| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
KSP2907ACTA | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - KSP2907ACTA - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORSVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
FDBL86210-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL86210-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 169A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 4570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
FDBL0630N150 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 169A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
GF1A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - GF1A - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 2µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: GF1A productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 85986 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
FDLL3595 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDLL3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 mA, 1 V, 3 µs, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF) Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
NSVBAS21HT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVBAS21HT3G - 250 V SWITCHING DIODE HIGH VOLTAGE SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
SHN2D02FUTW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SHN2D02FUTW1T1G - ULTRA HIGH SPEED SWITCHING DIODE SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
NSD914XV2T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSD914XV2T5G - 100 V HIGH SPEED SWITCHING DIODE SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
BAWH56WT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAWH56WT1G - 70V COMMON ANODE SWITCHING DIODE SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
NSV1SS400T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSV1SS400T5G - SWITCHING DIODE, 100 V SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
NSVBAS20LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVBAS20LT3G - 200 V SWITCHING DIODE SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
SZBZX84C18LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZBZX84C18LT1G - Zener-Diode, 18 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250mW euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 18V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 8814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
BDV64BG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BDV64BG - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1482 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
DF06S2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF06S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 85A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: SDIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
DF06S2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF06S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 85A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: SDIP usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
DF06S1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF06S1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 1 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V Durchlassspannung Vf max.: 1.1 Durchlassspannung, max.: 1.1 Bauform - Brückengleichrichter: SDIP Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
DF06S. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DF06S. - DIODE, FULL REEL Durchlassspannung Vf max.: 1.1 Durchlassspannung, max.: 1.1 Bauform - Brückengleichrichter: SDIP Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount Anzahl der Phasen: Single Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600 SVHC: Lead |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
FSFR2100XS | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FSFR2100XS - Leistungsschalter für Halbbrücken-Resonanzwandler, High-Side, Low-Side, 1 Ausgang, 25V, 10.5A, SIP-9 tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.41ohm rohsCompliant: Y-EX Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Strombegrenzung: 10.5A MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: - Leistungsschaltertyp: High-Side, Low-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 25V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SIP Betriebstemperatur, max.: 130°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
2N3773G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - 2N3773G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 16 A, 150 W, TO-204AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 16A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-204AA Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
BZX79-C8V2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C8V2 - Zener-Diode, 8.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 8.2V SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 10457 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
BZX79C8V2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79C8V2 - Zener-Diode, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH) Qualifikation: - Zener-Spannung Vz, typ.: 8.2 Verlustleistung Pd: 500 Toleranz ±: 5 Verlustleistung: 500 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 200 Zener-Spannung, nom.: 8.2 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
BZX79C8V2-T50A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79C8V2-T50A - Zener-Diode, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH) Qualifikation: - Zener-Spannung Vz, typ.: 8.2 Verlustleistung Pd: 500 Toleranz ±: 5 Verlustleistung: 500 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 200 Zener-Spannung, nom.: 8.2 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
BZX85-C5V6 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX85-C5V6 - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Qualifikation: - Zener-Spannung Vz, typ.: 5.6 Verlustleistung Pd: 1 Toleranz ±: 5 Verlustleistung: 1 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: BZX85C Betriebstemperatur, max.: 200 Zener-Spannung, nom.: 5.6 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
BZX85-C6V8 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX85-C6V8 - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Qualifikation: - Zener-Spannung Vz, typ.: 6.8 Verlustleistung Pd: 1 Toleranz ±: 5 Verlustleistung: 1 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: BZX85C Betriebstemperatur, max.: 200 Zener-Spannung, nom.: 6.8 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
J105 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - J105 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 500 mA, 10 V, TO-92, JFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: - Durchbruchspannung Vbr: -25 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 500 Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 10 Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
BZX84C3V3LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84CxxxLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 3.3V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 82405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
1N5404RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5404RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 200A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5404 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
US1GFA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - US1GFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: SOD-123FA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
US1GFA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - US1GFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: SOD-123FA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
NGTB15N120IHRWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB15N120IHRWG - IGBT, 30 A, 2.1 V, 333 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1 Verlustleistung Pd: 333 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 30 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
NCV1406SNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV1406SNT1G - BOOST CONVERTER, PFM, DC-DC, 25 V, 25 MA MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
BZX79C15 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79C15 - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 15V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 49916 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
BZX79-C4V7 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C4V7 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 12848 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
BZX79C3V3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79C3V3 - Zener-Diode, 3.3 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 3.3V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 12170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
BZX79-C10 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C10 - Zener-Diode, 10 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 10V SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 12966 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
BZX79-C9V1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX79-C9V1 - Zener-Diode, 9.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-35 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZX79 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 9.1V SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 6010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
KSP13BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSP13BU - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625mW euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2734 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
KSP13TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSP13TA - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625mW euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
BUV21G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 40A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
BD682G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD682G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-225 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 4A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
FDG6322C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
NUP4114UCW1T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP4114UCW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114 Anzahl der Pins: 6 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Bauform - Diode: SC-88 Begrenzungsspannung Vc, max.: 10 Betriebsspannung: 5.5 Verlustleistung Pd: - Produktpalette: NUP4114 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 31017 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
NUP4114UCLW1T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NUP4114UCLW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114 Anzahl der Pins: 6 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Bauform - Diode: SC-88 Begrenzungsspannung Vc, max.: 10 Betriebsspannung: 5.5 Verlustleistung Pd: - Produktpalette: NUP4114 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
FDD9511L-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 48.4 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.8 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
FDD9511L-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 48.4 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1.8 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
BC847AWT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 12328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
PCA9655EDWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PCA9655EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, 1.65 V, 5.5 V, SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden IC-Schnittstelle: I2C Versorgungsspannung, min.: 1.65 Busfrequenz: 1 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16 Anzahl der Pins: 24 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC Chipkonfiguration: 16bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
NLVVHC1GT126DT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
NLVVHC1GT126DF1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
NLVVHCT125ADTRG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVVHCT125ADTRG - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVEL MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
NLVVHCT126ADTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVVHCT126ADTR2G - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVEL MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
NLVVHC1GT50DFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT50DFT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
NL17VHC1GT50DF1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NL17VHC1GT50DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
NCL30086BHDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCL30086BHDR2G - LED-Treiber, Buck-Boost, Flyback, SEPIC, 8.2V bis 20Vin, 1 Ausgang, 12V/500mAout, SOIC-10 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 12V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 20V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 500mA Eingangsspannung, min.: 8.2V Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
NCL37733BSNT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCL37733BSNT1G - LED-Treiber, Buck-Boost/Flyback/SEPIC, TSOP-6, -40 bis 125°C tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSOP MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 25.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: - Eingangsspannung, min.: 9.4V Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code LED-Treiber: Isolated, Non Isolated Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
KA78R05CTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KA78R05CTU - LDO-Festspannungsregler, 35Vin, 500mV Dropout-Spannung, 5V/1Aout, TO-220FP-4 Ausgang: Fest Feste Ausgangsspannung, nom.: 5 Ausgangsstrom: 1 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: - Bauform - LDO-Regler: TO-220FP Betriebstemperatur, min.: -20 Einstellbare Ausgangsspannung, min.: - Eingangsspannung, max.: 35 Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: 5V 1A LDO Voltage Regulators Dropout-Spannung Vdo: 500 Betriebstemperatur, max.: 80 SVHC: Lead (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
KA5H0365RTU.. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KA5H0365RTU.. - HIGH-SIDE POWER SWITCH, 28V, TO220-4 Durchlasswiderstand: 4.5 Überhitzungsschutz: Yes Strombegrenzung: 2.15 Betriebstemperatur, min.: -25 Polarität der Eingänge On / Enable: Active High Leistungsschaltertyp: High Side Eingangsspannung: 28 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-220 Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl der Ausgänge: 1 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
RB520S30T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RB520S30T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 200 mA, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 Durchlassstoßstrom: 200mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RB520 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 41987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
RB520S30T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RB520S30T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 30 V SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
RB520S30 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RB520S30 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C Durchlassspannung Vf max.: 600 Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30 Anzahl der Pins: 2 Bauform - Diode: SOD-523F Diodenkonfiguration: Einfach Betriebstemperatur, max.: 150 Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 1 Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200 Produktpalette: RB520 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
Produkt ist nicht verfügbar |
| KSP2907ACTA |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP2907ACTA - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - KSP2907ACTA - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| FDBL86210-F085 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86210-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDBL86210-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDBL0630N150 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| GF1A |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - GF1A - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: GF1A
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - GF1A - Diode mit Standard-Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 1 V, 2 µs, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: GF1A
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 85986 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDLL3595 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDLL3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 mA, 1 V, 3 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDLL3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 mA, 1 V, 3 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NSVBAS21HT3G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBAS21HT3G - 250 V SWITCHING DIODE HIGH VOLTAGE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NSVBAS21HT3G - 250 V SWITCHING DIODE HIGH VOLTAGE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| SHN2D02FUTW1T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SHN2D02FUTW1T1G - ULTRA HIGH SPEED SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - SHN2D02FUTW1T1G - ULTRA HIGH SPEED SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| NSD914XV2T5G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSD914XV2T5G - 100 V HIGH SPEED SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NSD914XV2T5G - 100 V HIGH SPEED SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| BAWH56WT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAWH56WT1G - 70V COMMON ANODE SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - BAWH56WT1G - 70V COMMON ANODE SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
| NSV1SS400T5G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSV1SS400T5G - SWITCHING DIODE, 100 V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NSV1SS400T5G - SWITCHING DIODE, 100 V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| NSVBAS20LT3G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVBAS20LT3G - 200 V SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NSVBAS20LT3G - 200 V SWITCHING DIODE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| SZBZX84C18LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZBZX84C18LT1G - Zener-Diode, 18 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - SZBZX84C18LT1G - Zener-Diode, 18 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 18V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 8814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BDV64BG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BDV64BG - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BDV64BG - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DF06S2 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF06S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 85A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - DF06S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 85A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DF06S2 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF06S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 85A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - DF06S2 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 2 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 85A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DF06S1 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF06S1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 1 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - DF06S1 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 600 V, 1 A, SDIP, 4 Pin(s), 1.1 V
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| DF06S. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - DF06S. - DIODE, FULL REEL
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead
Description: ONSEMI - DF06S. - DIODE, FULL REEL
Durchlassspannung Vf max.: 1.1
Durchlassspannung, max.: 1.1
Bauform - Brückengleichrichter: SDIP
Montage des Brückengleichrichters: Surface Mount
Anzahl der Phasen: Single Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 600
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
| FSFR2100XS |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSFR2100XS - Leistungsschalter für Halbbrücken-Resonanzwandler, High-Side, Low-Side, 1 Ausgang, 25V, 10.5A, SIP-9
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.41ohm
rohsCompliant: Y-EX
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 10.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side, Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SIP
Betriebstemperatur, max.: 130°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FSFR2100XS - Leistungsschalter für Halbbrücken-Resonanzwandler, High-Side, Low-Side, 1 Ausgang, 25V, 10.5A, SIP-9
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.41ohm
rohsCompliant: Y-EX
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 10.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side, Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 25V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SIP
Betriebstemperatur, max.: 130°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
| 2N3773G | |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N3773G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 16 A, 150 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 16A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2N3773G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 16 A, 150 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 16A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BZX79-C8V2 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C8V2 - Zener-Diode, 8.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 8.2V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BZX79-C8V2 - Zener-Diode, 8.2 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 8.2V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 10457 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BZX79C8V2 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C8V2 - Zener-Diode, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 8.2
Verlustleistung Pd: 500
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 8.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - BZX79C8V2 - Zener-Diode, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 8.2
Verlustleistung Pd: 500
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 8.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| BZX79C8V2-T50A |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C8V2-T50A - Zener-Diode, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 8.2
Verlustleistung Pd: 500
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 8.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - BZX79C8V2-T50A - Zener-Diode, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 8.2
Verlustleistung Pd: 500
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 8.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| BZX85-C5V6 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C5V6 - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 5.6
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 5.6
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - BZX85-C5V6 - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 5.6
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 5.6
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
| BZX85-C6V8 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C6V8 - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 6.8
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 6.8
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - BZX85-C6V8 - Zener-Diode, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Zener-Spannung Vz, typ.: 6.8
Verlustleistung Pd: 1
Toleranz ±: 5
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BZX85C
Betriebstemperatur, max.: 200
Zener-Spannung, nom.: 6.8
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
| J105 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - J105 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 500 mA, 10 V, TO-92, JFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -
Durchbruchspannung Vbr: -25
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 500
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 10
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - J105 - JFET-Transistor, JFET, -25 V, 500 mA, 10 V, TO-92, JFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: -
Durchbruchspannung Vbr: -25
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 500
Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 10
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
| BZX84C3V3LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BZX84C3V3LT1G - Zener-Diode, 3.3 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 82405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 1N5404RLG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5404RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5404
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 1N5404RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1 V, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5404
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| US1GFA |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - US1GFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - US1GFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| US1GFA |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - US1GFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - US1GFA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Fuse Kits
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NGTB15N120IHRWG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NGTB15N120IHRWG - IGBT, 30 A, 2.1 V, 333 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1
Verlustleistung Pd: 333
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NGTB15N120IHRWG - IGBT, 30 A, 2.1 V, 333 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1
Verlustleistung Pd: 333
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| NCV1406SNT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV1406SNT1G - BOOST CONVERTER, PFM, DC-DC, 25 V, 25 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NCV1406SNT1G - BOOST CONVERTER, PFM, DC-DC, 25 V, 25 MA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| BZX79C15 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C15 - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BZX79C15 - Zener-Diode, 15 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 49916 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BZX79-C4V7 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C4V7 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BZX79-C4V7 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 12848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BZX79C3V3 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C3V3 - Zener-Diode, 3.3 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BZX79C3V3 - Zener-Diode, 3.3 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BZX79-C10 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C10 - Zener-Diode, 10 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BZX79-C10 - Zener-Diode, 10 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 12966 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BZX79-C9V1 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79-C9V1 - Zener-Diode, 9.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - BZX79-C9V1 - Zener-Diode, 9.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX79
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 6010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| KSP13BU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP13BU - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - KSP13BU - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2734 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| KSP13TA |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP13TA - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - KSP13TA - Darlington-Transistor, NPN, 30 V, 625 mW, 500 mA, TO-92, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BUV21G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 40A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BUV21G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 200 V, 40 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 40A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| BD682G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD682G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BD682G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 40 W, 4 A, TO-225, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDG6322C |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 775 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NUP4114UCW1T2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4114UCW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
Anzahl der Pins: 6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SC-88
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10
Betriebsspannung: 5.5
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: NUP4114
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NUP4114UCW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
Anzahl der Pins: 6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SC-88
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10
Betriebsspannung: 5.5
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: NUP4114
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 31017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NUP4114UCLW1T2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4114UCLW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
Anzahl der Pins: 6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SC-88
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10
Betriebsspannung: 5.5
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: NUP4114
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NUP4114UCLW1T2G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SC-88, 6 Pin(s), 5.5 V, NUP4114
Anzahl der Pins: 6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SC-88
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10
Betriebsspannung: 5.5
Verlustleistung Pd: -
Produktpalette: NUP4114
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| FDD9511L-F085 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| FDD9511L-F085 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDD9511L-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 25 A, 0.017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48.4
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| BC847AWT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC847AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BC847AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| PCA9655EDWR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCA9655EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, 1.65 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - PCA9655EDWR2G - I/O-Erweiterung, 16bit, 1 MHz, I2C, 1.65 V, 5.5 V, SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: I2C
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Busfrequenz: 1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| NLVVHC1GT126DT1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| NLVVHC1GT126DF1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT126DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| NLVVHCT125ADTRG |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHCT125ADTRG - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLVVHCT125ADTRG - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| NLVVHCT126ADTR2G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHCT126ADTR2G - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLVVHCT126ADTR2G - QUAD BUS BUFFER, 3-STATE, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| NLVVHC1GT50DFT1G |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT50DFT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT50DFT1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| NL17VHC1GT50DF1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17VHC1GT50DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NL17VHC1GT50DF1G - SINGLE NON-INVERTING BUFFER, TTL LEVEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| NCL30086BHDR2G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCL30086BHDR2G - LED-Treiber, Buck-Boost, Flyback, SEPIC, 8.2V bis 20Vin, 1 Ausgang, 12V/500mAout, SOIC-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: 8.2V
Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NCL30086BHDR2G - LED-Treiber, Buck-Boost, Flyback, SEPIC, 8.2V bis 20Vin, 1 Ausgang, 12V/500mAout, SOIC-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: 8.2V
Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
| NCL37733BSNT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCL37733BSNT1G - LED-Treiber, Buck-Boost/Flyback/SEPIC, TSOP-6, -40 bis 125°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 25.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 9.4V
Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Isolated, Non Isolated
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCL37733BSNT1G - LED-Treiber, Buck-Boost/Flyback/SEPIC, TSOP-6, -40 bis 125°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 25.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 9.4V
Topologie: Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Isolated, Non Isolated
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| KA78R05CTU |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA78R05CTU - LDO-Festspannungsregler, 35Vin, 500mV Dropout-Spannung, 5V/1Aout, TO-220FP-4
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 1
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-220FP
Betriebstemperatur, min.: -20
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 35
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: 5V 1A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 500
Betriebstemperatur, max.: 80
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - KA78R05CTU - LDO-Festspannungsregler, 35Vin, 500mV Dropout-Spannung, 5V/1Aout, TO-220FP-4
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 1
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-220FP
Betriebstemperatur, min.: -20
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 35
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: 5V 1A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 500
Betriebstemperatur, max.: 80
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
| KA5H0365RTU.. |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - KA5H0365RTU.. - HIGH-SIDE POWER SWITCH, 28V, TO220-4
Durchlasswiderstand: 4.5
Überhitzungsschutz: Yes
Strombegrenzung: 2.15
Betriebstemperatur, min.: -25
Polarität der Eingänge On / Enable: Active High
Leistungsschaltertyp: High Side
Eingangsspannung: 28
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-220
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - KA5H0365RTU.. - HIGH-SIDE POWER SWITCH, 28V, TO220-4
Durchlasswiderstand: 4.5
Überhitzungsschutz: Yes
Strombegrenzung: 2.15
Betriebstemperatur, min.: -25
Polarität der Eingänge On / Enable: Active High
Leistungsschaltertyp: High Side
Eingangsspannung: 28
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-220
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
| RB520S30T1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RB520S30T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RB520
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - RB520S30T1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RB520
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 41987 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| RB520S30T5G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RB520S30T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 30 V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - RB520S30T5G - SCHOTTKY BARRIER DIODE, 30 V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
| RB520S30 |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RB520S30 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C
Durchlassspannung Vf max.: 600
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-523F
Diodenkonfiguration: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 1
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Produktpalette: RB520
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - RB520S30 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 1 A, 150 °C
Durchlassspannung Vf max.: 600
Periodische Sperrspannung Vrrm, max.: 30
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-523F
Diodenkonfiguration: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150
Spitzendurchlassstrom Ifsm, max.: 1
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 200
Produktpalette: RB520
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar