![FDS6681Z FDS6681Z](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/11a180157b8c46a399cfb2d6824c7d9dd8c56ec1/fan6292cmx.jpg)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2500+ | 1.45 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details FDS6681Z ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote FDS6681Z nach Preis ab 1.25 EUR bis 3.43 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDS6681Z | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS6681Z | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V |
auf Bestellung 19900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS6681Z | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS6681Z | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS6681Z | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS6681Z | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V |
auf Bestellung 22480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS6681Z | Hersteller : onsemi / Fairchild |
![]() |
auf Bestellung 111944 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FDS6681Z | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm |
auf Bestellung 2682 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
FDS6681Z | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm |
auf Bestellung 2682 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
FDS6681Z | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
FDS6681Z | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
FDS6681Z | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
FDS6681Z | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 260nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |