IRF7351TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF7351TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 8A 17.8mOhm 24nC Dual |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7351TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0137 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF7351TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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