 4.5 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
CY62128ELL-45ZXIT | INFINEON |
Description: INFINEON - CY62128ELL-45ZXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 4.5 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1097 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
CY62128ELL-45SXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CY62128ELL-45SXI - IC SRAM 1MB, 128K x 8 Bit, 45ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 4.5V-5.5V Versorgung, SOIC-32 tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 5V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 387 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
IRFR3910TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 3179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
BSD316SNH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 23290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
BSD316SNH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 23290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
KITAURIXTC234TFTTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KITAURIXTC234TFTTOBO1 - ANWENDUNGSKIT, TRICORE-TFT-ANZEIGE tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Embedded rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: AURIX-Anwendungsboard TC234TFT, Kurzanleitung Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Prozessorserie: - Unterart Anwendung: LCD-Anzeige usEccn: 3A991.a.2 Prozessorfamilie: AURIX euEccn: NLR Prozessorkern: TC234TFT Produktpalette: - productTraceability: No Prozessorarchitektur: TriCore SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
EVAL1EDC20H12AHSICTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVAL1EDC20H12AHSICTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDC20H12AH/IMZ120R045M1, isolierter Gate-Treiber Prozessorkern: 1EDC20H12AH, IMZ120R045M1 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDC20H12AH/IMZ120R045M1 Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber Produktpalette: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
IRF60R217 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF60R217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 58 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 58 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 83 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3.7 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
IRF60R217 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF60R217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 58 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
ESD5V5U5ULCE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ESD5V5U5ULCE6327HTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 9 V, SC-74, 6 Pin(s), 5.5 V tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SC-74 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 9V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2057 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 25 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 V tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-79 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 17545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, TSFP, 3 Pin(s), 5.3 V, ESD5V3U2U tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TSFP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5.3V Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: ESD5V3U2U productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 9456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 25 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 V tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-79 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: - productTraceability: No SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 17545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, TSFP, 3 Pin(s), 5.3 V, ESD5V3U2U tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TSFP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5.3V Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: ESD5V3U2U productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 9456 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
IRFL4315TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL4315TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.6 A, 0.185 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4624 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
IRFL4315TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL4315TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.6 A, 0.185 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4624 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
BFR193FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 4959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
IRFH7084TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9097 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
IRFH7084TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9097 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
IR2121PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2121PBF - Leistungstreiber, Low-Side, 12V-18V Versorgungsspannung, 3.3Aout, 200ns Verzögerung, DIP-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DIP Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 7V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 23V Eingabeverzögerung: 150ns Ausgabeverzögerung: 200ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 16421 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
IR2128SPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2128SPBF - MOSFET-Treiber-IC, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 150ns, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 500mA Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 10V Quellstrom: 250mA euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 200ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
BFR182E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR182E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 35mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
BFR182E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR182E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 35mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
BFR183E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR183E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 65mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
BFR183E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR183E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 65mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
IKP15N65F5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKP15N65F5XKSA1 - IGBT, 15 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
IRF7351TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
IRF7351TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 6282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
BB545E7904HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BB545E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 2.2 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins Kapazität: 2.2 Durchlassstrom, max.: 20 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: SOD-323 Sperrspannung: 30 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: BB545 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
| IRGB20B60PD1PBF | |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRGB20B60PD1PBF - IGBT, 40 A, 2.35 V, 215 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35
Verlustleistung: 215
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektorstrom: 40
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRGB20B60PD1PBF - IGBT, 40 A, 2.35 V, 215 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35
Verlustleistung: 215
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektorstrom: 40
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
| IPI076N15N5AKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IPI076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPI076N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 112 A, 0.0059 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FP25R12W1T7B11BPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FP25R12W1T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.6 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 23
Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FP25R12W1T7B11BPSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 25 A, 1.6 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 23
Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| CY8C4147AZI-S455 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4147AZI-S455 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 54I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - CY8C4147AZI-S455 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 54I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| CY8C4127AZI-S455 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4127AZI-S455 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 54I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - CY8C4127AZI-S455 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: CY8C41xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 54I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C41xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IHW40N135R5XKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IHW40N135R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
Description: INFINEON - IHW40N135R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IHW40N135R3FKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IHW40N135R3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 429 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35
Verlustleistung: 429
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IHW40N135R3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 429 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35
Verlustleistung: 429
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
| FS820R08A6P2BBPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS820R08A6P2BBPSA1 - IGBT-Modul, AEC-Q101, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.1 V, 714 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT2
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.1V
Verlustleistung Pd: 714W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V
Produktpalette: HybridPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - FS820R08A6P2BBPSA1 - IGBT-Modul, AEC-Q101, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.1 V, 714 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT2
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.1V
Verlustleistung Pd: 714W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V
Produktpalette: HybridPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FS820R08A6P2BPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FS820R08A6P2BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 820 A, 1.3 V, 714 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT EDT2
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.3
Verlustleistung Pd: 714
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750
Produktpalette: HybridPACK
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
DC-Kollektorstrom: 820
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FS820R08A6P2BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 820 A, 1.3 V, 714 W, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT EDT2
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.3
Verlustleistung Pd: 714
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750
Produktpalette: HybridPACK
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
DC-Kollektorstrom: 820
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| FF1800R12IE5PBPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF1800R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.7 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: PrimePACK 3+B
IGBT-Konfiguration: Zweifach
DC-Kollektorstrom: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FF1800R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.7 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: PrimePACK 3+B
IGBT-Konfiguration: Zweifach
DC-Kollektorstrom: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FF1800R12IE5BPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF1800R12IE5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.7 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: PrimePACK 3+
IGBT-Konfiguration: Zweifach
DC-Kollektorstrom: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FF1800R12IE5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.8 kA, 1.7 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: PrimePACK 3+
IGBT-Konfiguration: Zweifach
DC-Kollektorstrom: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FF1800R17IP5PBPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF1800R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.8 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: PrimePACK 3+B
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FF1800R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.8 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: PrimePACK 3+B
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom: 1.8
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IDH20G65C6XKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 26.8
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IDH20G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 41 A, 26.8 nC, TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 26.8
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 41
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-220
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BTS5242-2L | |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BTS5242-2L - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 2 Ausgänge, 28V, 40A, SOIC-12
Durchlasswiderstand: 0.019
Überhitzungsschutz: -
Strombegrenzung: 40
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 28
Anzahl der Pins: 12
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 2
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BTS5242-2L - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 2 Ausgänge, 28V, 40A, SOIC-12
Durchlasswiderstand: 0.019
Überhitzungsschutz: -
Strombegrenzung: 40
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 28
Anzahl der Pins: 12
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 2
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
| IRLR8721TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
| IRLR8721TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR8721TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
| IRLR9343TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.093 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.093 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| PVT312LPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - PVT312LPBF - MOSFET-Relais, 250V, 170mA, 15R, SPST-NO
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 250V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 170mA
Produktpalette: HEXFET PVT312
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - PVT312LPBF - MOSFET-Relais, 250V, 170mA, 15R, SPST-NO
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 250V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 170mA
Produktpalette: HEXFET PVT312
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| PVT312LS-TPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - PVT312LS-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 250 V, 170 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 250V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 170mA
Produktpalette: HEXFET PVT312
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - PVT312LS-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 250 V, 170 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 250V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 170mA
Produktpalette: HEXFET PVT312
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| PVT312LS-TPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - PVT312LS-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 250 V, 170 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 250V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 170mA
Produktpalette: HEXFET PVT312
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - PVT312LS-TPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 250 V, 170 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 250V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 170mA
Produktpalette: HEXFET PVT312
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| PVT312SPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - PVT312SPBF - MOSFET-Relais, 250V, 190mA, 10R, SPST-NO
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 2µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 250V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 190mA
Produktpalette: HEXFET PVT312
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - PVT312SPBF - MOSFET-Relais, 250V, 190mA, 10R, SPST-NO
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 2µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 250V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 190mA
Produktpalette: HEXFET PVT312
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| CY7C1380KV33-167AXI |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1380KV33-167AXI - SRAM, Pipelined-SRAM, 18 Mbit, 512K x 36 Bit, TQFP, 100 Pin(s), 3.135 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Speicherdichte: 18Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 167MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pipelined-SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 36 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - CY7C1380KV33-167AXI - SRAM, Pipelined-SRAM, 18 Mbit, 512K x 36 Bit, TQFP, 100 Pin(s), 3.135 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Speicherdichte: 18Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 167MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 100Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Pipelined-SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 36 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| CYUSB3014-BZXI |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYUSB3014-BZXI - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 3.0, 1.7 V, 3.6 V, BGA, 121 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 3.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 121Pins
Übertragungsrate: 320Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - CYUSB3014-BZXI - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 3.0, 1.7 V, 3.6 V, BGA, 121 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 3.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 121Pins
Übertragungsrate: 320Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| CYUSB3014-BZXC |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CYUSB3014-BZXC - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 3.0, 1.15 V, 1.25 V, BGA, 121 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 3.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 1.15V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 121Pins
Übertragungsrate: 5Gbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - CYUSB3014-BZXC - USB-Schnittstelle, USB-Peripherie-Controller, USB 3.0, 1.15 V, 1.25 V, BGA, 121 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 3.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -
Versorgungsspannung, min.: 1.15V
Anzahl der Anschlüsse: -
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Peripherie-Controller
Anzahl der Pins: 121Pins
Übertragungsrate: 5Gbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IRLS3034TRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLS3034TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FF1200R12IE5PBPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF1200R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - FF1200R12IE5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FF1200R17IP5BPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF1200R17IP5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: PrimePACK 2
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom: 1.2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FF1200R17IP5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75
Verlustleistung Pd: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Produktpalette: PrimePACK 2
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
DC-Kollektorstrom: 1.2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FF1200R17IP5PBPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF1200R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - FF1200R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.2 kA, 1.75 V, 175 °C, Module
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FF1200R12IE5BPSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FF1200R12IE5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - FF1200R12IE5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.2 kA, 1.7 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 1.2kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 1.2kA
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| S25FL128SAGBHIA00 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGBHIA00 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, BGA
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - S25FL128SAGBHIA00 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, SPI, BGA
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 128Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| CY62128ELL-45SXIT |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY62128ELL-45SXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - CY62128ELL-45SXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOIC, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| CY62128ELL-45ZXIT |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY62128ELL-45ZXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - CY62128ELL-45ZXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, TSOP-I, 32 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-I
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| CY62128ELL-45SXI |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - CY62128ELL-45SXI - IC SRAM 1MB, 128K x 8 Bit, 45ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 4.5V-5.5V Versorgung, SOIC-32
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - CY62128ELL-45SXI - IC SRAM 1MB, 128K x 8 Bit, 45ns Zugriffszeit, parallele Schnittstelle, 4.5V-5.5V Versorgung, SOIC-32
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IRFR3910TRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BSD316SNH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 23290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BSD316SNH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 23290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| KITAURIXTC234TFTTOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - KITAURIXTC234TFTTOBO1 - ANWENDUNGSKIT, TRICORE-TFT-ANZEIGE
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Embedded
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: AURIX-Anwendungsboard TC234TFT, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LCD-Anzeige
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorfamilie: AURIX
euEccn: NLR
Prozessorkern: TC234TFT
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: TriCore
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - KITAURIXTC234TFTTOBO1 - ANWENDUNGSKIT, TRICORE-TFT-ANZEIGE
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Embedded
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: AURIX-Anwendungsboard TC234TFT, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LCD-Anzeige
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorfamilie: AURIX
euEccn: NLR
Prozessorkern: TC234TFT
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: TriCore
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| EVAL1EDC20H12AHSICTOBO1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL1EDC20H12AHSICTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDC20H12AH/IMZ120R045M1, isolierter Gate-Treiber
Prozessorkern: 1EDC20H12AH, IMZ120R045M1
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDC20H12AH/IMZ120R045M1
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - EVAL1EDC20H12AHSICTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDC20H12AH/IMZ120R045M1, isolierter Gate-Treiber
Prozessorkern: 1EDC20H12AH, IMZ120R045M1
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 1EDC20H12AH/IMZ120R045M1
Unterart Anwendung: Isolierter Gate-Treiber
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IRF60R217 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60R217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 58 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 58
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.7
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF60R217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 58 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 58
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.7
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| IRF60R217 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60R217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 58 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF60R217 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 58 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| ESD5V5U5ULCE6327HTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD5V5U5ULCE6327HTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 9 V, SC-74, 6 Pin(s), 5.5 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-74
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - ESD5V5U5ULCE6327HTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 9 V, SC-74, 6 Pin(s), 5.5 V
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SC-74
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 25 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 25 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 17545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, TSFP, 3 Pin(s), 5.3 V, ESD5V3U2U
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSFP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.3V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: ESD5V3U2U
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, TSFP, 3 Pin(s), 5.3 V, ESD5V3U2U
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSFP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.3V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: ESD5V3U2U
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 9456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 25 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - ESD5V0L1B02VH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 25 V, SC-79, 2 Pin(s), 5 V
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 17545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, TSFP, 3 Pin(s), 5.3 V, ESD5V3U2U
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSFP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.3V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: ESD5V3U2U
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - ESD5V3U2U03FH6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, TSFP, 3 Pin(s), 5.3 V, ESD5V3U2U
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TSFP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5.3V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: ESD5V3U2U
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 9456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IRFL4315TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL4315TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.6 A, 0.185 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFL4315TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.6 A, 0.185 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IRFL4315TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL4315TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.6 A, 0.185 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFL4315TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.6 A, 0.185 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BFR193FH6327XTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 4959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IRFH7084TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IRFH7084TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFH7084TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 950 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IR2121PBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2121PBF - Leistungstreiber, Low-Side, 12V-18V Versorgungsspannung, 3.3Aout, 200ns Verzögerung, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 23V
Eingabeverzögerung: 150ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IR2121PBF - Leistungstreiber, Low-Side, 12V-18V Versorgungsspannung, 3.3Aout, 200ns Verzögerung, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 23V
Eingabeverzögerung: 150ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 16421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IR2128SPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IR2128SPBF - MOSFET-Treiber-IC, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 150ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10V
Quellstrom: 250mA
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IR2128SPBF - MOSFET-Treiber-IC, High-Side & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 500mAout, 150ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 500mA
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10V
Quellstrom: 250mA
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BFR182E6327HTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR182E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BFR182E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BFR182E6327HTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR182E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BFR182E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 35mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BFR183E6327HTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR183E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 65mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BFR183E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 65mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BFR183E6327HTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BFR183E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 65mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BFR183E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 65mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IKP15N65F5XKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKP15N65F5XKSA1 - IGBT, 15 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IKP15N65F5XKSA1 - IGBT, 15 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 15A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IRF7351TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| IRF7351TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BB545E7904HTSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BB545E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 2.2 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
Kapazität: 2.2
Durchlassstrom, max.: 20
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: SOD-323
Sperrspannung: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BB545
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - BB545E7904HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 2.2 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2 Pins
Kapazität: 2.2
Durchlassstrom, max.: 20
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: SOD-323
Sperrspannung: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BB545
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar