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HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A ONSEMI ONSM-S-A0003591140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: TO-252AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 5.3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 14740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HGTD1N120BNS9A HGTD1N120BNS9A ONSEMI ONSM-S-A0003591140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
DC-Kollektorstrom: 5.3
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-252AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 14740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HGTG18N120BND HGTG18N120BND ONSEMI 2303946.pdf Description: ONSEMI - HGTG18N120BND - IGBT, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HGTG40N60B3 HGTG40N60B3 ONSEMI 2286043.pdf Description: ONSEMI - HGTG40N60B3 - IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
DC-Kollektorstrom: 70
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
HGTG5N120BND HGTG5N120BND ONSEMI 2298743.pdf Description: ONSEMI - HGTG5N120BND - IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 21
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 167
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
HGTG30N60C3D HGTG30N60C3D ONSEMI 2286242.pdf Description: ONSEMI - HGTG30N60C3D - IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 63
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
HGTG30N60B3 HGTG30N60B3 ONSEMI FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 16153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HGTG27N120BN HGTG27N120BN ONSEMI 2286338.pdf Description: ONSEMI - HGTG27N120BN - IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 72
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
HGTP7N60A4-F102 HGTP7N60A4-F102 ONSEMI HGTP7N60A4-D.PDF Description: ONSEMI - HGTP7N60A4-F102 - IGBT, 600V, SMPS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FDD8447L FDD8447L ONSEMI 2284191.pdf description Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDD8447L-F085 FDD8447L-F085 ONSEMI 2724464.pdf Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: PowerTrench
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
FDD8447L-F085 FDD8447L-F085 ONSEMI 2724464.pdf Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
TIP126TU TIP126TU ONSEMI 2284309.pdf Description: ONSEMI - TIP126TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach pnp, 80 V, 5 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SECO-RSL10-TAG-GEVB SECO-RSL10-TAG-GEVB ONSEMI 3764911.pdf Description: ONSEMI - SECO-RSL10-TAG-GEVB - Evaluationsboard, FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG, Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0
tariffCode: 84715000
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: Cortex-M3
Unterart Anwendung: Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: FPF1005, NCH-RSL10-101Q48-ABG
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH023N65S3L4 ONSEMI 2859339.pdf Description: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 595
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH043N60 ONSEMI 2907349.pdf Description: ONSEMI - FCH043N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.037 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 592
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH029N65S3-F155 FCH029N65S3-F155 ONSEMI 3168453.pdf Description: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH023N65S3-F155 FCH023N65S3-F155 ONSEMI ONSM-S-A0013669727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCH023N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV20084DR2G NCV20084DR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCV20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCS20084DR2G NCS20084DR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCS20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV20084DTBR2G NCV20084DTBR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCV20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCS20084DTBR2G NCS20084DTBR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCS20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV20084DR2G NCV20084DR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCV20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV20084DTBR2G NCV20084DTBR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCV20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCS20084DR2G NCS20084DR2G ONSEMI 3213427.pdf Description: ONSEMI - NCS20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ATP114-TL-H ATP114-TL-H ONSEMI 2371191.pdf Description: ONSEMI - ATP114-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
ATP114-TL-H ATP114-TL-H ONSEMI 2371191.pdf Description: ONSEMI - ATP114-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Wandlerpolarität: p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 55
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
PCA9535EDWR2G ONSEMI 2907258.pdf Description: ONSEMI - PCA9535EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, SMBus, 1.65 V, 5.5 V, WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PCA9535EDWR2G ONSEMI 2907258.pdf Description: ONSEMI - PCA9535EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, SMBus, 1.65 V, 5.5 V, WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PCA9535EDTR2G PCA9535EDTR2G ONSEMI pca9535e-d.pdf Description: ONSEMI - PCA9535EDTR2G - I/O-Erweiterung, 16 bit, I2C, SMBus, 1.6 V, 5.5 V, TSSOP, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
Anzahl der Bits: 16bit
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SMBus
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PCA9535ECDTR2G PCA9535ECDTR2G ONSEMI 2337896.pdf Description: ONSEMI - PCA9535ECDTR2G - I/O-Erweiterung, 16 bit, I2C, 1.65 V, 5.5 V, TSSOP, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Anzahl der Bits: 16bit
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O's
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ECH8315-TL-H ECH8315-TL-H ONSEMI ECH8315-D.PDF Description: ONSEMI - ECH8315-TL-H - P-CHANNEL POWER MOSFET, -30V, -7.5A,25M
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDN342P FDN342P ONSEMI 2304117.pdf Description: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.05
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TIP47G TIP47G ONSEMI 1921112.pdf Description: ONSEMI - TIP47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AX8052F131-3-TX30 AX8052F131-3-TX30 ONSEMI AX8052F131.pdf Description: ONSEMI - AX8052F131-3-TX30 - RF MICROCONTROLLER, ULTRA-LOW POWER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP803SN308T1G NCP803SN308T1G ONSEMI 2236958.pdf Description: ONSEMI - NCP803SN308T1G - Spannungsprüfer-IC, 1.2V-5.5Vsupp., 3.08V Schwellenspannung/460ms Verzögerung, Active-Low, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 460ms
Bauform - digitaler IC: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1Monitors
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schwellenspannung: 3.08V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 11076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP803SN308T1G NCP803SN308T1G ONSEMI 2236958.pdf Description: ONSEMI - NCP803SN308T1G - Spannungsprüfer-IC, 1.2V-5.5Vsupp., 3.08V Schwellenspannung/460ms Verzögerung, Active-Low, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 460ms
Bauform - digitaler IC: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1Monitors
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schwellenspannung: 3.08V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 11076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
KA431AZTA KA431AZTA ONSEMI 2299876.pdf Description: ONSEMI - KA431AZTA - Spannungsreferenz, Shunt, einstellbar, Baureihe KA431A, 2.495V auf 36V, TO-226AA-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-226AA
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KA431A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
KA431LZTA KA431LZTA ONSEMI 1729213.pdf Description: ONSEMI - KA431LZTA - Spannungsreferenz, Shunt, einstellbar, Baureihe KA431L, 2.495V auf 36V, TO-226AA-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-226AA
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KA431L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
KA431AZBU KA431AZBU ONSEMI KA431-D.PDF Description: ONSEMI - KA431AZBU - VOLTAGE REFERENCES
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
J111 J111 ONSEMI ONSM-S-A0013775431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - J111 - JFET-Transistor, TO-92, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP036N10A FDP036N10A ONSEMI 2907385.pdf Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP045N10A-F102 FDP045N10A-F102 ONSEMI 2907386.pdf Description: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTA4153NT1G NTA4153NT1G ONSEMI 1900865.pdf description Description: ONSEMI - NTA4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTP067N65S3H NTP067N65S3H ONSEMI ntp067n65s3h-d.pdf Description: ONSEMI - NTP067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BBL4001-1E BBL4001-1E ONSEMI ENA1356-D.PDF Description: ONSEMI - BBL4001-1E - N-CHANNEL POWER MOSFET 60V, 74A, 6.1M
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
ECH8420-TL-H ECH8420-TL-H ONSEMI ECH8420.PDF Description: ONSEMI - ECH8420-TL-H - N-CHANNEL POWER MOSFET 20V, 14A, 6.8M
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS003N04CTAG NTTFS003N04CTAG ONSEMI NTTFS003N04C-D.PDF Description: ONSEMI - NTTFS003N04CTAG - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
EFC4621R-TR EFC4621R-TR ONSEMI ENA2180-D.PDF Description: ONSEMI - EFC4621R-TR - DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET, 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
ECH8655R-TL-H ECH8655R-TL-H ONSEMI ECH8655R-D.PDF Description: ONSEMI - ECH8655R-TL-H - DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 24V, 9A,17M
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NVTFS024N06CTAG NVTFS024N06CTAG ONSEMI NVTFS024N06C-D.PDF Description: ONSEMI - NVTFS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NVTFWS024N06CTAG NVTFWS024N06CTAG ONSEMI NVTFS024N06C-D.PDF Description: ONSEMI - NVTFWS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS4D9N03HTAG NTLJS4D9N03HTAG ONSEMI NTLJS4D9N03H-D.PDF Description: ONSEMI - NTLJS4D9N03HTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
ESD5Z5.0T5G ESD5Z5.0T5G ONSEMI ESD5Z2.5T1-D.PDF Description: ONSEMI - ESD5Z5.0T5G - ESD-Schutzbaustein, 18.6 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5 V, 500 mW, ESD5Z
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-523
Begrenzungsspannung Vc, max.: 18.6
Betriebsspannung: 5
Verlustleistung Pd: 500
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
ATP104-TL-H ATP104-TL-H ONSEMI 2371190.pdf Description: ONSEMI - ATP104-TL-H - MOSFET, P-CH, -30V, -75A, ATPAK-3
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0064
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
NDS332P NDS332P ONSEMI FAIR-S-A0000083510-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 600
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 12974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP10670BD060R2G NCP10670BD060R2G ONSEMI NCP10670-D.PDF Description: ONSEMI - NCP10670BD060R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP10670BD100R2G NCP10670BD100R2G ONSEMI NCP10670-D.PDF Description: ONSEMI - NCP10670BD100R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDD6612A.. FDD6612A.. ONSEMI 2284020.pdf Description: ONSEMI - FDD6612A.. - N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, TO-252
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 36
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
NCP1034DR2G NCP1034DR2G ONSEMI 2355043.pdf Description: ONSEMI - NCP1034DR2G - PWM-Controller, 18V-10V Versorgungsspannung, 500kHz, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HGTD1N120BNS9A ONSM-S-A0003591140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HGTD1N120BNS9A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: TO-252AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 5.3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 14740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HGTD1N120BNS9A ONSM-S-A0003591140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HGTD1N120BNS9A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
DC-Kollektorstrom: 5.3
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-252AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 14740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HGTG18N120BND 2303946.pdf
HGTG18N120BND
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG18N120BND - IGBT, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HGTG40N60B3 2286043.pdf
HGTG40N60B3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG40N60B3 - IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
DC-Kollektorstrom: 70
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
HGTG5N120BND 2298743.pdf
HGTG5N120BND
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG5N120BND - IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 21
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 167
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
HGTG30N60C3D 2286242.pdf
HGTG30N60C3D
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60C3D - IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 63
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
HGTG30N60B3 FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG30N60B3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 16153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
HGTG27N120BN 2286338.pdf
HGTG27N120BN
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTG27N120BN - IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 72
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
HGTP7N60A4-F102 HGTP7N60A4-D.PDF
HGTP7N60A4-F102
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - HGTP7N60A4-F102 - IGBT, 600V, SMPS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FDD8447L description 2284191.pdf
FDD8447L
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8447L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12066 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDD8447L-F085 2724464.pdf
FDD8447L-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: PowerTrench
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
FDD8447L-F085 2724464.pdf
FDD8447L-F085
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8447L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
TIP126TU 2284309.pdf
TIP126TU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP126TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Zweifach pnp, 80 V, 5 A, 65 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 65
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
DC-Kollektorstrom: 5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SECO-RSL10-TAG-GEVB 3764911.pdf
SECO-RSL10-TAG-GEVB
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SECO-RSL10-TAG-GEVB - Evaluationsboard, FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG, Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0
tariffCode: 84715000
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FPF1005/NCH-RSL10-101Q48-ABG
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: Cortex-M3
Unterart Anwendung: Asset-Überwachung und -Tracking, Industry 4.0
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: FPF1005, NCH-RSL10-101Q48-ABG
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: ARM
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
FCH023N65S3L4 2859339.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH023N65S3L4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 595
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH043N60 2907349.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH043N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 75 A, 0.037 ohm, TO-247
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 592
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH029N65S3-F155 3168453.pdf
FCH029N65S3-F155
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH029N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0237 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0237ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCH023N65S3-F155 ONSM-S-A0013669727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCH023N65S3-F155
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH023N65S3-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.0195 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV20084DR2G 3213427.pdf
NCV20084DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCS20084DR2G 3213427.pdf
NCS20084DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV20084DTBR2G 3213427.pdf
NCV20084DTBR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCS20084DTBR2G 3213427.pdf
NCS20084DTBR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV20084DR2G 3213427.pdf
NCV20084DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCV20084DTBR2G 3213427.pdf
NCV20084DTBR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20084DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCS20084DR2G 3213427.pdf
NCS20084DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20084DR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 1.2 MHz, 0.4 V/µs, 1.8V bis 5.5V, NSOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 1.2MHz
Eingangsoffsetspannung: 500µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 1pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ATP114-TL-H 2371191.pdf
ATP114-TL-H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP114-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
ATP114-TL-H 2371191.pdf
ATP114-TL-H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP114-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 55 A, 0.012 ohm, ATPAK, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Wandlerpolarität: p-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 55
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
PCA9535EDWR2G 2907258.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCA9535EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, SMBus, 1.65 V, 5.5 V, WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PCA9535EDWR2G 2907258.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCA9535EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, SMBus, 1.65 V, 5.5 V, WSOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: WSOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PCA9535EDTR2G pca9535e-d.pdf
PCA9535EDTR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCA9535EDTR2G - I/O-Erweiterung, 16 bit, I2C, SMBus, 1.6 V, 5.5 V, TSSOP, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
Anzahl der Bits: 16bit
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SMBus
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PCA9535ECDTR2G 2337896.pdf
PCA9535ECDTR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCA9535ECDTR2G - I/O-Erweiterung, 16 bit, I2C, 1.65 V, 5.5 V, TSSOP, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Anzahl der Bits: 16bit
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16I/O's
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 1861 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ECH8315-TL-H ECH8315-D.PDF
ECH8315-TL-H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8315-TL-H - P-CHANNEL POWER MOSFET, -30V, -7.5A,25M
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDN342P 2304117.pdf
FDN342P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDN342P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.062
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.05
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
TIP47G 1921112.pdf
TIP47G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AX8052F131-3-TX30 AX8052F131.pdf
AX8052F131-3-TX30
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - AX8052F131-3-TX30 - RF MICROCONTROLLER, ULTRA-LOW POWER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP803SN308T1G 2236958.pdf
NCP803SN308T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP803SN308T1G - Spannungsprüfer-IC, 1.2V-5.5Vsupp., 3.08V Schwellenspannung/460ms Verzögerung, Active-Low, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 460ms
Bauform - digitaler IC: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1Monitors
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schwellenspannung: 3.08V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 11076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP803SN308T1G 2236958.pdf
NCP803SN308T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP803SN308T1G - Spannungsprüfer-IC, 1.2V-5.5Vsupp., 3.08V Schwellenspannung/460ms Verzögerung, Active-Low, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verzögerungszeit: 460ms
Bauform - digitaler IC: SOT-23
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1Monitors
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schwellenspannung: 3.08V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
auf Bestellung 11076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
KA431AZTA 2299876.pdf
KA431AZTA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA431AZTA - Spannungsreferenz, Shunt, einstellbar, Baureihe KA431A, 2.495V auf 36V, TO-226AA-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-226AA
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Eingangsspannung, max.: 36V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KA431A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
KA431LZTA 1729213.pdf
KA431LZTA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA431LZTA - Spannungsreferenz, Shunt, einstellbar, Baureihe KA431L, 2.495V auf 36V, TO-226AA-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-226AA
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KA431L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4618 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
KA431AZBU KA431-D.PDF
KA431AZBU
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA431AZBU - VOLTAGE REFERENCES
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
J111 ONSM-S-A0013775431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
J111
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - J111 - JFET-Transistor, TO-92, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4322 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP036N10A 2907385.pdf
FDP036N10A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP036N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 859 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDP045N10A-F102 2907386.pdf
FDP045N10A-F102
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP045N10A-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTA4153NT1G description 1900865.pdf
NTA4153NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTA4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTP067N65S3H ntp067n65s3h-d.pdf
NTP067N65S3H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BBL4001-1E ENA1356-D.PDF
BBL4001-1E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BBL4001-1E - N-CHANNEL POWER MOSFET 60V, 74A, 6.1M
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
ECH8420-TL-H ECH8420.PDF
ECH8420-TL-H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8420-TL-H - N-CHANNEL POWER MOSFET 20V, 14A, 6.8M
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTTFS003N04CTAG NTTFS003N04C-D.PDF
NTTFS003N04CTAG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS003N04CTAG - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
EFC4621R-TR ENA2180-D.PDF
EFC4621R-TR
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - EFC4621R-TR - DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET, 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
ECH8655R-TL-H ECH8655R-D.PDF
ECH8655R-TL-H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8655R-TL-H - DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 24V, 9A,17M
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NVTFS024N06CTAG NVTFS024N06C-D.PDF
NVTFS024N06CTAG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NVTFWS024N06CTAG NVTFS024N06C-D.PDF
NVTFWS024N06CTAG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFWS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTLJS4D9N03HTAG NTLJS4D9N03H-D.PDF
NTLJS4D9N03HTAG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJS4D9N03HTAG - MOSFET, POWER, 30V, N-CHANNEL, WDFN6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
ESD5Z5.0T5G ESD5Z2.5T1-D.PDF
ESD5Z5.0T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD5Z5.0T5G - ESD-Schutzbaustein, 18.6 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5 V, 500 mW, ESD5Z
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-523
Begrenzungsspannung Vc, max.: 18.6
Betriebsspannung: 5
Verlustleistung Pd: 500
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
ATP104-TL-H 2371190.pdf
ATP104-TL-H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP104-TL-H - MOSFET, P-CH, -30V, -75A, ATPAK-3
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0064
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
NDS332P FAIR-S-A0000083510-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NDS332P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS332P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 600
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 12974 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP10670BD060R2G NCP10670-D.PDF
NCP10670BD060R2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP10670BD060R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP10670BD100R2G NCP10670-D.PDF
NCP10670BD100R2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP10670BD100R2G - AC / DC CONVERTERS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDD6612A.. 2284020.pdf
FDD6612A..
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6612A.. - N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, TO-252
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 36
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
NCP1034DR2G 2355043.pdf
NCP1034DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1034DR2G - PWM-Controller, 18V-10V Versorgungsspannung, 500kHz, SOIC-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4439 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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