IRF9321TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF9321TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF9321TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF9321TRPBF nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF9321TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF9321TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF9321TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF9321TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF9321TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF9321TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 15A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V |
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IRF9321TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT P-Ch -30V -15A 7.2mOhm |
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IRF9321TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9321TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRF9321TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9321TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0059 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0059ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 36545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9321TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9321TRPBF Produktcode: 173434 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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IRF9321TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 15A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF9321TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -15A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -15A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF9321TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 15A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V |
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IRF9321TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -15A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -15A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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