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YJ7N80CI YJ7N80CI YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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YJ7N80CI YJ7N80CI YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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YJA3134KA YJA3134KA Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 1000000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.042 EUR
50000+ 0.04 EUR
100000+ 0.037 EUR
200000+ 0.035 EUR
400000+ 0.032 EUR
1000000+ 0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
YJB150N06BQ YJB150N06BQ YANGJIE TECHNOLOGY YJB150N06BQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 105A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 94W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
YJB150N06BQ YJB150N06BQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.17 EUR
4000+ 1.1 EUR
8000+ 1.04 EUR
16000+ 0.97 EUR
32000+ 0.88 EUR
80000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 800
YJB150N06BQ YJB150N06BQ YANGJIE TECHNOLOGY YJB150N06BQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 105A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 94W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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YJD112010DG1 YJD112010DG1 Yangjie Technology Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+9.35 EUR
12500+ 8.83 EUR
25000+ 8.31 EUR
50000+ 7.79 EUR
100000+ 7.01 EUR
250000+ 6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
YJD120N04A YJD120N04A Yangjie Technology Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.6 EUR
12500+ 0.56 EUR
25000+ 0.53 EUR
50000+ 0.5 EUR
100000+ 0.45 EUR
250000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
YJD15N10A YJD15N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJD15N10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 11395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+0.21 EUR
410+ 0.18 EUR
435+ 0.17 EUR
2500+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 335
YJD15N10A YJD15N10A Yangjie Technology Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.33 EUR
12500+ 0.32 EUR
25000+ 0.3 EUR
50000+ 0.28 EUR
100000+ 0.25 EUR
250000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
YJD15N10A YJD15N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJD15N10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 11395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
335+0.21 EUR
410+ 0.18 EUR
435+ 0.17 EUR
2500+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 335
YJD180N03A YJD180N03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.6 EUR
12500+ 0.56 EUR
25000+ 0.53 EUR
50000+ 0.5 EUR
100000+ 0.45 EUR
250000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
YJD20N06A YJD20N06A Yangjie Technology YJD20N06A.pdf Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.33 EUR
12500+ 0.31 EUR
25000+ 0.29 EUR
50000+ 0.27 EUR
100000+ 0.25 EUR
250000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
YJD20N06A YJD20N06A YANGJIE TECHNOLOGY YJD20N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 7205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
260+0.28 EUR
310+ 0.23 EUR
345+ 0.21 EUR
450+ 0.16 EUR
475+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 260
YJD20N06A YJD20N06A YANGJIE TECHNOLOGY YJD20N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 7205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
260+0.28 EUR
310+ 0.23 EUR
345+ 0.21 EUR
450+ 0.16 EUR
475+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 260
YJD25N15B YJD25N15B YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
YJD25N15B YJD25N15B YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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YJD40N04A YJD40N04A Yangjie Technology Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.25 EUR
12500+ 0.23 EUR
25000+ 0.22 EUR
50000+ 0.21 EUR
100000+ 0.19 EUR
250000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
YJD50N03A YJD50N03A Yangjie Technology Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.32 EUR
12500+ 0.31 EUR
25000+ 0.29 EUR
50000+ 0.27 EUR
100000+ 0.24 EUR
250000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
YJD50N06A YJD50N06A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.43 EUR
12500+ 0.41 EUR
25000+ 0.39 EUR
50000+ 0.36 EUR
100000+ 0.33 EUR
250000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
YJD50N06A YANGJIE TECHNOLOGY YJD50N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
YJD50N06A YANGJIE TECHNOLOGY YJD50N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
YJD60N02A YJD60N02A Yangjie Technology Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.29 EUR
12500+ 0.28 EUR
25000+ 0.26 EUR
50000+ 0.24 EUR
100000+ 0.22 EUR
250000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
YJD60N04A YJD60N04A Yangjie Technology Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.33 EUR
12500+ 0.31 EUR
25000+ 0.29 EUR
50000+ 0.27 EUR
100000+ 0.25 EUR
250000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
YJD60N04A YJD60N04A YANGJIE TECHNOLOGY YJD60N04A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 3795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
305+0.24 EUR
340+ 0.21 EUR
435+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 305
YJD60N04A YJD60N04A YANGJIE TECHNOLOGY YJD60N04A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 3795 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
305+0.24 EUR
340+ 0.21 EUR
435+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 305
YJD80G06A YJD80G06A YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
YJD80G06A YJD80G06A YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
YJD80N03A YJD80N03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.41 EUR
12500+ 0.39 EUR
25000+ 0.37 EUR
50000+ 0.34 EUR
100000+ 0.31 EUR
250000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
YJD80N03B YJD80N03B Yangjie Technology Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.29 EUR
12500+ 0.28 EUR
25000+ 0.26 EUR
50000+ 0.24 EUR
100000+ 0.22 EUR
250000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
YJD90N06A YJD90N06A Yangjie Technology Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.57 EUR
12500+ 0.54 EUR
25000+ 0.51 EUR
50000+ 0.48 EUR
100000+ 0.43 EUR
250000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
YJG100N04A YJG100N04A Yangjie Technology Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.5 EUR
25000+ 0.47 EUR
50000+ 0.45 EUR
100000+ 0.42 EUR
200000+ 0.37 EUR
500000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
YJG105N03A YJG105N03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.41 EUR
25000+ 0.39 EUR
50000+ 0.37 EUR
100000+ 0.34 EUR
200000+ 0.31 EUR
500000+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
YJG150N03A YJG150N03A Yangjie Technology Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.52 EUR
25000+ 0.49 EUR
50000+ 0.46 EUR
100000+ 0.43 EUR
200000+ 0.39 EUR
500000+ 0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
YJG15GP10A YJG15GP10A Yangjie Technology Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.48 EUR
25000+ 0.45 EUR
50000+ 0.43 EUR
100000+ 0.4 EUR
200000+ 0.36 EUR
500000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
YJG15N15B YJG15N15B YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 29W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
YJG15N15B YJG15N15B YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 29W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
YJG20N06A YJG20N06A Yangjie Technology Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.25 EUR
25000+ 0.24 EUR
50000+ 0.22 EUR
100000+ 0.21 EUR
200000+ 0.19 EUR
500000+ 0.17 EUR
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YJG30N06A YJG30N06A Yangjie Technology YJG30N06A.pdf Description: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors
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YJG40G10A YJG40G10A Yangjie Technology Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
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YJG40G10AQ YJG40G10AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
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YJG40N03A YJG40N03A Yangjie Technology Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
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YJG40P03A YJG40P03A Yangjie Technology Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis
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YJG50N03B YJG50N03B Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
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YJG53G06A YANGJIE TECHNOLOGY YJG53G06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 34A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 30W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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YJG53G06A YANGJIE TECHNOLOGY YJG53G06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 34A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 30W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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YJG70G06A YANGJIE TECHNOLOGY YJG70G06A-YAN SMD N channel transistors
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YJG80G06A YJG80G06A YANGJIE TECHNOLOGY YJG80G06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 38W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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YJG80G06A YJG80G06A YANGJIE TECHNOLOGY YJG80G06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 38W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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YJGD20G10A YJGD20G10A Yangjie Technology Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
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YJH03N06A YJH03N06A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
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YJH03N06B YJH03N06B Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
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YJH03N10A YJH03N10A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
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YJH03N10A YJH03N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJH03N10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 9875 Stücke:
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400+0.18 EUR
570+ 0.13 EUR
795+ 0.09 EUR
840+ 0.086 EUR
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YJH03N10A YJH03N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJH03N10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 9875 Stücke:
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400+0.18 EUR
570+ 0.13 EUR
795+ 0.09 EUR
840+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 400
YJH10N02A YJH10N02A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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YJJ09N03A YJJ09N03A Yangjie Technology YJJ09N03A.pdf Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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YJL02N10A YJL02N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJL02N10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
730+0.099 EUR
1270+ 0.056 EUR
1660+ 0.043 EUR
1750+ 0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 730
YJL02N10A YJL02N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJL02N10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
730+0.099 EUR
1270+ 0.056 EUR
1660+ 0.043 EUR
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Mindestbestellmenge: 730
YJL03G10A YJL03G10A YANGJIE TECHNOLOGY YJL03G10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 121A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
YJ7N80CI
YJ7N80CI
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
YJ7N80CI
YJ7N80CI
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
YJA3134KA
YJA3134KA
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 10000
YJB150N06BQ YJB150N06BQ.pdf
YJB150N06BQ
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 105A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 94W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
YJB150N06BQ
YJB150N06BQ
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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4000+ 1.1 EUR
8000+ 1.04 EUR
16000+ 0.97 EUR
32000+ 0.88 EUR
80000+ 0.81 EUR
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YJB150N06BQ YJB150N06BQ.pdf
YJB150N06BQ
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 105A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 94W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
YJD112010DG1
YJD112010DG1
Hersteller: Yangjie Technology
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
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25000+ 8.31 EUR
50000+ 7.79 EUR
100000+ 7.01 EUR
250000+ 6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
YJD120N04A
YJD120N04A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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250000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
YJD15N10A YJD15N10A.pdf
YJD15N10A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 11395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
335+0.21 EUR
410+ 0.18 EUR
435+ 0.17 EUR
2500+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 335
YJD15N10A
YJD15N10A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.33 EUR
12500+ 0.32 EUR
25000+ 0.3 EUR
50000+ 0.28 EUR
100000+ 0.25 EUR
250000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
YJD15N10A YJD15N10A.pdf
YJD15N10A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 11395 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
335+0.21 EUR
410+ 0.18 EUR
435+ 0.17 EUR
2500+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 335
YJD180N03A
YJD180N03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.6 EUR
12500+ 0.56 EUR
25000+ 0.53 EUR
50000+ 0.5 EUR
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250000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
YJD20N06A YJD20N06A.pdf
YJD20N06A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 250000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.33 EUR
12500+ 0.31 EUR
25000+ 0.29 EUR
50000+ 0.27 EUR
100000+ 0.25 EUR
250000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
YJD20N06A YJD20N06A.pdf
YJD20N06A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 7205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
260+0.28 EUR
310+ 0.23 EUR
345+ 0.21 EUR
450+ 0.16 EUR
475+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 260
YJD20N06A YJD20N06A.pdf
YJD20N06A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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YJD25N15B
YJD25N15B
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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YJD25N15B
YJD25N15B
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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YJD40N04A
YJD40N04A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
