Produkte > ON SEMICONDUCTOR > BC847AWT1G
BC847AWT1G

BC847AWT1G ON Semiconductor

bc846awt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 19074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5715+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 5715
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BC847AWT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC847AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote BC847AWT1G nach Preis ab 0.022 EUR bis 0.6 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
BC847AWT1G BC847AWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5715+0.027 EUR
6000+ 0.026 EUR
9000+ 0.025 EUR
24000+ 0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 5715
BC847AWT1G BC847AWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5650+0.028 EUR
6000+ 0.026 EUR
9000+ 0.025 EUR
24000+ 0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 5650
BC847AWT1G BC847AWT1G Hersteller : onsemi bc846awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.04 EUR
6000+ 0.038 EUR
9000+ 0.032 EUR
30000+ 0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BC847AWT1G BC847AWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 19074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
863+0.18 EUR
1659+ 0.091 EUR
1676+ 0.087 EUR
2404+ 0.058 EUR
2428+ 0.055 EUR
2632+ 0.049 EUR
2924+ 0.042 EUR
5435+ 0.023 EUR
6000+ 0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 863
BC847AWT1G BC847AWT1G Hersteller : onsemi BC846AWT1_D-2310458.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
auf Bestellung 23904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.29 EUR
14+ 0.2 EUR
100+ 0.083 EUR
1000+ 0.058 EUR
3000+ 0.035 EUR
9000+ 0.032 EUR
24000+ 0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BC847AWT1G BC847AWT1G Hersteller : onsemi bc846awt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 35916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
53+0.33 EUR
77+ 0.23 EUR
141+ 0.12 EUR
500+ 0.098 EUR
1000+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 53
BC847AWT1G BC847AWT1G Hersteller : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 110...220
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
120+0.6 EUR
460+ 0.16 EUR
1260+ 0.057 EUR
12000+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 120
BC847AWT1G BC847AWT1G Hersteller : ONSEMI bc846awt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 110...220
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
120+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 120
BC847AWT1G BC847AWT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC847AWT1G BC847AWT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013684657-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BC847AWT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC847AWT1G BC847AWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC847AWT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0000772277-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC847AWT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BC847AWT1G BC847AWT1G Hersteller : ON Semiconductor bc846awt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar