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IRF1405PBF
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRF1405PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4336 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1405PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 133A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 164 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1405PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 133A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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IRF1405PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1405PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 15688 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1405PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1405PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 9371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1405PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 9371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1405PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1822 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1405PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 101A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5480 pF @ 25 V |
auf Bestellung 13054 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1405PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1405PBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 169A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF Produktcode: 162988 |
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Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: THT
auf Bestellung 508 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)IRF4905PBF Produktcode: 22366 |
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
verfügbar: 536 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.16 EUR |
10+ | 1.13 EUR |
IRF840A Produktcode: 35892 |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 500
Idd,A: 8
Rds(on), Ohm: 0.85
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
JHGF: THT
verfügbar: 561 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.84 EUR |
10+ | 0.67 EUR |
1 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-071KL /Yageo) Produktcode: 85265 |
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Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 73438 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)SS34 Produktcode: 3426 |
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Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMC (DO-214AB)
Vrrm(V): 40
If(A): 3
VF@IF: 0,5
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 100 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMC (DO-214AB)
Vrrm(V): 40
If(A): 3
VF@IF: 0,5
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 100 A
verfügbar: 604 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.18 EUR |
10+ | 0.17 EUR |
100+ | 0.12 EUR |