BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 80mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 580mW, Bauform - Transistor: TSFP, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote BFR193FH6327XTSA1 nach Preis ab 0.089 EUR bis 1.8 EUR
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Verfügbarkeit |
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BFR193FH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R |
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BFR193FH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R |
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BFR193FH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R |
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BFR193FH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Active |
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BFR193FH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R |
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BFR193FH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R |
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BFR193FH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Active |
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BFR193FH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
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BFR193FH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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BFR193FH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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BFR193FH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive 3-Pin TSFP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BFR193FH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
Транзистор біполярний ВЧ NPN TSFP-3; Ft = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz; Vceo= 12 V; |
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BFR193FH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R |
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