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IRF1010EPBF IRF1010EPBF
Produktcode: 72223 		IR irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 84
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210
JHGF: THT
verfügbar: 51 Stück
5 Stück - stock Köln
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IRF1010NPBF IRF1010NPBF
Produktcode: 26804 		IR irf1010npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da754e188b description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 85
Rds(on), Ohm: 01.11.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
JHGF: THT
verfügbar: 13 Stück
12 Stück - stock Köln
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erwartet: 300 Stück
1+0.76 EUR
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IRF1018EPBF IRF1018EPBF
Produktcode: 98648 		IR irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 description Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
JHGF: THT
auf Bestellung 35 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
IRF1310NPBF IRF1310NPBF
Produktcode: 34256 		IR irf1310npbf-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
JHGF: THT
verfügbar: 225 Stück
15 Stück - stock Köln
210 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+0.76 EUR
IRF1404PBF IRF1404PBF
Produktcode: 31360 		IR irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 162
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
JHGF: THT
auf Bestellung 245 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 3 Stück:
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF
Produktcode: 26520 		IR IRF1404ZPBF.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0037
JHGF: THT
auf Bestellung 116 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF1405PBF IRF1405PBF
Produktcode: 27155 		IR IRF1405PBF.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
JHGF: THT
auf Bestellung 54 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF
Produktcode: 35347 		IR irf1405zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db17fa18c1 Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
Ciss, pF/Qg, nC: 5480/170
JHGF: THT
verfügbar: 5 Stück
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IRF1407PBF IRF1407PBF
Produktcode: 24062 		IR IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf1407pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db28c218c8 description Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0078
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
JHGF: THT
verfügbar: 2 Stück
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100 Stück - erwartet
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IRF100B201 IRF100B201 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+4.25 EUR
31+ 2.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 17
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.25 EUR
31+ 2.33 EUR
33+ 2.2 EUR
2000+ 2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IRF100B201 IRF100B201 Infineon Technologies Infineon_IRF100B201_DataSheet_v01_01_EN-3362780.pdf MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1000+ 2.87 EUR
IRF100B201 IRF100B201 Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+4.73 EUR
40+ 3.67 EUR
43+ 3.34 EUR
100+ 2.55 EUR
500+ 2.09 EUR
1000+ 1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 32
IRF100B201 IRF100B201 Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.94 EUR
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1000+ 2.27 EUR
2000+ 1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF100B201 IRF100B201 Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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40+ 3.66 EUR
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Mindestbestellmenge: 32
IRF100B202 IRF100B202 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100B202.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+2.26 EUR
52+ 1.39 EUR
63+ 1.14 EUR
66+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 32
IRF100B202 IRF100B202 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100B202.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
32+2.26 EUR
52+ 1.39 EUR
63+ 1.14 EUR
66+ 1.09 EUR
2000+ 1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 32
IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies Infineon_IRF100B202_DataSheet_v01_01_EN-3362964.pdf MOSFETs N
auf Bestellung 2208 Stücke:
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250+ 1.88 EUR
500+ 1.74 EUR
1000+ 1.47 EUR
2000+ 1.4 EUR
IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineon-irf100b202-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.47 EUR
104+ 1.36 EUR
200+ 1.28 EUR
1000+ 1.23 EUR
2000+ 1.17 EUR
3000+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 103
IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineon-irf100b202-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.5 EUR
117+ 1.25 EUR
500+ 1.09 EUR
1000+ 0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 101
IRF100B202 IRF100B202 Infineon Technologies infineon-irf100b202-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.62 EUR
101+ 1.45 EUR
117+ 1.21 EUR
500+ 1.05 EUR
1000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 94
IRF100P218 Infineon Technologies IRF100P218
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+12.24 EUR
25+ 11.26 EUR
50+ 10.41 EUR
100+ 9.65 EUR
250+ 8.98 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRF100P218AKMA1 IRF100P218AKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF100P218_DataSheet_v02_01_EN-2324328.pdf MOSFETs N
auf Bestellung 3170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.66 EUR
10+ 10.42 EUR
100+ 7.73 EUR
400+ 7.32 EUR
IRF100P218AKMA1 IRF100P218AKMA1 Infineon Technologies infineon-irf100p218-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+14 EUR
16+ 9.46 EUR
50+ 8.93 EUR
100+ 8.56 EUR
200+ 8.2 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRF100P218AKMA1 IRF100P218AKMA1 Infineon Technologies infineon-irf100p218-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 105200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 400
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRF100P219_DataSheet_v02_01_EN-2324341.pdf MOSFETs N
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.74 EUR
10+ 9.42 EUR
25+ 9.33 EUR
100+ 6.93 EUR
400+ 6.92 EUR
1200+ 6.74 EUR
2800+ 6.42 EUR
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies infineon-irf100p219-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+5.66 EUR
50+ 5.37 EUR
100+ 5.09 EUR
250+ 4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 25
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies infineon-irf100p219-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+7.58 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF100P219AKMA1 IRF100P219AKMA1 Infineon Technologies infineon-irf100p219-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 26
IRF100S201 IRF100S201 Infineon Technologies Infineon_IRF100B201_DataSheet_v01_01_EN-3362780.pdf MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
auf Bestellung 1504 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.02 EUR
10+ 4.82 EUR
25+ 4.56 EUR
100+ 3.47 EUR
800+ 2.8 EUR
IRF100S201 IRF100S201 Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.9 EUR
57+ 2.59 EUR
58+ 2.43 EUR
100+ 1.79 EUR
Mindestbestellmenge: 53
IRF100S201 IRF100S201 Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 19200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1600+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1600
IRF100S201 IRF100S201 Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 53
IRF100S201 IRF100S201 Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF100S201 IRF100S201 Infineon Technologies infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF1010E International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF1010E International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF1010E JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF1010E JSMicro Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.46 EUR
57+ 1.27 EUR
98+ 0.73 EUR
104+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.46 EUR
57+ 1.27 EUR
98+ 0.73 EUR
104+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN-3362725.pdf description MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+ 1.69 EUR
100+ 1.29 EUR
500+ 1.07 EUR
1000+ 1.01 EUR
5000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.03 EUR
171+ 0.85 EUR
500+ 0.75 EUR
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010EPBF IRF1010EPBF Infineon Technologies infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF1010ES International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
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IRF1010ESTRL International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
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IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
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IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1010ES_DataSheet_v01_00_EN-3362867.pdf MOSFETs MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC
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IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF Infineon Technologies irf1010es.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF1010EPBF
Produktcode: 72223		 description irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883
IRF1010EPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 84
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210
JHGF: THT
verfügbar: 51 Stück
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IRF1010NPBF
Produktcode: 26804		 description irf1010npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da754e188b
IRF1010NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 85
Rds(on), Ohm: 01.11.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 3210/120
JHGF: THT
verfügbar: 13 Stück
12 Stück - stock Köln
1 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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IRF1018EPBF
Produktcode: 98648		 description irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891
IRF1018EPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
JHGF: THT
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IRF1310NPBF
Produktcode: 34256		 irf1310npbf-datasheet.pdf
IRF1310NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/110
JHGF: THT
verfügbar: 225 Stück
15 Stück - stock Köln
210 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.76 EUR
IRF1404PBF
Produktcode: 31360		 irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0
IRF1404PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 162
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
JHGF: THT
auf Bestellung 245 Stück:
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erwartet 3 Stück:
IRF1404ZPBF
Produktcode: 26520		 IRF1404ZPBF.pdf
IRF1404ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0037
JHGF: THT
auf Bestellung 116 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.28 EUR
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IRF1405PBF
Produktcode: 27155		 IRF1405PBF.pdf
IRF1405PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
JHGF: THT
auf Bestellung 54 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.68 EUR
10+ 1.54 EUR
IRF1405ZPBF
Produktcode: 35347		 irf1405zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db17fa18c1
IRF1405ZPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 169
Rds(on), Ohm: 0.0053
Ciss, pF/Qg, nC: 5480/170
JHGF: THT
verfügbar: 5 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.36 EUR
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IRF1407PBF
Produktcode: 24062		 description IRSDS11102-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf1407pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db28c218c8
IRF1407PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 75
Idd,A: 130
Rds(on), Ohm: 0.0078
Ciss, pF/Qg, nC: 5600/160
JHGF: THT
verfügbar: 2 Stück
erwartet: 100 Stück
100 Stück - erwartet
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.16 EUR
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IRF100B201 IRF100x201.pdf
IRF100B201
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+4.25 EUR
31+ 2.33 EUR
33+ 2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IRF100B201 IRF100x201.pdf
IRF100B201
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
17+4.25 EUR
31+ 2.33 EUR
33+ 2.2 EUR
2000+ 2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 17
IRF100B201 Infineon_IRF100B201_DataSheet_v01_01_EN-3362780.pdf
IRF100B201
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+6.81 EUR
10+ 4.96 EUR
25+ 4.88 EUR
100+ 3.52 EUR
500+ 2.92 EUR
1000+ 2.87 EUR
IRF100B201 infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100B201
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
32+4.73 EUR
40+ 3.67 EUR
43+ 3.34 EUR
100+ 2.55 EUR
500+ 2.09 EUR
1000+ 1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 32
IRF100B201 infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100B201
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10872 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+7.94 EUR
32+ 4.65 EUR
50+ 3.86 EUR
100+ 3.22 EUR
500+ 2.58 EUR
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Mindestbestellmenge: 20
IRF100B201 infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100B201
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2202 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
32+4.73 EUR
40+ 3.66 EUR
43+ 3.33 EUR
100+ 2.55 EUR
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Mindestbestellmenge: 32
IRF100B202 IRF100B202.pdf
IRF100B202
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
32+2.26 EUR
52+ 1.39 EUR
63+ 1.14 EUR
66+ 1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 32
IRF100B202 IRF100B202.pdf
IRF100B202
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
32+2.26 EUR
52+ 1.39 EUR
63+ 1.14 EUR
66+ 1.09 EUR
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Mindestbestellmenge: 32
IRF100B202 Infineon_IRF100B202_DataSheet_v01_01_EN-3362964.pdf
IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N
auf Bestellung 2208 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+3.1 EUR
10+ 2.57 EUR
100+ 2.04 EUR
250+ 1.88 EUR
500+ 1.74 EUR
1000+ 1.47 EUR
2000+ 1.4 EUR
IRF100B202 infineon-irf100b202-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
103+1.47 EUR
104+ 1.36 EUR
200+ 1.28 EUR
1000+ 1.23 EUR
2000+ 1.17 EUR
3000+ 1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 103
IRF100B202 infineon-irf100b202-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
101+1.5 EUR
117+ 1.25 EUR
500+ 1.09 EUR
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Mindestbestellmenge: 101
IRF100B202 infineon-irf100b202-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100B202
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1818 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
94+1.62 EUR
101+ 1.45 EUR
117+ 1.21 EUR
500+ 1.05 EUR
1000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 94
IRF100P218
Hersteller: Infineon Technologies
IRF100P218
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+12.24 EUR
25+ 11.26 EUR
50+ 10.41 EUR
100+ 9.65 EUR
250+ 8.98 EUR
Mindestbestellmenge: 13
IRF100P218AKMA1 Infineon_IRF100P218_DataSheet_v02_01_EN-2324328.pdf
IRF100P218AKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N
auf Bestellung 3170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+14.66 EUR
10+ 10.42 EUR
100+ 7.73 EUR
400+ 7.32 EUR
IRF100P218AKMA1 infineon-irf100p218-datasheet-v02_01-en.pdf
IRF100P218AKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+14 EUR
16+ 9.46 EUR
50+ 8.93 EUR
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200+ 8.2 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRF100P218AKMA1 infineon-irf100p218-datasheet-v02_01-en.pdf
IRF100P218AKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 483A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 105200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
400+8.37 EUR
Mindestbestellmenge: 400
IRF100P219AKMA1 Infineon_IRF100P219_DataSheet_v02_01_EN-2324341.pdf
IRF100P219AKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+12.74 EUR
10+ 9.42 EUR
25+ 9.33 EUR
100+ 6.93 EUR
400+ 6.92 EUR
1200+ 6.74 EUR
2800+ 6.42 EUR
IRF100P219AKMA1 infineon-irf100p219-datasheet-v02_01-en.pdf
IRF100P219AKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 380 Stücke:
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25+5.66 EUR
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IRF100P219AKMA1 infineon-irf100p219-datasheet-v02_01-en.pdf
IRF100P219AKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRF100P219AKMA1 infineon-irf100p219-datasheet-v02_01-en.pdf
IRF100P219AKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 316A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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26+5.87 EUR
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IRF100S201 Infineon_IRF100B201_DataSheet_v01_01_EN-3362780.pdf
IRF100S201
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg
auf Bestellung 1504 Stücke:
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1+6.02 EUR
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25+ 4.56 EUR
100+ 3.47 EUR
800+ 2.8 EUR
IRF100S201 infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100S201
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
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53+2.9 EUR
57+ 2.59 EUR
58+ 2.43 EUR
100+ 1.79 EUR
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IRF100S201 infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100S201
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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1600+2.67 EUR
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IRF100S201 infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100S201
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
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53+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 53
IRF100S201 infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100S201
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF100S201 infineon-irf100b201-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF100S201
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 192A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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800+2.24 EUR
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IRF1010E
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 350 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 20
IRF1010E
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF1010E
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF1010E
Hersteller: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF1010E; SP001569818; IRF1010E JSMICRO TIRF1010 JSM
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.46 EUR
57+ 1.27 EUR
98+ 0.73 EUR
104+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.46 EUR
57+ 1.27 EUR
98+ 0.73 EUR
104+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.9 EUR
10+ 1.69 EUR
100+ 1.29 EUR
500+ 1.07 EUR
1000+ 1.01 EUR
5000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
148+1.03 EUR
171+ 0.85 EUR
500+ 0.75 EUR
1000+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 148
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
139+1.09 EUR
148+ 0.99 EUR
171+ 0.82 EUR
500+ 0.72 EUR
1000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 139
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
213+0.71 EUR
214+ 0.66 EUR
500+ 0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 213
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
93+1.63 EUR
100+ 1.5 EUR
250+ 1.39 EUR
500+ 1.29 EUR
1000+ 1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 93
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
110+1.38 EUR
121+ 1.21 EUR
150+ 0.94 EUR
500+ 0.79 EUR
1000+ 0.72 EUR
5000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 110
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRF1010EPBF description infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF1010EPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
121+1.26 EUR
150+ 0.97 EUR
500+ 0.82 EUR
1000+ 0.75 EUR
5000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 121
IRF1010ES
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF1010ESTRL
Hersteller: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
43+1.69 EUR
49+ 1.49 EUR
79+ 0.92 EUR
82+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 43
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Pulsed drain current: 330A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
43+1.69 EUR
49+ 1.49 EUR
79+ 0.92 EUR
82+ 0.87 EUR
2400+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 43
IRF1010ESTRLPBF Infineon_IRF1010ES_DataSheet_v01_00_EN-3362867.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC
auf Bestellung 761 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+2.46 EUR
10+ 2.09 EUR
100+ 1.57 EUR
800+ 1.19 EUR
2400+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
143+1.06 EUR
145+ 1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 143
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRF1010ESTRLPBF irf1010es.pdf
IRF1010ESTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 18400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+0.99 EUR
2400+ 0.95 EUR
4800+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 800
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