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HGTG5N120BND

HGTG5N120BND ON Semiconductor

hgtp5n120bnd-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details HGTG5N120BND ON Semiconductor

Description: IGBT NPT 1200V 21A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 65 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns, Switching Energy: 450µJ (on), 390µJ (off), Test Condition: 960V, 5A, 25Ohm, 15V, Gate Charge: 53 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 21 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A, Power - Max: 167 W.

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HGTG5N120BND HGTG5N120BND Hersteller : onsemi hgtp5n120bnd-d.pdf Description: IGBT NPT 1200V 21A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 450µJ (on), 390µJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 167 W
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