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IRF1010EPBF

Name: IRF1010EPBF
Brand: IR
SKU: 72223
Price: 0.64 EUR
Availability: InStock

irf1010epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da5fa41883

Produktcode: 72223

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 84
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3210
JHGF: THT

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Technische Details IRF1010EPBF IR

MOSFET, N, 60V, 81A, TO-220
Transistor Type:MOSFET
Transistor Polarity:N
Typ Voltage Vds:60V
Cont Current Id:81A
On State Resistance:0.012ohm
Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Typ Voltage Vgs th:4V
Case Style:TO-220AB
Termination Type:Through Hole
Current Temperature:25`C
Full Power Rating Temperature:25`C
Junction to Case Thermal Resistance A:0.9`C/W
Lead Spacing:2.54mm
Max Voltage Vds:60V
No. of Pins:3
No. of Transistors:1
On State resistance @ Vgs = 10V:0.012ohm
Pin Format:1 g
2 d/tab
3 s
Power Dissipation:170W
Power Dissipation Pd:170W
Pulse Current Idm:330A
Transistor Case Style:TO-220AB

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IRF1010EPBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irf1010e-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF1010EPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF1010EPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF1010EPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF1010EPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF1010EPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRF1010E_DataSheet_v01_01_EN-3362725.pdf

MOSFETs MOSFT 60V 81A 12mOhm 86.6nC

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IRF1010EPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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IRF1010EPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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IRF1010EPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF1010EPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 84A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3210 pF @ 25 V

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500+	1.17 EUR

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IRF1010EPBF

Hersteller : INFINEON

IRSDS11091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF1010EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

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IRF1010EPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF1010EPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF1010EPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF1010EPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF1010EPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF1010EPBF

Hersteller : International Rectifier Corporation

TO-220

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IRF1010EPBF

Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF1010EPBF - IRF1010E 20V-30V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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IRF1010EPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 60V 84A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT

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KA3525A (SG3525)
Produktcode: 29981

Hersteller: Fairchild
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Eigenschaften: DC/DC Switching 2Ausgang
Spannung, eing., V: 40V
I-ausg., A: 500mA
Fosc, kHz: 430
Temperaturbereich: 0...+70°C

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TL494CN
Produktcode: 36468

suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494

Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 7...40V
I-ausg., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: 0...+70°C

verfügbar: 322 Stück

14 Stück - stock Köln
308 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

erwartet: 30 Stück

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1+	0.29 EUR
10+	0.26 EUR

Предохранитель 3,6x10mm 2А 250VAC с выводами (KLS5-1009-2000)
Produktcode: 115562

Hersteller: KLS
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Запобіжник плавкий з аксіальними виводами у склі 2А 250В 3,6х10мм
Nennstrom, А: 2 А
Größe: 3,6x10 mm; dвив. = 0,6 mm
Bemerkung: З виводами
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Повільний

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VCR-14D121K
Produktcode: 2102

Hersteller: Hitano
Passive Bauelemente > Varistoren
Arbeitsspannung AC/DC, V: 75/100
S.var., V: 120(108-132)
Max.Spannung und Aktiviwerungsstrom, V@A: 200@50
Imax.(8/20mcs): 4500
Leistung, Watt: 0,45
Größe: 14D

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100+	0.15 EUR