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IRF1018EPBF
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Produktcode: 98648
Hersteller: IRUds,V: 60 V
Idd,A: 79 A
Rds(on), Ohm: 7,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2290/46
JHGF: THT
auf Bestellung 35 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRF1018EPBF IR
- MOSFET, N, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:60V
- Cont Current Id:79A
- On State Resistance:7.1mohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220
- Termination Type:Through Hole
- Power Dissipation:110W
- Pulse Current Idm:315A
- Transistor Case Style:TO-220
Weitere Produktangebote IRF1018EPBF nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.76 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRF1018EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5491 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V |
auf Bestellung 3670 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1326 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 5500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1018EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
IRF840PBF Produktcode: 182602 |
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Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
JHGF: THT
auf Bestellung 165 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 210 Stück:
SS8050-H Produktcode: 160698 |
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Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 25 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 350
ZCODE: SMD
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 25 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 350
ZCODE: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
SS8550-H Produktcode: 160700 |
![]() |
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 25 V
U, V: 40 V
I, А: 1,5 A
h21,max: 350
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 25 V
U, V: 40 V
I, А: 1,5 A
h21,max: 350
erwartet:
850 Stück
850 Stück - erwartet
TL494ID Produktcode: 17340 |
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![]() |
Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-16
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 200mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: -40…+85°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-16
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 200mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: -40…+85°C
Produkt ist nicht verfügbar
470uF 100V EXR 18x32mm (EXR471M2AB-Hitano) Produktcode: 12850 |
![]() |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 100V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 18x32mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 100V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 18x32mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 60 Stück
erwartet:
800 Stück
800 Stück - erwartet 30.11.2024
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.98 EUR |
10+ | 0.84 EUR |
100+ | 0.73 EUR |