IRF740PBF Siliconix
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Produktcode: 162988
Hersteller: SiliconixUds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
JHGF: THT
auf Bestellung 422 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRF740PBF Produktcode: 24032 |
Hersteller : IR |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 400 Idd,A: 10 Rds(on), Ohm: 0.55 JHGF: THT |
verfügbar: 6 Stück
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 7448 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 542 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 542 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 7460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 6200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 622 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 622 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 14097 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2905 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 6725 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 7460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF740PBF Produktcode: 181684 |
Hersteller : Китай |
![]() Gehäuse: TO-220 Uds,V: 400 V Idd,A: 10 A Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63 JHGF: THT |
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NE555P IC Timer Produktcode: 26138 |
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Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 1963 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.5 EUR |
10+ | 0.24 EUR |
100+ | 0.15 EUR |
1000+ | 0.12 EUR |
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ Produktcode: 25094 |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 11096 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.5 EUR |
10+ | 1.45 EUR |
100+ | 1 EUR |
TL494CN Produktcode: 36468 |
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Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 7...40V
I-ausg., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: 0...+70°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 7...40V
I-ausg., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 392 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.29 EUR |
10+ | 0.26 EUR |
LM324N Produktcode: 162910 |
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Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-14
Vc, V: 32 V
BW, MHz: 1,2 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 5 mV
Geschw. Nar., V/mks: 1 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
ZCODE: 4
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-14
Vc, V: 32 V
BW, MHz: 1,2 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 5 mV
Geschw. Nar., V/mks: 1 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
ZCODE: 4
auf Bestellung 475 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)1N4007 Produktcode: 176822 |
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Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 66455 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 500 Stück: