![IRFR825TRPBF IRFR825TRPBF](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4845/448_TO252-3.jpg)
IRFR825TRPBF Infineon Technologies
![irfr825pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635dbec212a](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 25 V
auf Bestellung 46000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2000+ | 1.57 EUR |
6000+ | 1.51 EUR |
10000+ | 1.46 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFR825TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR825TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6 A, 1.05 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFR825TRPBF nach Preis ab 1.51 EUR bis 3.48 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFR825TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 779 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR825TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1346 pF @ 25 V |
auf Bestellung 46519 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR825TRPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
![]() |
IRFR825TRPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
IRFR825TRPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
![]() |
auf Bestellung 778 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
IRFR825TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
IRFR825TRPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
![]() |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
IRFR825TRPBF Produktcode: 188539 |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRFR825TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
![]() |
IRFR825TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
![]() |
IRFR825TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 119W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6A Power dissipation: 119W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
IRFR825TRPBF | Hersteller : Amphenol |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
![]() |
IRFR825TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 119W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6A Power dissipation: 119W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |