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FDG6322C onsemi
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Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.24 EUR |
6000+ | 0.23 EUR |
9000+ | 0.22 EUR |
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Technische Details FDG6322C onsemi
Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote FDG6322C nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.72 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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FDG6322C | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDG6322C | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDG6322C | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3342 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDG6322C | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V Case: SC70-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.3W Gate charge: 0.4/1.5nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: 0.22/0.41A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 25/-25V Kind of transistor: complementary pair Type of transistor: N/P-MOSFET On-state resistance: 7/1.9Ω Gate-source voltage: ±8/±8V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2863 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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FDG6322C | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V Case: SC70-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.3W Gate charge: 0.4/1.5nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: 0.22/0.41A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 25/-25V Kind of transistor: complementary pair Type of transistor: N/P-MOSFET On-state resistance: 7/1.9Ω Gate-source voltage: ±8/±8V |
auf Bestellung 2863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDG6322C | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 3342 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDG6322C | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 36030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDG6322C | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) Part Status: Active |
auf Bestellung 28061 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FDG6322C | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDG6322C | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 300mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 300mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDG6322C | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FDG6322C |
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auf Bestellung 55000 Stücke: Lieferzeit 18-25 Tag (e) |
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FDG6322C | Hersteller : ON Semiconductor |
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