![IRF1010EPBF IRF1010EPBF](/img/to-220.jpg)
IRF1010EPBF
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Produktcode: 72223
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 84
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210
JHGF: THT
verfügbar 52 Stück:
5 Stück - stock Köln
47 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.68 EUR |
10+ | 0.64 EUR |
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Technische Details IRF1010EPBF IR
- MOSFET, N, 60V, 81A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:60V
- Cont Current Id:81A
- On State Resistance:0.012ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:60V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.012ohm
- Pin Format:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- Power Dissipation:170W
- Power Dissipation Pd:170W
- Pulse Current Idm:330A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Weitere Produktangebote IRF1010EPBF nach Preis ab 0.68 EUR bis 3.4 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IRF1010EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 840 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1058 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1058 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3036 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 81A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 81A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V |
auf Bestellung 789 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1085 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 3036 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 193 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
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auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF1010EPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ Produktcode: 25094 |
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 10134 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.5 EUR |
10+ | 1.45 EUR |
100+ | 1 EUR |
KA3525A (SG3525) Produktcode: 29981 |
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Hersteller: Fairchild
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Eigenschaften: DC/DC Switching 2Ausgang
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 500mA
Fosc, kHz: 430
Temperaturbereich: 0...+70°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Eigenschaften: DC/DC Switching 2Ausgang
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 500mA
Fosc, kHz: 430
Temperaturbereich: 0...+70°C
auf Bestellung 60 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.84 EUR |
TL494CN Produktcode: 36468 |
![]() ![]() |
Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 7...40V
I-ausg., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: 0...+70°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 7...40V
I-ausg., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 322 Stück
14 Stück - stock Köln
308 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
308 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
30 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.29 EUR |
10+ | 0.26 EUR |
Предохранитель 3,6x10mm 2А 250VAC с выводами (KLS5-1009-2000) Produktcode: 115562 |
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Hersteller: KLS
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Запобіжник плавкий з аксіальними виводами у склі 2А 250В 3,6х10мм
Nennstrom, А: 2 А
Größe: 3,6x10 mm; dвив. = 0,6 mm
Bemerkung: З виводами
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Повільний
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Запобіжник плавкий з аксіальними виводами у склі 2А 250В 3,6х10мм
Nennstrom, А: 2 А
Größe: 3,6x10 mm; dвив. = 0,6 mm
Bemerkung: З виводами
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Повільний
auf Bestellung 3648 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)VCR-14D121K Produktcode: 2102 |
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Hersteller: Hitano
Passive Bauelemente > Varistoren
Arbeitsspannung AC/DC, V: 75/100
S.var., V: 120(108-132)
Max.Spannung und Aktiviwerungsstrom, V@A: 200@50
Imax.(8/20mcs): 4500
Leistung, Watt: 0,45
Größe: 14D
Passive Bauelemente > Varistoren
Arbeitsspannung AC/DC, V: 75/100
S.var., V: 120(108-132)
Max.Spannung und Aktiviwerungsstrom, V@A: 200@50
Imax.(8/20mcs): 4500
Leistung, Watt: 0,45
Größe: 14D
auf Bestellung 332 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.24 EUR |
10+ | 0.19 EUR |
100+ | 0.15 EUR |