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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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ohne MwSt
2SD1805F-TL-E 2SD1805F-TL-E ONSEMI 2sd1805-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1805F-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1048-6-TB-E 2SD1048-6-TB-E ONSEMI EN694-D.html Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1802T-TL-E 2SD1802T-TL-E ONSEMI 2sb1202-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1802T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1801S-TL-E ONSEMI en2112-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1801S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1801
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
2SD1801S-TL-E ONSEMI en2112-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1801S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1801
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FGH30S130P FGH30S130P ONSEMI 2859363.pdf Description: ONSEMI - FGH30S130P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 500 W, 1.3 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQPF65N06 FQPF65N06 ONSEMI 2304452.pdf Description: ONSEMI - FQPF65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1N5342BG 1N5342BG ONSEMI ONSMS36970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5342BG - Zener-Diode, 6.8 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQA30N40 FQA30N40 ONSEMI ONSM-S-A0003590957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA30N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 290
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FQS4901TF FQS4901TF ONSEMI 1725581.pdf Description: ONSEMI - FQS4901TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 450 mA, 3.2 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 450
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTBG020N090SC1 NTBG020N090SC1 ONSEMI ntbg020n090sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGL40N120ANDTU ONSEMI 2303862.pdf Description: ONSEMI - FGL40N120ANDTU - IGBT,N-KANAL,SCHNELL,1200V,64A,TO264
Produkt ist nicht verfügbar
BC817-40LT1G BC817-40LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 85108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BD241CG BD241CG ONSEMI 1916278.pdf Description: ONSEMI - BD241CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1N5927BRLG 1N5927BRLG ONSEMI ONSMS11851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N5927BRLG - Zener-Diode, 12 V, 3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: Surmetic 1N59xxB
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCT75DR2G NCT75DR2G ONSEMI 1916692.pdf Description: ONSEMI - NCT75DR2G - Temperatursensor-IC, Open-Drain, ± 3°C, -55 °C, +125 °C, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Erfassungsgenauigkeit: ± 3°C
IC-Ausgang: Open-Drain
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -55°C
Erfassungstemperatur, max.: +125°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCT75DR2G NCT75DR2G ONSEMI 1916692.pdf Description: ONSEMI - NCT75DR2G - Temperatursensor-IC, Open-Drain, ± 3°C, -55 °C, +125 °C, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Erfassungsgenauigkeit: ± 3°C
IC-Ausgang: Open-Drain
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -55°C
Erfassungstemperatur, max.: +125°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC549CTA BC549CTA ONSEMI 1868820.pdf Description: ONSEMI - BC549CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 34000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDH055N15A FDH055N15A ONSEMI 2572511.pdf Description: ONSEMI - FDH055N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FUSB251GEVB FUSB251GEVB ONSEMI EVBUM2637-D.PDF Description: ONSEMI - FUSB251GEVB - EVAL.BOARD USB-C ÜBERSPANNUNGSSCHUTZ
Prozessorkern: FUSB251UCX
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FUSB251UCX
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTJD5121NT2G NTJD5121NT2G ONSEMI ONSM-S-A0013576913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTJD5121NT2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 295
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTJD5121NT2G NTJD5121NT2G ONSEMI ONSM-S-A0013576913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTJD5121NT2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 295
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP603SN180T1G NCP603SN180T1G ONSEMI 2907206.pdf Description: ONSEMI - NCP603SN180T1G - LDO-FESTSP.REGL 1.8V 0.3A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 245mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 2776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP603SN180T1G NCP603SN180T1G ONSEMI 2907206.pdf Description: ONSEMI - NCP603SN180T1G - LDO-FESTSP.REGL 1.8V 0.3A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 245mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 2776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP603SN500T1G NCP603SN500T1G ONSEMI 1842054.pdf Description: ONSEMI - NCP603SN500T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.75V bis 6Vin, 157mV Dropout-Spannung, 5V/300mAout, SOT-23-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -65
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 6
Eingangsspannung, min.: 1.75
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 157
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP603SN500T1G NCP603SN500T1G ONSEMI 1842054.pdf Description: ONSEMI - NCP603SN500T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.75V bis 6Vin, 157mV Dropout-Spannung, 5V/300mAout, SOT-23-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -65
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 6
Eingangsspannung, min.: 1.75
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 157
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP603SN330T1G NCP603SN330T1G ONSEMI 1842054.pdf Description: ONSEMI - NCP603SN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.75V-6Vin, 375mV Dropout, 3.3V/300mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 300mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 375mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP603SNADJT1G NCP603SNADJT1G ONSEMI 2160773.pdf Description: ONSEMI - NCP603SNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 1.75V bis 6V, 375mV Dropout, 1.25V bis 5V/300mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: -V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 375mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP603SN300T1G NCP603SN300T1G ONSEMI NCP603-D.PDF Description: ONSEMI - NCP603SN300T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP603SN130T1G NCP603SN130T1G ONSEMI NCP603-D.PDF Description: ONSEMI - NCP603SN130T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS6681Z FDS6681Z ONSEMI FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS9431A FDS9431A ONSEMI 2304010.pdf Description: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1SV251-TB-E 1SV251-TB-E ONSEMI en4403-d.pdf Description: ONSEMI - 1SV251-TB-E - HF/pin-Diode, Zwei in Reihe, 4.5 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Durchlassspannung: 920mV
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 50mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 83950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BAS40LT1G BAS40LT1G ONSEMI 2353772.pdf Description: ONSEMI - BAS40LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PZTA42 PZTA42 ONSEMI 2299909.pdf Description: ONSEMI - PZTA42 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 200 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Übergangsfrequenz ft: 50
Bauform - Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP730ASNADJT1G NCP730ASNADJT1G ONSEMI 2912887.pdf Description: ONSEMI - NCP730ASNADJT1G - LDO EINST 1.2-24V 0.15A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVF5501SKT3G NSVF5501SKT3G ONSEMI nsvf5501sk-d.pdf Description: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVF5501SKT3G NSVF5501SKT3G ONSEMI nsvf5501sk-d.pdf Description: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 250
Übergangsfrequenz ft: 5.5
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 7399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BD809G BD809G ONSEMI 1925023.pdf Description: ONSEMI - BD809G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Verlustleistung Pd: 90
Übergangsfrequenz ft: 1.5
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
BD810G BD810G ONSEMI 1925023.pdf Description: ONSEMI - BD810G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 90
Übergangsfrequenz ft: 1.5
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NSR0340V2T5G NSR0340V2T5G ONSEMI NSR0340V2T1-D.PDF Description: ONSEMI - NSR0340V2T5G - 40 V, 0.25 A LOW VF SOD-523 SCHOTTKY DIO
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP3170ADR2G NCP3170ADR2G ONSEMI 2354155.pdf Description: ONSEMI - NCP3170ADR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5Vout, 3Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP3170BDR2G NCP3170BDR2G ONSEMI 2354155.pdf Description: ONSEMI - NCP3170BDR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5V/3Aout, 1MHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 1
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Ausgangsspannung, min.: 1.25
Ausgangsspannung, max.: 5
Ausgangsstrom: 3
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Eingangsspannung, max.: 18
Eingangsspannung, min.: 4.5
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP3170ADR2G NCP3170ADR2G ONSEMI 2354155.pdf Description: ONSEMI - NCP3170ADR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5Vout, 3Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP3170BDR2G NCP3170BDR2G ONSEMI 2354155.pdf Description: ONSEMI - NCP3170BDR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5V/3Aout, 1MHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 1
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Ausgangsspannung, min.: 1.25
Ausgangsspannung, max.: 5
Ausgangsstrom: 3
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Eingangsspannung, max.: 18
Eingangsspannung, min.: 4.5
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP115ASN180T1G ONSEMI 2711386.pdf Description: ONSEMI - NCP115ASN180T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 1.8
Ausgangsstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 5.5
Eingangsspannung, min.: 1.9
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 445
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
LC717A00ARGEVK LC717A00ARGEVK ONSEMI 1718386.pdf Description: ONSEMI - LC717A00ARGEVK - Evaluationsboard, kapazitiver Berührungssensor
Prozessorkern: LC717A00AR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LC717A00AR01GEVB, LC717A00AR02GEVB, LC717A00AR03GEVB, LC717A00ARGPGEVB, MM-FT232H-Modul
Unterart Anwendung: Kapazitive Berührungstechnik
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
NLAS4684FCT1G NLAS4684FCT1G ONSEMI 1842031.pdf Description: ONSEMI - NLAS4684FCT1G - Analogschalter, 2 Kanäle, SPDT, 0.8 ohm, 1.8V bis 5.5V, Micro-Bump, 10 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: Micro-Bump
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
Analogschalter: SPDT
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 0.8
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NLAS4684FCT1G NLAS4684FCT1G ONSEMI 1842031.pdf Description: ONSEMI - NLAS4684FCT1G - Analogschalter, 2 Kanäle, SPDT, 0.8 ohm, 1.8V bis 5.5V, Micro-Bump, 10 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: Micro-Bump
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
Analogschalter: SPDT
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 0.8
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDD8424H FDD8424H ONSEMI 2014546.pdf Description: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 35W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDD8424H FDD8424H ONSEMI 2277526.pdf Description: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 35W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ESD5Z3.3T5G ESD5Z3.3T5G ONSEMI ESD5Z2.5T1-D.PDF Description: ONSEMI - ESD5Z3.3T5G - ESD-Schutzbaustein, 14.1 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, 500 mW, ESD5Z
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-523
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.1
Betriebsspannung: 3.3
Verlustleistung Pd: 500
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCP165N60E FCP165N60E ONSEMI 2304828.pdf Description: ONSEMI - FCP165N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.132 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCPF190N60E FCPF190N60E ONSEMI 2303906.pdf Description: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.16 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCP7N60 FCP7N60 ONSEMI fcpf7n60-d.pdf Description: ONSEMI - FCP7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCPF099N65S3 FCPF099N65S3 ONSEMI 2859341.pdf Description: ONSEMI - FCPF099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCPF400N80Z FCPF400N80Z ONSEMI ONSM-S-A0003584073-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCPF400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 11
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 35.7
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCPF7N60 FCPF7N60 ONSEMI 2303943.pdf Description: ONSEMI - FCPF7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCPF250N65S3R0L-F154 FCPF250N65S3R0L-F154 ONSEMI 3213412.pdf Description: ONSEMI - FCPF250N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCP380N60 FCP380N60 ONSEMI ONSM-S-A0003584318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCP380N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.33 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1805F-TL-E 2sd1805-d.pdf
2SD1805F-TL-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1805F-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1048-6-TB-E EN694-D.html
2SD1048-6-TB-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1048-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 700 mA, 200 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1802T-TL-E 2sb1202-d.pdf
2SD1802T-TL-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1802T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SD1801S-TL-E en2112-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1801S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1801
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
2SD1801S-TL-E en2112-d.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1801S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1801
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FGH30S130P 2859363.pdf
FGH30S130P
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH30S130P - IGBT, 60 A, 1.75 V, 500 W, 1.3 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.3kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQPF65N06 2304452.pdf
FQPF65N06
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.016 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 40
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 56
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1N5342BG ONSMS36970-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N5342BG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5342BG - Zener-Diode, 6.8 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N53
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FQA30N40 ONSM-S-A0003590957-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA30N40
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA30N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 290
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FQS4901TF 1725581.pdf
FQS4901TF
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQS4901TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 450 mA, 3.2 ohm, SOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 450
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTBG020N090SC1 ntbg020n090sc1-d.pdf
NTBG020N090SC1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FGL40N120ANDTU 2303862.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGL40N120ANDTU - IGBT,N-KANAL,SCHNELL,1200V,64A,TO264
Produkt ist nicht verfügbar
BC817-40LT1G description ONSM-S-A0013684650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BC817-40LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC817-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 45 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 85108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BD241CG 1916278.pdf
BD241CG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD241CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1N5927BRLG ONSMS11851-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N5927BRLG
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5927BRLG - Zener-Diode, 12 V, 3 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Zener-Spannung, nom.: 12V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
usEccn: EAR99
Diodenmontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: Surmetic 1N59xxB
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCT75DR2G 1916692.pdf
NCT75DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCT75DR2G - Temperatursensor-IC, Open-Drain, ± 3°C, -55 °C, +125 °C, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Erfassungsgenauigkeit: ± 3°C
IC-Ausgang: Open-Drain
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -55°C
Erfassungstemperatur, max.: +125°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCT75DR2G 1916692.pdf
NCT75DR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCT75DR2G - Temperatursensor-IC, Open-Drain, ± 3°C, -55 °C, +125 °C, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Erfassungsgenauigkeit: ± 3°C
IC-Ausgang: Open-Drain
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -55°C
Erfassungstemperatur, max.: +125°C
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC549CTA 1868820.pdf
BC549CTA
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC549CTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 34000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDH055N15A 2572511.pdf
FDH055N15A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDH055N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 156 A, 0.0048 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 156A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FUSB251GEVB EVBUM2637-D.PDF
FUSB251GEVB
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FUSB251GEVB - EVAL.BOARD USB-C ÜBERSPANNUNGSSCHUTZ
Prozessorkern: FUSB251UCX
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard FUSB251UCX
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTJD5121NT2G ONSM-S-A0013576913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTJD5121NT2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD5121NT2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 295
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NTJD5121NT2G ONSM-S-A0013576913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTJD5121NT2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD5121NT2G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 295
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP603SN180T1G 2907206.pdf
NCP603SN180T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN180T1G - LDO-FESTSP.REGL 1.8V 0.3A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 245mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 2776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP603SN180T1G 2907206.pdf
NCP603SN180T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN180T1G - LDO-FESTSP.REGL 1.8V 0.3A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 245mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 2776 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP603SN500T1G 1842054.pdf
NCP603SN500T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN500T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.75V bis 6Vin, 157mV Dropout-Spannung, 5V/300mAout, SOT-23-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -65
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 6
Eingangsspannung, min.: 1.75
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 157
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP603SN500T1G 1842054.pdf
NCP603SN500T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN500T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.75V bis 6Vin, 157mV Dropout-Spannung, 5V/300mAout, SOT-23-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -65
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 6
Eingangsspannung, min.: 1.75
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 157
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP603SN330T1G 1842054.pdf
NCP603SN330T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.75V-6Vin, 375mV Dropout, 3.3V/300mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 300mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 375mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP603SNADJT1G 2160773.pdf
NCP603SNADJT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 1.75V bis 6V, 375mV Dropout, 1.25V bis 5V/300mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: -V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.75V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 375mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP603SN300T1G NCP603-D.PDF
NCP603SN300T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN300T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP603SN130T1G NCP603-D.PDF
NCP603SN130T1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP603SN130T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
FDS6681Z FAIR-S-A0002366371-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS6681Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1382 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDS9431A 2304010.pdf
FDS9431A
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS9431A - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.5 A, 0.13 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1SV251-TB-E en4403-d.pdf
1SV251-TB-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SV251-TB-E - HF/pin-Diode, Zwei in Reihe, 4.5 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Durchlassspannung: 920mV
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 50mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 83950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BAS40LT1G 2353772.pdf
BAS40LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS40LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PZTA42 2299909.pdf
PZTA42
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZTA42 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 300 V, 200 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 40
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Übergangsfrequenz ft: 50
Bauform - Transistor: SOT-223
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP730ASNADJT1G 2912887.pdf
NCP730ASNADJT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP730ASNADJT1G - LDO EINST 1.2-24V 0.15A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 24V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 38V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 150mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 150mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 290mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 548 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVF5501SKT3G nsvf5501sk-d.pdf
NSVF5501SKT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-623
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 10V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 5.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NSVF5501SKT3G nsvf5501sk-d.pdf
NSVF5501SKT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF5501SKT3G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 250 mW, 70 mA, SOT-623
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 250
Übergangsfrequenz ft: 5.5
Bauform - HF-Transistor: SOT-623
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 10
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 7399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BD809G 1925023.pdf
BD809G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD809G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 10 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Verlustleistung Pd: 90
Übergangsfrequenz ft: 1.5
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (16-Jan-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
BD810G 1925023.pdf
BD810G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD810G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 10 A, 90 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 90
Übergangsfrequenz ft: 1.5
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NSR0340V2T5G NSR0340V2T1-D.PDF
NSR0340V2T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSR0340V2T5G - 40 V, 0.25 A LOW VF SOD-523 SCHOTTKY DIO
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP3170ADR2G 2354155.pdf
NCP3170ADR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3170ADR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5Vout, 3Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP3170BDR2G 2354155.pdf
NCP3170BDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3170BDR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5V/3Aout, 1MHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 1
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Ausgangsspannung, min.: 1.25
Ausgangsspannung, max.: 5
Ausgangsstrom: 3
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Eingangsspannung, max.: 18
Eingangsspannung, min.: 4.5
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP3170ADR2G 2354155.pdf
NCP3170ADR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3170ADR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5Vout, 3Aout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 1.25V
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 18V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NCP3170BDR2G 2354155.pdf
NCP3170BDR2G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP3170BDR2G - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 4.5V-18Vin, 1.25V-5V/3Aout, 1MHz, SOIC-8
Schaltfrequenz: 1
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: SOIC
Ausgangsspannung, min.: 1.25
Ausgangsspannung, max.: 5
Ausgangsstrom: 3
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Eingangsspannung, max.: 18
Eingangsspannung, min.: 4.5
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
NCP115ASN180T1G 2711386.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP115ASN180T1G - LDO VOLTAGE REGULATORS
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 1.8
Ausgangsstrom: 300
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TSOP
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 5.5
Eingangsspannung, min.: 1.9
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 1.8V 300mA LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 445
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
LC717A00ARGEVK 1718386.pdf
LC717A00ARGEVK
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC717A00ARGEVK - Evaluationsboard, kapazitiver Berührungssensor
Prozessorkern: LC717A00AR
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard LC717A00AR01GEVB, LC717A00AR02GEVB, LC717A00AR03GEVB, LC717A00ARGPGEVB, MM-FT232H-Modul
Unterart Anwendung: Kapazitive Berührungstechnik
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
NLAS4684FCT1G 1842031.pdf
NLAS4684FCT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLAS4684FCT1G - Analogschalter, 2 Kanäle, SPDT, 0.8 ohm, 1.8V bis 5.5V, Micro-Bump, 10 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: Micro-Bump
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
Analogschalter: SPDT
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 0.8
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
NLAS4684FCT1G 1842031.pdf
NLAS4684FCT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLAS4684FCT1G - Analogschalter, 2 Kanäle, SPDT, 0.8 ohm, 1.8V bis 5.5V, Micro-Bump, 10 Pin(s)
Bauform - Analogschalter: Micro-Bump
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
Analogschalter: SPDT
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
Durchlasswiderstand, max.: 0.8
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FDD8424H 2014546.pdf
FDD8424H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 35W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FDD8424H 2277526.pdf
FDD8424H
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD8424H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 9 A, 9 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 35W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 15274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
ESD5Z3.3T5G ESD5Z2.5T1-D.PDF
ESD5Z3.3T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD5Z3.3T5G - ESD-Schutzbaustein, 14.1 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, 500 mW, ESD5Z
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-523
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14.1
Betriebsspannung: 3.3
Verlustleistung Pd: 500
Produktpalette: ESD5Z
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
FCP165N60E 2304828.pdf
FCP165N60E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP165N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.132 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCPF190N60E 2303906.pdf
FCPF190N60E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.16 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCP7N60 fcpf7n60-d.pdf
FCP7N60
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 531 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCPF099N65S3 2859341.pdf
FCPF099N65S3
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCPF400N80Z ONSM-S-A0003584073-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCPF400N80Z
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF400N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 11
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 35.7
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 1064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCPF7N60 2303943.pdf
FCPF7N60
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF7N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.53 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCPF250N65S3R0L-F154 3213412.pdf
FCPF250N65S3R0L-F154
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF250N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 842 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
FCP380N60 ONSM-S-A0003584318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FCP380N60
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP380N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.33 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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