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YJD50N03A
YJD50N03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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YJD50N06A
YJD50N06A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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YJD50N06A YJD50N06A.pdf
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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YJD50N06A YJD50N06A.pdf
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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YJD60N02A
YJD60N02A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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YJD60N04A
YJD60N04A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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YJD60N04A YJD60N04A.pdf
YJD60N04A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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YJD60N04A YJD60N04A.pdf
YJD60N04A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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YJD80G06A
YJD80G06A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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YJD80G06A
YJD80G06A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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YJD80N03A
YJD80N03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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YJD80N03B
YJD80N03B
Hersteller: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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YJD90N06A
YJD90N06A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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YJG100N04A
YJG100N04A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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YJG105N03A
YJG105N03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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YJG150N03A
YJG150N03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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YJG15GP10A
YJG15GP10A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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YJG15N15B
YJG15N15B
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 29W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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YJG15N15B
YJG15N15B
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 29W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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YJG20N06A
YJG20N06A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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YJG30N06A YJG30N06A.pdf
YJG30N06A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
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YJG40G10A
YJG40G10A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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500000+ 0.31 EUR
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YJG40G10AQ
YJG40G10AQ
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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500000+ 0.61 EUR
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YJG40N03A
YJG40N03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 500000 Stücke:
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500000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
YJG40P03A
YJG40P03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis
auf Bestellung 500000 Stücke:
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YJG50N03B
YJG50N03B
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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YJG53G06A YJG53G06A.pdf
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 34A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 30W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
YJG53G06A YJG53G06A.pdf
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 34A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 30W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
YJG70G06A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
YJG70G06A-YAN SMD N channel transistors
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YJG80G06A YJG80G06A.pdf
YJG80G06A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 38W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 6168 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
57+1.27 EUR
115+ 0.62 EUR
128+ 0.56 EUR
171+ 0.42 EUR
180+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 57
YJG80G06A YJG80G06A.pdf
YJG80G06A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 38W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6168 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
57+1.27 EUR
115+ 0.62 EUR
128+ 0.56 EUR
171+ 0.42 EUR
180+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 57
YJGD20G10A
YJGD20G10A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5000+0.84 EUR
25000+ 0.8 EUR
50000+ 0.75 EUR
100000+ 0.7 EUR
200000+ 0.63 EUR
500000+ 0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
YJH03N06A
YJH03N06A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.092 EUR
5000+ 0.087 EUR
10000+ 0.082 EUR
20000+ 0.077 EUR
40000+ 0.069 EUR
100000+ 0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
YJH03N06B
YJH03N06B
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.092 EUR
5000+ 0.087 EUR
10000+ 0.082 EUR
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40000+ 0.069 EUR
100000+ 0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
YJH03N10A
YJH03N10A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.16 EUR
5000+ 0.15 EUR
10000+ 0.14 EUR
20000+ 0.13 EUR
40000+ 0.12 EUR
100000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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YJH03N10A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 9875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
400+0.18 EUR
570+ 0.13 EUR
795+ 0.09 EUR
840+ 0.086 EUR
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YJH03N10A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 9875 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
400+0.18 EUR
570+ 0.13 EUR
795+ 0.09 EUR
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Mindestbestellmenge: 400
YJH10N02A
YJH10N02A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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5000+ 0.15 EUR
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20000+ 0.13 EUR
40000+ 0.12 EUR
100000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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YJJ09N03A
Hersteller: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.15 EUR
15000+ 0.14 EUR
60000+ 0.13 EUR
120000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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YJL02N10A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
730+0.099 EUR
1270+ 0.056 EUR
1660+ 0.043 EUR
1750+ 0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 730
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YJL02N10A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
730+0.099 EUR
1270+ 0.056 EUR
1660+ 0.043 EUR
1750+ 0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 730
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YJL03G10A
Hersteller: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 121A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
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