IRF1018EPBF

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Produktcode: 98648

Hersteller: IR
Uds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
JHGF: THT

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Technische Details IRF1018EPBF IR

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	IRF1018EPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	auf Bestellung 598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 229+ 0.66 EUR 285+  0.51 EUR Mindestbestellmenge: 229 kaufen
	IRF1018EPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	auf Bestellung 5491 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 160+ 0.95 EUR 197+  0.74 EUR 500+  0.65 EUR 1000+  0.56 EUR 3000+  0.54 EUR Mindestbestellmenge: 160 kaufen
	IRF1018EPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 144+ 1.05 EUR 161+  0.91 EUR 198+  0.71 EUR 500+  0.62 EUR 1000+  0.54 EUR 3000+  0.51 EUR Mindestbestellmenge: 144 kaufen
	IRF1018EPBF	Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 65+ 1.1 EUR 76+  0.95 EUR 125+  0.58 EUR 132+  0.54 EUR 10000+  0.52 EUR Mindestbestellmenge: 65 kaufen
	IRF1018EPBF	Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced	auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 65+ 1.1 EUR 76+  0.95 EUR 125+  0.58 EUR 132+  0.54 EUR Mindestbestellmenge: 65 kaufen
	IRF1018EPBF	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg	auf Bestellung 4216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 2+ 1.47 EUR 10+  1.27 EUR 100+  1.04 EUR 500+  0.9 EUR 1000+  0.79 EUR 2000+  0.78 EUR Mindestbestellmenge: 2 kaufen
	IRF1018EPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V	auf Bestellung 3670 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 7+ 2.76 EUR 11+  1.76 EUR 100+  1.18 EUR 500+  0.93 EUR 1000+  0.85 EUR 2000+  0.79 EUR Mindestbestellmenge: 7 kaufen
	IRF1018EPBF	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - IRF1018EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 1326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	kaufen
	IRF1018EPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	kaufen
	IRF1018EPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	kaufen
	IRF1018EPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 79A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen

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IRF840PBF Produktcode: 182602

Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT

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SS8050-H Produktcode: 160698

Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 25 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 350
ZCODE: SMD

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SS8550-H Produktcode: 160700

Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 25 V
U, V: 40 V
I, А: 1,5 A
h21,max: 350

erwartet: 850 Stück

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TL494ID Produktcode: 17340

Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-16
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 200mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: -40…+85°C

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470uF 100V EXR 18x32mm (EXR471M2AB-Hitano) Produktcode: 12850

Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 100V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 18x32mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00

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800 Stück - erwartet 30.11.2024

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