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TK30A06J3A(LBS2PQM

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TK30A06J3A(Q,M)

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TK30A06J3A(STA4,QM

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TK30A06J3A,LS2PQ(J

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TK30A06J3A,S5Q(J

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TK30A06N1,S4X

MOSFETs MOSFET NCh11.5ohm VGS10V 10uA VDS60V

auf Bestellung 1965 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.2 EUR
10+	1.15 EUR
100+	0.8 EUR
250+	0.78 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.58 EUR
5000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TK30A06N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 30 V

auf Bestellung 562 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.02 EUR
14+	1.27 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 9

TK30A06N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

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TK30A06N1,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK30A06N1,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 1756 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK30A06N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

auf Bestellung 181 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 102

TK30A06N1S4X(S

MOSFET

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TK30E06N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK30E06N1,S1X

MOSFET N-Ch PWR FET 43A 53W 60V VDSS

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.44 EUR
10+	1.16 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.59 EUR
5000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK30E06N1,S1X

Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

TK30E06N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

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TK30E06N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

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TK30E06N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK30E06N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0122 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1893 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK30E06N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

auf Bestellung 149 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

92+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 92

TK30E06N1,S1X(S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; 53W; TO220AB
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
On-state resistance: 12.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TK30E06N1,S1X(S

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TK30J25D

MOSFET

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TK30J25D,S1F(O

TK30J25D,S1F(O

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	7.77 EUR
23+	6.34 EUR

Mindestbestellmenge: 20

TK30J25D,S1F(O

PWR-MOSFET N-CHANNEL

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TK30J25DS1F(O

MOSFET

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TK30S06K3L(T6L1,NQ

Description: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V

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TK30S06K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-Ch MOS 30A 60V 30W 1350pF 0.018

auf Bestellung 1939 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.97 EUR
10+	1.6 EUR
100+	1.25 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.86 EUR
2000+	0.81 EUR
4000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK30S06K3L(T6L1,NQ

Trans MOSFET N-CH Si 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

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TK31

Extech

Digital Multimeters

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TK3140

Description: Replacement for Kenwood TK3140 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3140
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK3148

Description: Replacement for Kenwood TK3148 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3148
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK3160

Description: Replacement for Kenwood TK3160 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3160
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK3168

Description: Replacement for Kenwood TK3168 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3168
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK3170

Description: Replacement for Kenwood TK3170 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3170
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK3173

Description: Replacement for Kenwood TK3173 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3173
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK3178

Description: Replacement for Kenwood TK3178 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3178
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK31A60W

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TK31A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

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TK31A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

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TK31A60W,S4VX

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK31A60W,S4VX

MOSFETs N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.4 EUR
10+	10.91 EUR
25+	10.75 EUR
50+	8.75 EUR
100+	7.97 EUR
250+	7.8 EUR
500+	7.08 EUR

TK31A60W,S4VX(M

Description: TOSHIBA - TK31A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 44 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

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TK31A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

auf Bestellung 62 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	6.96 EUR

Mindestbestellmenge: 22

TK31A60WS4VX(M

MOSFET

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TK31A60WS4VX(M-X

MOSFET

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TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31E60W,S1VX

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

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TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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TK31E60W,S1VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31E60W,S1VX

MOSFETs N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC

auf Bestellung 33 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.58 EUR
10+	10.74 EUR
25+	10.45 EUR
50+	9.13 EUR
100+	8.5 EUR
250+	8.25 EUR
500+	7.6 EUR

TK31E60W,S1VX(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

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TK31E60W,S1VX(S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30.8A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TK31E60W,S1VX(S

Description: TOSHIBA - TK31E60W,S1VX(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 19 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31E60W,S1VX(S

Produkt ist nicht verfügbar

TK31E60W,S1VX(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	7.99 EUR
30+	4.92 EUR

Mindestbestellmenge: 19

TK31E60W,S1VX(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

auf Bestellung 188 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.16 EUR
26+	5.63 EUR
50+	4.4 EUR
100+	3.96 EUR

Mindestbestellmenge: 17

TK31E60X,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK31E60X,S1X

MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V)

auf Bestellung 178 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.06 EUR
10+	6.99 EUR
50+	6.62 EUR
100+	5.6 EUR
250+	5.42 EUR
500+	5.03 EUR
1000+	4.35 EUR

TK31E60X,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK31E60X,S1X

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.73 EUR
50+	6.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TK31E60X,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK31E60X,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31E60X,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

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TK31E60X,S1X(S)

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31E60XS1X(S

MOSFET

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TK31J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31J60W,S1VQ

MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC

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TK31J60W,S1VQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P

Produkt ist nicht verfügbar

TK31J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

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TK31J60W,S1VQ(O

TK31J60W,S1VQ(O

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TK31J60W,S1VQ(O

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31J60W5,S1VQ

MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC

Produkt ist nicht verfügbar

TK31J60W5,S1VQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)

Produkt ist nicht verfügbar

TK31J60W5,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

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TK31J60W5,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

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TK31J60W5,S1VQ(O

TK31J60W5,S1VQ(O

auf Bestellung 157 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

34+	4.5 EUR

Mindestbestellmenge: 34

TK31J60W5,S1VQ(O

TK31J60W5,S1VQ(O

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TK31N60W,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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TK31N60W,S1VF
Produktcode: 129935

Transistoren > MOSFET N-CH

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TK31N60W,S1VF

MOSFETs DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF

auf Bestellung 89 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.2 EUR
10+	11.11 EUR
30+	10.68 EUR
60+	9.73 EUR
120+	9.22 EUR
270+	9.15 EUR
510+	9.01 EUR

TK31N60W,S1VF

Description: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

Produkt ist nicht verfügbar

TK31N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

Produkt ist nicht verfügbar

TK31N60W,S1VF(S

Description: TOSHIBA - TK31N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	7.94 EUR
23+	6.49 EUR
30+	5.08 EUR

Mindestbestellmenge: 20

TK31N60W5

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TK31N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK31N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK31N60W5,S1VF

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.65 EUR
10+	8.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK31N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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TK31N60W5,S1VF
Produktcode: 171563

Transistoren > MOSFET N-CH

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TK31N60W5,S1VF

MOSFETs MOSFET NChtrr135ns 0.082ohm DTMOS

auf Bestellung 82 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.84 EUR
10+	8.94 EUR
30+	8.48 EUR
60+	8.01 EUR
120+	6.55 EUR
510+	6.02 EUR

TK31N60W5,S1VF(S

Description: TOSHIBA - TK31N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.082 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 259 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31N60W5,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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TK31N60W5S1VF(S

MOSFETs

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TK31N60WS1VF(S

MOSFETs

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TK31N60WS1VF(S-X

MOSFET

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TK31N60X,S1F

MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 166-170 Tag (e)

1+	9.8 EUR
10+	7.15 EUR
30+	6.62 EUR
60+	5.19 EUR
270+	4.56 EUR

TK31N60X,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK31N60X,S1F
Produktcode: 169333

Verschiedene Bauteile > Other components 3

Produkt ist nicht verfügbar

TK31N60X,S1F

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

Produkt ist nicht verfügbar

TK31N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	8.05 EUR

Mindestbestellmenge: 19

TK31N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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TK31N60X,S1F(S

Description: TOSHIBA - TK31N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31N60XS1F(S

MOSFETs

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TK31V60W

MOSFET

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TK31V60W,LVQ

MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 240W 3000pF 30.8A

Produkt ist nicht verfügbar

TK31V60W,LVQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

auf Bestellung 2455 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.76 EUR
10+	11.79 EUR
100+	9.83 EUR
500+	8.67 EUR
1000+	7.8 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

auf Bestellung 1033 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	6.59 EUR
100+	6.01 EUR
500+	5.54 EUR
1000+	5.24 EUR

Mindestbestellmenge: 23

TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

auf Bestellung 1033 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

23+	6.59 EUR
100+	6.01 EUR
500+	5.54 EUR
1000+	5.24 EUR

Mindestbestellmenge: 23

TK31V60W,LVQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

Produkt ist nicht verfügbar

TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

Produkt ist nicht verfügbar

TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R Si - Arrow.com

Produkt ist nicht verfügbar

TK31V60W,LVQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2326 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31V60W,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

TK31V60W,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	7.47 EUR
32+	4.59 EUR
50+	3.58 EUR
100+	3.22 EUR
200+	3.08 EUR
500+	2.62 EUR
1000+	2.35 EUR
2000+	2.29 EUR
2500+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 21

TK31V60W,LVQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60W,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2326 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31V60W5,LVQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

auf Bestellung 11747 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.03 EUR
10+	5.35 EUR
100+	3.82 EUR
500+	3.16 EUR
1000+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TK31V60W5,LVQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK31V60W5,LVQ

MOSFET N-Ch DTMOSIV 600V 240W 3000pF 30.8A

auf Bestellung 12518 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.56 EUR
10+	5.53 EUR
25+	5.23 EUR
100+	4.47 EUR
250+	4.22 EUR
500+	3.98 EUR
1000+	3.4 EUR

TK31V60W5,LVQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

TK31V60W5,LVQ(S

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 240W; DFN; 8x8mm
Case: DFN
Mounting: SMD
Dimensions: 8x8mm
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 105nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30.8A
On-state resistance: 109mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar

Produkt ist nicht verfügbar

TK31V60W5,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

auf Bestellung 2490 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	7.01 EUR
25+	5.94 EUR
50+	4.55 EUR
100+	4.35 EUR
200+	3.99 EUR
500+	3.42 EUR
1000+	3.19 EUR

Mindestbestellmenge: 22

TK31V60W5,LVQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2295 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31V60W5,LVQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK31V60W5,LVQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2295 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK31V60W5,LVQ(S

Produkt ist nicht verfügbar

TK31V60X,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP

Produkt ist nicht verfügbar

TK31V60X,LQ

MOSFETs DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)

auf Bestellung 2063 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.15 EUR
10+	6.51 EUR
25+	5.97 EUR
50+	5.47 EUR
100+	4.7 EUR
250+	4.44 EUR
500+	4.07 EUR

TK31V60X,LQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	3.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

TK31V60X,LQ

Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

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3+	8.1 EUR
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TK31V60X,LQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3950 Stücke:

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TK31V60X,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

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TK31V60X,LQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 5-Pin DFN EP T/R

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Mindestbestellmenge: 19

TK31V60X,LQ(S

Description: TOSHIBA - TK31V60X,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.078 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 3950 Stücke:

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TK31Z60X,S1F

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V

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TK31Z60X,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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TK31Z60X,S1F

MOSFET TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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TK31Z60X,S1F(O

PWR-MOSFET N-CHANNEL

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TK31Z60X,S1F(O

Description: TOSHIBA - TK31Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.073 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 19 Stücke:

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TK31Z60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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TK31Z60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

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TK32

Extech

Clamp Multimeters & Accessories TRMS PROFESSIONAL

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TK32-T01-MG01-B1C-1553-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1C-1603-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 160C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1C-1703-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 170C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1C-1853-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 185C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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10+	13.57 EUR
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TK32-T01-MG01-B1C-1903-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 190C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1C-1953-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 195C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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1+	12.04 EUR
10+	9.63 EUR
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TK32-T01-MG01-B1C-2003-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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1+	15 EUR
10+	13.57 EUR
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TK32-T01-MG01-B1C-2053-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 200C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1C-2103-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 210C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1C-2153-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 215C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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10+	13.57 EUR
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TK32-T01-MG01-B1C-2203-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 220C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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10+	13.57 EUR
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TK32-T01-MG01-B1P-1053-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 105C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1P-1103-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 110C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1P-1253-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 125C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1P-1303-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1P-303-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 30C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1P-403-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 40C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1P-653-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 65C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T01-MG01-B1P-903-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 90C 6.3x0.8mm terminals/0 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T02-MG01-B1C-1553-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 155C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T02-MG01-B1C-1653-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 165C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

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10+	13.57 EUR
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TK32-T02-MG01-B1C-1853-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 185C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T02-MG01-B1C-1903-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 190C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T02-MG01-B1C-1953-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 195C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T02-MG01-B1C-2053-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 205C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T02-MG01-B1C-2353-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 235C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

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10+	14.92 EUR
50+	12.04 EUR
100+	10.19 EUR
200+	9.94 EUR
500+	8.38 EUR
1000+	7.44 EUR

TK32-T02-MG01-B1C-2404-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 240C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-4% tol.

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1+	16.49 EUR
10+	14.92 EUR
50+	12.04 EUR
100+	10.19 EUR
200+	9.94 EUR
500+	8.38 EUR
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TK32-T02-MG01-B1P-1203-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 120C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

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1+	13.55 EUR
10+	12.27 EUR
50+	9.91 EUR
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500+	6.88 EUR
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TK32-T02-MG01-B1P-1303-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 130C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

Produkt ist nicht verfügbar

TK32-T02-MG01-B1P-1503-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 150C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

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10+	12.27 EUR
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200+	8.17 EUR
500+	6.88 EUR
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TK32-T02-MG01-B1P-453-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 45C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

auf Bestellung 100 Stücke:

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10+	12.27 EUR
50+	9.91 EUR
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200+	8.17 EUR
500+	6.88 EUR
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TK32-T02-MG01-B1P-553-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 55C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

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TK32-T02-MG01-B1P-703-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 70C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

auf Bestellung 100 Stücke:

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1+	13.55 EUR
10+	12.27 EUR
50+	9.91 EUR
100+	8.38 EUR
200+	8.17 EUR
500+	6.88 EUR
1000+	6.12 EUR

TK32-T02-MG01-B1P-753-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 75C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

auf Bestellung 99 Stücke:

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1+	13.55 EUR
10+	12.27 EUR
50+	9.91 EUR
100+	8.38 EUR
200+	8.17 EUR
500+	6.88 EUR
1000+	6.12 EUR

TK32-T02-MG01-B1P-953-MIC

Thermostats 1/2" Bi-metal / , 95C 6.3x0.8mm terminals/90 deg angle +/-3% tol.

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TK3200

Description: Replacement for Kenwood TK3200 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3200
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK3202

Description: Replacement for Kenwood TK3202 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3202
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK3206

Description: Replacement for Kenwood TK3206 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3206
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK3207

Description: Replacement for Kenwood TK3207 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3207
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK32A12N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 120V 32A TO-220

auf Bestellung 9 Stücke:

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TK32A12N1,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK32A12N1,S4X

MOSFET MOSFET NCh11ohm VGS10V10uAVDS120V

auf Bestellung 193 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.95 EUR
10+	1.59 EUR
100+	1.39 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.88 EUR
2500+	0.86 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK32A12N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

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TK32E12N1

Produkt ist nicht verfügbar

TK32E12N1,S1X
Produktcode: 190147

Transistoren > MOSFET N-CH

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TK32E12N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

Produkt ist nicht verfügbar

TK32E12N1,S1X

MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC

auf Bestellung 190 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.43 EUR
10+	2.06 EUR
100+	1.6 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.02 EUR
2500+	1 EUR
5000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK32E12N1,S1X

Description: MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V

auf Bestellung 123 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.32 EUR
50+	1.87 EUR
100+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 8

TK32E12N1,S1X(S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 32A; 98W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 32A
Power dissipation: 98W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TK32E12N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK32E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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TK32E12N1,S1X(S

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TK32E12N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

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TK32E12N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

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TK32SCR.05.1,30.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Related items: TK32SCR
Mounting: screw-in
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 1.3mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
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TK32SCR.05.1,30.S.150.A

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TK32SCR.05.2,00.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TK32SCR.05.2,00.S.150.A

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TK32SCR.08.1,30.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 08
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw
Related items: TK32SCR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TK32SCR.08.1,30.S.150.A

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TK32SCR.08.2,00.S.150.R

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: rhodium plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 08
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw
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TK32SCR.08.2,00.S.150.R

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: rhodium plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 08
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw
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TK32SCR.09.1,30.C.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 09
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw
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TK32SCR.09.1,30.C.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 09
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw
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TK32SCR.09.2,00.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 09
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw-in
Related items: TK32SCR
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TK32SCR.09.2,00.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 09
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw-in
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TK32SCR.10.1,50.C.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.5mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: CuBe
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 1.5mm
Mounting: screw-in
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TK32SCR.10.2,00.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw-in
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TK32SCR.10.2,00.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 2mm
Mounting: screw-in
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TK32SCR.13.1,30.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 13
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TK32SCR.13.1,30.S.150.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; 5A; Ø: 1.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.4mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 13
Tip diameter: 1.3mm
Mounting: screw
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TK33.7 -AS

Category: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 59mm; TEKMAR; ABS
Enclosure material: ABS
Version: PCB is fastened in guides
Body colour: light grey
Type of enclosure: multipurpose
Dimension Y: 188mm
Dimension X: 133mm
Dimension Z: 59mm
Enclosure series: TEKMAR
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3+	23.84 EUR
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TK33.7 -AS

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1+	71.5 EUR

TK33.9

Category: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 59mm; TEKMAR; ABS
Type of enclosure: multipurpose
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 59mm
Enclosure series: TEKMAR
Body colour: black
Enclosure material: ABS
Version: PCB is fastened in guides
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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10+	28.14 EUR

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TK33.9

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TK3306

Description: Replacement for Kenwood TK3306 R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK3306
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK3312

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; black; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: black
Number of cores: 2
Cable length: 12m
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TK3312

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TK3312PSF-A

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: orange
Number of cores: 2
Cable length: 12m
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TK3312PSF-A

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TK3312PSF-B

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 12m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: blue
Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TK3312PSF-B

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TK3312PSF-G

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TK3312PSF-G

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TK3312PSF-TB

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; brown; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: brown
Number of cores: 2
Cable length: 12m
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin

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TK3312PSF-TB

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TK3312PSF-V

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; green; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TK3312PSF-V

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TK333

TAS-TK333 Audio - Video Cables

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3+	25.17 EUR
5+	15.62 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TK333PSF-A

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; orange; 0.25mm2
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: orange
Number of cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR

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4+	18.9 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK333PSF-A

auf Bestellung 6 Stücke:

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4+	18.9 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK333PSF-B

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: blue
Number of cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

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4+	18.9 EUR

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TK333PSF-B

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4+	18.9 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK333PSF-G

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; yellow; 0.25mm2
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: yellow
Number of cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	18.9 EUR

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TK333PSF-G

auf Bestellung 10 Stücke:

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4+	18.9 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK333PSF-TB

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: brown
Number of cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	18.9 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK333PSF-TB

auf Bestellung 10 Stücke:

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4+	18.9 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK333PSF-V

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: green
Number of cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	18.9 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK333PSF-V

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	18.9 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK336

TAS-TK336 Audio - Video Cables

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TK336PSF-A

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; orange; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: orange
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

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TK336PSF-A

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TK336PSF-B

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: blue
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

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TK336PSF-B

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TK336PSF-G

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; yellow; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

Produkt ist nicht verfügbar

TK336PSF-G

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TK336PSF-TB

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

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TK336PSF-TB

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TK336PSF-V

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

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TK336PSF-V

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TK338M

N/A

05+ DIP8

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK339

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; black; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 9m
Insulation colour: black
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

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TK339

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TK339PSF-A

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; orange; 0.25mm2
Number of cores: 2
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: orange
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 9m
Type of connection cable: XLR - XLR
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TK339PSF-A

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TK339PSF-B

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; blue; 0.25mm2; Cores: 2
Cable length: 9m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Core section: 0.25mm²
Insulation colour: blue
Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TK339PSF-B

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TK339PSF-G

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; yellow; 0.25mm2
Number of cores: 2
Cable length: 9m
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Insulation colour: yellow
Core section: 0.25mm²

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TK339PSF-G

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TK339PSF-TB

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; brown; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 9m
Insulation colour: brown
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TK339PSF-TB

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TK339PSF-V

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 9m; green; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 9m
Insulation colour: green
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2

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TK339PSF-V

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TK33S.7

TK33S.7 Desktop Enclosures

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

2+	44.29 EUR
3+	32.16 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK33S.9 -AS

Category: Desktop Enclosures
Description: Enclosure: desktop; TEKMAR; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 75mm; ABS; black
Type of enclosure: desktop
Enclosure series: TEKMAR
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 75mm
Enclosure material: ABS
Body colour: black
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

1+	71.5 EUR
2+	35.75 EUR
30+	22.09 EUR

TK33S.9 -AS

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	71.5 EUR

TK33S10N1L,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

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TK33S10N1L,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V

auf Bestellung 1497 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.87 EUR
10+	2.39 EUR
100+	1.9 EUR
500+	1.61 EUR
1000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 7

TK33S10N1L,LQ

MOSFET 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101

auf Bestellung 1640 Stücke:

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1+	2.9 EUR
10+	2.41 EUR
100+	1.92 EUR
250+	1.76 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.37 EUR
2000+	1.3 EUR

TK33S10N1L,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

TK33S10N1L,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK33S10N1L,LQ(O

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 821 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	2.03 EUR
40+	1.83 EUR
50+	1.44 EUR
53+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 36

TK33S10N1L,LQ(O

PWR-MOSFET N-CHANNEL

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TK33S10N1L,LQ(O

auf Bestellung 821 Stücke:

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36+	2.03 EUR
40+	1.83 EUR
50+	1.44 EUR
53+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 36

TK33S10N1L,LXHQ

auf Bestellung 2000 Stücke:

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2000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

TK33S10N1L,LXHQ

MOSFETs PD=40W F=1MHZ AEC-Q101

auf Bestellung 3479 Stücke:

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2+	2.22 EUR
10+	1.83 EUR
25+	1.65 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.92 EUR
2000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK33S10N1L,LXHQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK33S10N1L,LXHQ

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9+	2.01 EUR
11+	1.63 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.88 EUR

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TK33S10N1L,LXHQ(O

TK33S10N1L,LXHQ(O

auf Bestellung 2000 Stücke:

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79+	1.93 EUR
100+	1.78 EUR
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500+	1.52 EUR
1000+	1.41 EUR

Mindestbestellmenge: 79

TK33S10N1LLQ(O

MOSFET

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TK33S10N1Z,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

TK33S10N1Z,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

auf Bestellung 7393 Stücke:

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128+	1.19 EUR
136+	1.08 EUR
137+	1.03 EUR
148+	0.92 EUR
250+	0.88 EUR
500+	0.84 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 128

TK33S10N1Z,LQ

MOSFET UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK

auf Bestellung 1891 Stücke:

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2+	1.78 EUR
10+	1.56 EUR
100+	1.33 EUR
250+	1.32 EUR
500+	1.22 EUR
1000+	1.12 EUR
2000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK33S10N1Z,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

auf Bestellung 7393 Stücke:

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136+	1.12 EUR
137+	1.07 EUR
148+	0.95 EUR
250+	0.91 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.84 EUR
3000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 136

TK33S10N1Z,LQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V

auf Bestellung 3597 Stücke:

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8+	2.36 EUR
10+	1.96 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.12 EUR

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TK33S10N1Z,LQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

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TK33S10N1Z,LQ(O

Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 2945 Stücke:

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TK33S10N1Z,LQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

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TK33S10N1Z,LQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

auf Bestellung 3840 Stücke:

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86+	1.77 EUR
94+	1.55 EUR
116+	1.22 EUR
200+	1.1 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.89 EUR
2000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 86

TK33S10N1Z,LQ(O

auf Bestellung 2945 Stücke:

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TK33S10N1Z,LXHQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V

auf Bestellung 3974 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.16 EUR
10+	1.76 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 9

TK33S10N1Z,LXHQ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

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TK33S10N1Z,LXHQ

MOSFET 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101

auf Bestellung 26869 Stücke:

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2+	2.18 EUR
10+	1.78 EUR
100+	1.38 EUR
500+	1.17 EUR
1000+	0.95 EUR
2000+	0.9 EUR
4000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK33S10N1Z,LXHQ

Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

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2000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

TK33S10N1ZLQ(O

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

TK33SP.7 -AS

Category: Desktop Enclosures
Description: Enclosure: desktop; TEKMAR; X: 133mm; Y: 188mm; Z: 75mm; ABS
Type of enclosure: desktop
Enclosure series: TEKMAR
Dimension X: 133mm
Dimension Y: 188mm
Dimension Z: 75mm
Enclosure material: ABS
Body colour: light grey

auf Bestellung 28 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	23.78 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK33SP.7 -AS

auf Bestellung 28 Stücke:

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4+	23.78 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK33SP.9 -AS

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	24.3 EUR
4+	22.97 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TK33SP.9 -AS

auf Bestellung 15 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3+	24.3 EUR
4+	22.97 EUR
50+	22.09 EUR

Mindestbestellmenge: 3

TK3412

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 12m; black; 0.25mm2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 12m
Insulation colour: black
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2
Enclosure material: metal

Produkt ist nicht verfügbar

TK3412

Produkt ist nicht verfügbar

TK343

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; black; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 3m
Insulation colour: black
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2
Enclosure material: metal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

4+	18.86 EUR
5+	17.83 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK343

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

4+	18.86 EUR
5+	17.83 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK3434

3M (TC)

Description: HOME TAPE KIT - PREMIUM

Produkt ist nicht verfügbar

TK346

Category: Audio - Video Cables
Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; black; 0.25mm2; Cores: 2
Type of connection cable: XLR - XLR
Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin
Cable length: 6m
Insulation colour: black
Core section: 0.25mm²
Number of cores: 2
Enclosure material: metal

Produkt ist nicht verfügbar

TK346

Produkt ist nicht verfügbar

TK349

Produkt ist nicht verfügbar

TK349

Produkt ist nicht verfügbar

TK34A10N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

TK34A10N1,S4X

MOSFET MOSFET NCh 8 mOhms VGS10V10uAVDS100V

auf Bestellung 974 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.43 EUR
10+	1.97 EUR
100+	1.6 EUR
500+	1.35 EUR
1000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK34A10N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

auf Bestellung 86 Stücke:

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TK34A10N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

Produkt ist nicht verfügbar

TK34E10N1,S1X

Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V

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TK34E10N1,S1X

MOSFET N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS

auf Bestellung 273 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.5 EUR
10+	2.06 EUR
100+	1.78 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.06 EUR
5000+	1.01 EUR
10000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK34E10N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK34E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0079 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK34E10N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

Produkt ist nicht verfügbar

TK34E10N1,S1X(S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 103W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 812 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

54+	1.34 EUR
60+	1.2 EUR
68+	1.06 EUR
70+	1.03 EUR
74+	0.97 EUR
75+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 54

TK34E10N1,S1X(S

auf Bestellung 812 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

54+	1.34 EUR
60+	1.2 EUR
68+	1.06 EUR
70+	1.03 EUR
74+	0.97 EUR
75+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 54

TK34E10N1S1X(S

MOSFET

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TK3501B-EQ

auf Bestellung 201 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3511-EG

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK35A08N1,S4X

MOSFET MOSFET NCh 10ohm VGS10V10uAVDS80V

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.6 EUR
10+	1.28 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.66 EUR
5000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK35A08N1,S4X

Description: MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.78 EUR
12+	1.59 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK35A08N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

Produkt ist nicht verfügbar

TK35A08N1,S4X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK35A65W,S5X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK35A65W,S5X

MOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 252-256 Tag (e)

1+	11.58 EUR
10+	8.34 EUR
100+	6.39 EUR
250+	6.27 EUR
500+	5.76 EUR

TK35A65W,S5X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK35A65W,S5X

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220

auf Bestellung 88 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

TK35A65W,S5X(M

TK35A65W,S5X(M

Produkt ist nicht verfügbar

TK35A65W,S5X(M

Description: TOSHIBA - TK35A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK35A65W5,S5X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK35A65W5,S5X

MOSFETs Power MOSFET N-Channel

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TK35A65W5,S5X

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS

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TK35A65W5,S5X(M

PWR-MOSFET N-CHANNEL

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TK35A65W5,S5X(M

Description: TOSHIBA - TK35A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

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TK35E08N1,S1X

Description: MOSFET N-CH 80V 55A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V

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9+	2.04 EUR
10+	1.83 EUR

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TK35E08N1,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

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TK35E08N1,S1X

MOSFET 80V N-Ch PWR FET 55A 72W 25nC

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10+	1.44 EUR
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1000+	0.73 EUR
5000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK35E08N1,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK35E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

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TK35E08N1,S1X(S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 72W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Power dissipation: 72W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

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59+	1.23 EUR
72+	1.01 EUR
82+	0.88 EUR
92+	0.78 EUR
97+	0.74 EUR

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TK35E08N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

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208+	0.73 EUR

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TK35E08N1,S1X(S

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59+	1.23 EUR
72+	1.01 EUR
82+	0.88 EUR
92+	0.78 EUR
97+	0.74 EUR
250+	0.73 EUR

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TK35E08N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

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600+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 600

TK35E08N1,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine

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TK35E10K3(S1SS-Q)

MOSFET N-Ch MOS 55A 80V 72W 0.0122 Ohm

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TK35E10K3(S1SS-Q)

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB

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TK35N.02.1,30.S.170.R

TK35N.02130S170R Contact Probes

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5+	14.3 EUR
6+	11.91 EUR
14+	5.11 EUR
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TK35N.03.2,00.S.170.R

TK35N.03200S170R Contact Probes

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2+	35.75 EUR
5+	14.3 EUR
14+	5.11 EUR
25+	3.43 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK35N.04.2,00.S.170.R

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 6.4mm; 3A; Ø: 2mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 6.4mm
Maksimum spring compression: 8mm
Minimum pitch: 2.54mm
Current rating: 3A
Contact plating: rhodium plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 04
Tip diameter: 2mm
Related items: TK35N
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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20+	3.58 EUR
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TK35N.04.2,00.S.170.R

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19+	3.96 EUR
20+	3.58 EUR

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TK35N.05.1,30.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 6.4mm; 3A; Ø: 1.3mm
Related items: TK35N
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 8mm
Operational spring compression: 6.4mm
Tip diameter: 1.3mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A

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TK35N.05.1,30.S.170.A

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TK35N.05.2,00.S.170.A

TK35N.05200S170A Contact Probes

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TK35N.07.1,30.S.170.R

TK35N.07130S170R Contact Probes

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2+	35.75 EUR
5+	14.3 EUR
13+	5.51 EUR
25+	3.86 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK35N.07.2,00.S.170.R

TK35N.07200S170R Contact Probes

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TK35N.08.2,00.S.170.R

TK35N.08200S170R Contact Probes

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TK35N.12.0,80.S.170.R

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 6.4mm; 3A; Ø: 0.8mm
Related items: TK35N
Blade tip shape: head 12
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 2.54mm
Maksimum spring compression: 8mm
Operational spring compression: 6.4mm
Tip diameter: 0.8mm
Contact plating: rhodium plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Contact material: steel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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17+	4.4 EUR
20+	3.7 EUR
21+	3.5 EUR

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TK35N.12.0,80.S.170.R

auf Bestellung 36 Stücke:

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17+	4.4 EUR
20+	3.7 EUR
21+	3.5 EUR

Mindestbestellmenge: 17

TK35N.13.1,30.S.170.R

TK35N.13130S170R Contact Probes

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16+	4.63 EUR
20+	3.69 EUR
21+	3.47 EUR

Mindestbestellmenge: 16

TK35N65W

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TK35N65W,S1F

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

auf Bestellung 5 Stücke:

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2+	12.28 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK35N65W,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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TK35N65W,S1F

MOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS

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TK35N65W,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 20 Stücke:

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TK35N65W,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK35N65W,S1F(S

Description: TOSHIBA - TK35N65W,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 30 Stücke:

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TK35N65W5

Produkt ist nicht verfügbar

TK35N65W5,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 13 Stücke:

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TK35N65W5,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK35N65W5,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK35N65W5,S1F

MOSFETs MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS

auf Bestellung 4 Stücke:

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1+	14.77 EUR
10+	10.4 EUR
60+	9.26 EUR
120+	7.81 EUR
270+	7.73 EUR

TK35N65W5,S1F

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

Produkt ist nicht verfügbar

TK35N65W5,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK35N65W5,S1F(S

Description: TOSHIBA - TK35N65W5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 210 Stücke:

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TK35N65W5S1F(S

MOSFET

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TK35N65WS1F(S

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

TK35N65WS1F(S-X

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Description: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V

auf Bestellung 1790 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.15 EUR
11+	1.75 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 9

TK35S04K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-Ch MOS 35A 40V 58W 1370pF 0.0103

Produkt ist nicht verfügbar

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Description: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 10 V

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TK35S04K3L(T6L1,NQ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK3640448(P3640448)

PROFEC

auf Bestellung 12800 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK36L.02.2,50.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 2.5mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 02
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	7.15 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK36L.02.2,50.S.170.A

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.15 EUR
13+	5.51 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK36L.02.4,00.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 4mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 02
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: gold-plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm

Produkt ist nicht verfügbar

TK36L.02.4,00.S.170.A

Produkt ist nicht verfügbar

TK36L.05.2,50.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05
Tip diameter: 2.5mm
Related items: TK36L

Produkt ist nicht verfügbar

TK36L.05.2,50.S.170.A

Produkt ist nicht verfügbar

TK36L.07.2,50.S.170.N

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 2.5mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 07
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: nickel plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	7.15 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK36L.07.2,50.S.170.N

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Tip diameter: 2.5mm
Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 07
Minimum pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Contact plating: nickel plated
Maksimum spring compression: 7mm
Contact material: steel
Current rating: 3A
Related items: TK36L
Operational spring compression: 5mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

10+	7.15 EUR
14+	5.11 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK36L.08.2,50.S.170.A

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

17+	4.25 EUR
22+	3.37 EUR
23+	3.19 EUR

Mindestbestellmenge: 17

TK36L.08.2,50.S.170.A

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	4.25 EUR
22+	3.37 EUR
23+	3.19 EUR

Mindestbestellmenge: 17

TK36L.09.2,50.S.170.A

Produkt ist nicht verfügbar

TK36L.09.2,50.S.170.A

Produkt ist nicht verfügbar

TK36L.09.4,00.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Related items: TK36L
Tip diameter: 4mm
Contact material: steel
Blade tip shape: head 09
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 7mm
Operational spring compression: 5mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A

auf Bestellung 104 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	4.1 EUR
21+	3.43 EUR
23+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK36L.09.4,00.S.170.A

auf Bestellung 104 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

18+	4.1 EUR
21+	3.43 EUR
23+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK36L.10.1,40.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 1.4mm
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TK36L.10.1,40.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 5mm
Maksimum spring compression: 7mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 1.4mm
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TK36L.10.2,50.S.170.A

TK36L.10250S170A Contact Probes

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TK36L.11.1,80.S.170.A

TK36L.11180S170A Contact Probes

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TK36L.13.1,80.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 5mm; Min.pitch: 4mm
Current rating: 3A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 13
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 7mm
Operational spring compression: 5mm
Tip diameter: 1.8mm
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Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ

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TK36L.13.1,80.S.170.A

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TK36N.02.2,50.S.170.A

TK36N.02250S170A Contact Probes

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TK36N.05.2,50.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 2.5mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 05
Tip diameter: 2.5mm
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TK36N.05.2,50.S.170.A

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TK36N.07.2,50.S.170.A

TK36N.07250S170A Contact Probes

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TK36N.07.3,00.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 3mm
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Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 07
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 3mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
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TK36N.07.3,00.S.170.A

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TK36N.08.2,50.C.170.A

TK36N.08250C170A Contact Probes

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TK36N.08.3,00.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 3mm
Blade tip shape: head 08
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 3mm
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Current rating: 5A
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact plating: gold-plated
Contact material: steel

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TK36N.08.3,00.S.170.A

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TK36N.09.2,50.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 2.5mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 09
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 2.5mm
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Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ

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TK36N.09.4,00.S.170.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 4mm
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Tip diameter: 4mm
Contact material: steel
Blade tip shape: head 09
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A

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TK36N.09.4,00.S.170.A

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TK36N.10.1,80.S.170.A

TK36N.10180S170A Contact Probes

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TK36N.10.2,50.S.170.A

TK36N.10250S170A Contact Probes

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TK36N.11.1,80.S.170.N

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 5A; Ø: 1.8mm
Current rating: 5A
Contact material: steel
Blade tip shape: head 11
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.6mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 1.8mm
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Contact plating: nickel plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
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TK36N.11.1,80.S.170.N

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TK36N.14.1,80.S.170.A

TK36N.14180S170A Contact Probes

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TK36SCR.02.3,00.S.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Mounting: screw-in
Blade tip shape: head 02
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 3mm
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Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 5A
Contact material: steel
Contact plating: gold-plated
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TK36SCR.02.3,00.S.300.A

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TK36SCR.05.2,30.C.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Mounting: screw-in
Blade tip shape: head 05
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 2.3mm
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Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Contact plating: gold-plated

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TK36SCR.05.2,30.C.300.A

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TK36SCR.05.3,00.C.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Mounting: screw-in
Blade tip shape: head 05
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 3mm
Related items: TK36SCR
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Contact plating: gold-plated
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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TK36SCR.05.3,00.C.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Mounting: screw-in
Blade tip shape: head 05
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Operational spring compression: 4mm
Tip diameter: 3mm
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Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 10A
Contact material: CuBe
Contact plating: gold-plated

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TK36SCR.07.2,30.C.300.A

TK36SCR.07230C300A Contact Probes

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TK36SCR.08.2,30.C.300.A

TK36SCR.08230C300A Contact Probes

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TK36SCR.09.2,30.C.300.A

TK36SCR.09230C300A Contact Probes

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8+	8.94 EUR
25+	6.01 EUR

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TK36SCR.10.1,40.S.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4mm; Min.pitch: 4mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4mm
Maksimum spring compression: 5.3mm
Minimum pitch: 4mm
Current rating: 5A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: steel
Blade tip shape: head 10
Tip diameter: 1.4mm
Mounting: screw-in
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auf Bestellung 10 Stücke:

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10+	7.15 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK36SCR.10.1,40.S.300.A

auf Bestellung 10 Stücke:

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10+	7.15 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK3701X-EBG

auf Bestellung 24 Stücke:

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TK3701Y-EBG-LF

2005

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK370A60F,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

Produkt ist nicht verfügbar

TK370A60F,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK370A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.3 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3711-EBG-LF

TEKNOVUSOO

BGA

auf Bestellung 96 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3711-EBG-LF

06+

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3711X-EBG-LE

0037+

auf Bestellung 290 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3713A-EEQ-LF

TEKNDVUS

08+ SOT23

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3714A-EEQ-LFG

Description: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

TK3714A-EEQ-LFG-KO

Description: IC TK3714A EPON ONU ASIC W/FEC
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

TK3714A-ETG-LFG

Description: IC TK3714A EPON ONU TFBGA W/FE
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified

Produkt ist nicht verfügbar

TK3715A-EEQ-LF6

auf Bestellung 125 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3715A-EEQ-LFG

O728

auf Bestellung 23 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3715A-EEQ-LFG

Description: IC TK3715A EPON ONU ASIC LEAD

Produkt ist nicht verfügbar

TK3715A-EEQ-LFG

04+ QFP

auf Bestellung 102 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3721-EBG-LF

0548+ BGA

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3721-EBG-LF

N/A

0443

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3723B-HG-LFG

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3723B-HG-LFG

Description: IC TK3723B EPON OLT ASIC LEA

Produkt ist nicht verfügbar

TK3723B-HG-LFG

TEKNOVUS 10+ BGA

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3723B-HG-PBG

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3723C-HG-LFG

Description: IC EPON OLT ASIC

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TK372G

Description: Replacement for Kenwood TK372G R
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: Kenwood TK372G
Accessory Type: Replacement Battery
Part Status: Active

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TK37N.05.2,30.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 2.3mm
Type of test accessories: test needle
Operational spring compression: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Minimum pitch: 4.5mm
Current rating: 3A
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Contact material: brass
Blade tip shape: head 05
Tip diameter: 2.3mm
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Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 23 Stücke:

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18+	4.16 EUR
21+	3.47 EUR
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TK37N.05.2,30.M.300.A

auf Bestellung 23 Stücke:

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18+	4.16 EUR
21+	3.47 EUR
22+	3.29 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK37N.06.2,30.M.300.A

TK37N.06230M300A Contact Probes

auf Bestellung 43 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

17+	4.38 EUR
21+	3.47 EUR
22+	3.29 EUR

Mindestbestellmenge: 17

TK37N.06.4,00.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Contact plating: gold-plated
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Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 06
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

18+	4.16 EUR
20+	3.58 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK37N.06.4,00.M.300.A

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	4.16 EUR
20+	3.58 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK37N.07.4,00.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Contact plating: gold-plated
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Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 07
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 4mm

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	4.4 EUR
20+	3.68 EUR
21+	3.47 EUR

Mindestbestellmenge: 17

TK37N.07.4,00.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Contact plating: gold-plated
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Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 07
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

17+	4.4 EUR
20+	3.68 EUR
21+	3.47 EUR

Mindestbestellmenge: 17

TK37N.08.2,30.M.300.A

TK37N.08230M300A Contact Probes

auf Bestellung 2 Stücke:

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2+	35.75 EUR
6+	11.91 EUR
15+	4.76 EUR
30+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK37N.09.2,30.M.300.A

TK37N.09230M300A Contact Probes

Produkt ist nicht verfügbar

TK37N.09.4,00.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
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Tip diameter: 4mm
Contact material: brass
Blade tip shape: head 09
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Operational spring compression: 4.5mm
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 98 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

14+	5.38 EUR
16+	4.49 EUR
17+	4.25 EUR

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TK37N.09.4,00.M.300.A

auf Bestellung 98 Stücke:

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14+	5.38 EUR
16+	4.49 EUR
17+	4.25 EUR

Mindestbestellmenge: 14

TK37N.10.2,30.M.300.A

TK37N.10230M300A Contact Probes

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17+	4.38 EUR
21+	3.47 EUR
22+	3.29 EUR

Mindestbestellmenge: 17

TK37N.10.4,00.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Contact plating: gold-plated
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Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 10
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 4mm

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	3.92 EUR
21+	3.47 EUR
22+	3.26 EUR
24+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 19

TK37N.10.4,00.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 4mm
Current rating: 3A
Contact material: brass
Contact plating: gold-plated
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Max. contact resistance:: 10mΩ
Blade tip shape: head 10
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 4mm
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 56 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

19+	3.92 EUR
21+	3.47 EUR
22+	3.26 EUR
24+	3.09 EUR

Mindestbestellmenge: 19

TK37N.10.6,50.M.300.A

Category: Contact Probes
Description: Test needle; Operational spring compression: 4.5mm; 3A; Ø: 6.5mm
Contact material: brass
Blade tip shape: head 10
Type of test accessories: test needle
Minimum pitch: 4.5mm
Maksimum spring compression: 5.8mm
Operational spring compression: 4.5mm
Tip diameter: 6.5mm
Related items: TK37N
Contact plating: gold-plated
Max. contact resistance:: 10mΩ
Current rating: 3A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Lieferzeit 7-14 Tag (e)

19+	3.86 EUR
21+	3.43 EUR
24+	3.07 EUR
25+	2.9 EUR

Mindestbestellmenge: 19

TK37N.10.6,50.M.300.A

auf Bestellung 170 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	3.86 EUR
21+	3.43 EUR
24+	3.07 EUR
25+	2.9 EUR

Mindestbestellmenge: 19

TK380A60Y,S4X

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.1A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

TK380A60Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK380A60Y,S4X

Produkt ist nicht verfügbar

TK380A60Y,S4X

MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A

auf Bestellung 102 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.11 EUR
10+	1.7 EUR
100+	1.62 EUR
250+	1.27 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK380A60Y,S4X

Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS

auf Bestellung 121 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

TK380A60Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

auf Bestellung 4 Stücke:

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TK380A60Y,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK380A60Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 540 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK380A60Y,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

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TK380A65Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

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TK380A65Y,S4X

MOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

auf Bestellung 314 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.33 EUR
10+	2.32 EUR
50+	2.31 EUR
100+	1.85 EUR
250+	1.83 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.26 EUR

TK380A65Y,S4X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

auf Bestellung 95 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.22 EUR
10+	2.89 EUR

Mindestbestellmenge: 6

TK380A65Y,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

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TK380A65Y,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK380A65Y,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK380A65Y,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

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TK380A65Y,S4X(S

TK380A65Y,S4X(S

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK380P60Y,RQ

MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A

auf Bestellung 1886 Stücke:

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2+	2.66 EUR
10+	2.18 EUR
100+	1.7 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.17 EUR
2000+	1.1 EUR
4000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK380P60Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK380P60Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

TK380P60Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK380P60Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

auf Bestellung 7735 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	2.97 EUR
10+	2.65 EUR
100+	2.07 EUR
500+	1.71 EUR
1000+	1.35 EUR

Mindestbestellmenge: 6

TK380P60Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK380P60Y,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK380P60Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: To Be Advised

auf Bestellung 699 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK380P60Y,RQ(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

Produkt ist nicht verfügbar

TK380P60Y,RQ(S

auf Bestellung 699 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK380P65Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK380P65Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK380P65Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

Produkt ist nicht verfügbar

TK380P65Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 266 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

203+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 203

TK380P65Y,RQ

MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A

auf Bestellung 41 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.71 EUR
10+	2.04 EUR
100+	1.65 EUR
250+	1.58 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.29 EUR
2000+	1.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK380P65Y,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 650V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 266 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

203+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 203

TK380P65Y,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 360µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V

auf Bestellung 1836 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.9 EUR
12+	1.58 EUR
100+	1.25 EUR
500+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK380P65Y,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK380P65Y,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9.7 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK380P65Y,RQ(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

Produkt ist nicht verfügbar

TK380P65Y,RQ(S

auf Bestellung 1100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK39A60W

Produkt ist nicht verfügbar

TK39A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

Produkt ist nicht verfügbar

TK39A60W,S4VX

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

auf Bestellung 54 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	15 EUR
50+	11.97 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK39A60W,S4VX

MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A

auf Bestellung 132 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.87 EUR
10+	11.55 EUR
25+	11.53 EUR
50+	10.63 EUR
100+	8.71 EUR
250+	8.59 EUR
500+	8.31 EUR

TK39A60W,S4VX

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

Produkt ist nicht verfügbar

TK39A60W,S4VX(M

Description: TOSHIBA - TK39A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 626 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK39A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

Produkt ist nicht verfügbar

TK39A60W,S4VX(M

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.75 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK39J60W,S1VQ

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	18.87 EUR

TK39J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

Produkt ist nicht verfügbar

TK39J60W,S1VQ

MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	17.07 EUR
10+	15.44 EUR
25+	14.7 EUR
100+	12.76 EUR

TK39J60W,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

Produkt ist nicht verfügbar

TK39J60W,S1VQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK39J60W,S1VQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.83 EUR
21+	7.22 EUR
25+	5.65 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK39J60W,S1VQ(O

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

TK39J60W,S1VQ(O

Produkt ist nicht verfügbar

TK39J60W5,S1VQ

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

auf Bestellung 35 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	18.69 EUR
25+	14.92 EUR

TK39J60W5,S1VQ

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bag/Tube

auf Bestellung 49 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.89 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK39J60W5,S1VQ

MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	19.13 EUR
10+	17.02 EUR
25+	16.51 EUR
100+	13.53 EUR
250+	13.38 EUR
500+	12.13 EUR
1000+	10.84 EUR

TK39J60W5,S1VQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

auf Bestellung 5 Stücke:

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TK39J60W5,S1VQ(O

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN

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TK39N60W

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TK39N60W,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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TK39N60W,S1VF

MOSFETs DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 58-62 Tag (e)

1+	9.13 EUR
10+	6.72 EUR
30+	6.42 EUR
60+	5.93 EUR
120+	4.84 EUR
270+	4.79 EUR
510+	4.21 EUR

TK39N60W,S1VF

Description: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.66 EUR
10+	6.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK39N60W,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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TK39N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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TK39N60W,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	7.14 EUR
25+	6.05 EUR

Mindestbestellmenge: 22

TK39N60W,S1VF(S

Description: TOSHIBA - TK39N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK39N60W5
Produktcode: 183831

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

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TK39N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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TK39N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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TK39N60W5,S1VF

MOSFETs Power MOSFET N-Channel

auf Bestellung 2222 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.8 EUR
10+	7.15 EUR
30+	6.72 EUR
60+	6.35 EUR
120+	5.74 EUR
510+	4.96 EUR

TK39N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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TK39N60W5,S1VF

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

auf Bestellung 2858 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.23 EUR
10+	7.6 EUR
100+	5.54 EUR
500+	4.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK39N60W5,S1VF

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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TK39N60W5,S1VF(S

Description: TOSHIBA - TK39N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.062 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK39N60W5,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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TK39N60W5,S1VF(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	8.66 EUR

Mindestbestellmenge: 18

TK39N60W5S1VF(S

MOSFETs

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TK39N60WS1VF(S

MOSFETs

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TK39N60X,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1 Stücke:

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TK39N60X,S1F

Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.83 EUR
10+	8.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK39N60X,S1F

MOSFETs DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.04 EUR
10+	9.06 EUR
30+	8.59 EUR
60+	8.04 EUR
120+	6.65 EUR
270+	6.46 EUR
510+	6.12 EUR

TK39N60X,S1F

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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TK39N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

11+	13.83 EUR
15+	9.73 EUR
30+	8.88 EUR

Mindestbestellmenge: 11

TK39N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1110 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

270+	4.02 EUR

Mindestbestellmenge: 270

TK39N60X,S1F(S

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	8.45 EUR
12+	6.02 EUR

Mindestbestellmenge: 9

TK39N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1136 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK39N60X,S1F(S

Description: TOSHIBA - TK39N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 30 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK39N60X,S1F(S

Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

auf Bestellung 1110 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	4 EUR

Mindestbestellmenge: 38

TK39N60X,S1F(S

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

9+	8.45 EUR
12+	6.02 EUR

Mindestbestellmenge: 9

TK39N60XS1F(S

MOSFETs

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TK39N60XS1F(S-X

MOSFET

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TK39Z60X,S1F(O

PWR-MOSFET N-CHANNEL

Produkt ist nicht verfügbar

TK39Z60X,S1F(O

Description: TOSHIBA - TK39Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38.8 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK39Z60X,S1F(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

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TK39Z60X,S1FS

MOSFET

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TK3A60DA

auf Bestellung 300 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3A60DA(Q,M)

Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

TK3A60DA(Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

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TK3A60DA(STA4,Q,M)

Description: TOSHIBA - TK3A60DA(STA4,Q,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.5 A, 2.2 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Produkt ist nicht verfügbar

TK3A60DA(STA4,Q,M)

MOSFETs N-ch 600V 2.5A 30w 2.8 Ohm

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.94 EUR
10+	1.29 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 600V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

Produkt ist nicht verfügbar

TK3A65D

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.93Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

22+	3.25 EUR
29+	2.46 EUR
50+	1.47 EUR

Mindestbestellmenge: 22

TK3A65D

auf Bestellung 22 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 22

TK3A65D(STA4,Q,M)

Description: MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS

Produkt ist nicht verfügbar

TK3A65D(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3A65D(STA4,Q,M)

MOSFET N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm

auf Bestellung 183 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.24 EUR
10+	1.85 EUR
100+	1.6 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.02 EUR
5000+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK3A65D(STA4,Q,M)

Trans MOSFET N-CH Si 650V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3A65DA(STA4,QM)

MOSFET N-Ch MOS 2.5A 650V 35W 490pF 2.51

Produkt ist nicht verfügbar

TK3A65DA(STA4,QM)

Description: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.51Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

TK3A65DA(STA4,QM)

Trans MOSFET N-CH Si 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS

Produkt ist nicht verfügbar

TK3A90E,S4X

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.92 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK3A90E,S4X

MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ

auf Bestellung 260 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.88 EUR
10+	1.51 EUR
100+	1.22 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.78 EUR
5000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK3A90E,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

Produkt ist nicht verfügbar

TK3A90E,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK3A90E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.5 A, 3.7 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3A90ES4X(S

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

TK3J10

2004

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3L10

2004

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3L10Z

auf Bestellung 76 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

TK3P-3.5

Traktronix

Description: 3PIN 3.5MM SCREW PLUG QUICK CONN
Packaging: Bulk
Part Status: Active

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	3.96 EUR

Mindestbestellmenge: 5

TK3P-5.08

Traktronix

Description: 3PIN 5.08MM PITCH PLUG CONNECTOR
Packaging: Bulk

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.22 EUR

Mindestbestellmenge: 6

TK3P50D

Description: TOSHIBA - TK3P50D - Leistungs-MOSFET, leistungsstark, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)

Produkt ist nicht verfügbar

TK3P50D

Produkt ist nicht verfügbar

TK3P50D,RDVQ(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

Produkt ist nicht verfügbar

TK3P50D,RQ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

TK3P50D,RQ

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TK3P50D,RQ(S

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V

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TK3P50D,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK3P50D,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3P50D,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

113+	1.34 EUR
138+	1.06 EUR
177+	0.79 EUR
200+	0.76 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 113

TK3P50D,RQ(S

MOSFET N-Ch MOS 3A 500V 60W 280pF 3 Ohm

auf Bestellung 1265 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.85 EUR
10+	1.51 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.81 EUR
2000+	0.76 EUR
4000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK3P50D,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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TK3P50D,RQ(S

Description: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V

auf Bestellung 1399 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	1.78 EUR
13+	1.45 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 10

TK3P50D,RQ(S

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3P50D,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 500V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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TK3P50D,RTRIDQ(S

TK 3P50D,RTRIDQ(S

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TK3P80E,RQ

MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ

auf Bestellung 4004 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.75 EUR
10+	1.44 EUR
25+	1.3 EUR
100+	1.12 EUR
250+	1.08 EUR
500+	0.9 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK3P80E,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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TK3P80E,RQ

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

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TK3P80E,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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TK3P80E,RQ

Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V

auf Bestellung 1188 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.68 EUR
11+	1.69 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 7

TK3P80E,RQ(S

Description: TOSHIBA - TK3P80E,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.9ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1813 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3P80E,RQ(S

Trans MOSFET N-CH Si 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

134+	1.14 EUR
157+	0.93 EUR
183+	0.77 EUR
200+	0.7 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 134

TK3P80E,RQ(S

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

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TK3P80E,RQ(S

auf Bestellung 1813 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3R1A04PL,S4X

Trans MOSFET N 40V 82A TK3R1A04PL,S4X TTK3r1a04pl
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	8.05 EUR

Mindestbestellmenge: 5

TK3R1A04PL,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 40V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

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TK3R1A04PL,S4X

Description: MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V

auf Bestellung 87 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.8 EUR
10+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 7

TK3R1A04PL,S4X

MOSFETs N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.22 EUR
10+	1.69 EUR
100+	1.26 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.85 EUR
2500+	0.82 EUR
5000+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK3R1A04PL,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK3R1A04PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 82 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3R1A04PL,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

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TK3R1A04PL,S4X(S

Silicon N-channel MOS

auf Bestellung 277 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	1.79 EUR
93+	1.57 EUR
115+	1.23 EUR
200+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 85

TK3R1E04PL,S1X

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V

auf Bestellung 63 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.04 EUR
10+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 6

TK3R1E04PL,S1X

MOSFETs N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W

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TK3R1E04PL,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3R1E04PL,S1X

Trans MOSFET N 40V 100A TK3R1E04PL,S1X TTK3r1e04pl
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

5+	8.05 EUR

Mindestbestellmenge: 5

TK3R1E04PL,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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TK3R1E04PL,S1X(S

Trans MOSFET N-CH Si 40V 128A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2627 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

166+	0.91 EUR
181+	0.81 EUR
200+	0.76 EUR
800+	0.73 EUR
1600+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 166

TK3R1E04PL,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK3R1E04PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 0.0025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 44 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3R1P04PL

Produkt ist nicht verfügbar

TK3R1P04PL,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK3R1P04PL,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V

auf Bestellung 13532 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	2.62 EUR
11+	1.66 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 7

TK3R1P04PL,RQ

MOSFET N-Ch 40V 4670pF 60nC 130A 87W

auf Bestellung 4498 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.83 EUR
10+	1.49 EUR
100+	1.16 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.8 EUR
2500+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 2

TK3R1P04PL,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK3R1P04PL,RQ

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4670 pF @ 20 V

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.72 EUR
5000+	0.67 EUR
7500+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2500

TK3R1P04PL,RQ

Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

TK3R1P04PL,RQ(S2

Description: TOSHIBA - TK3R1P04PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 0.0025 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 87W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1988 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3R1P04PL,RQ(S2

PWR-MOSFET N-CHANNEL

Produkt ist nicht verfügbar

TK3R1P04PL,RQ(S2

auf Bestellung 1988 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3R2A08QM,S4X

MOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2mohm

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.5 EUR
10+	2.68 EUR
100+	2.2 EUR
500+	1.87 EUR
1000+	1.49 EUR

TK3R2A08QM,S4X

Description: UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

TK3R2A08QM,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

Produkt ist nicht verfügbar

TK3R2A10PL,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

Produkt ist nicht verfügbar

TK3R2A10PL,S4X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 50 V

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.6 EUR
10+	3.66 EUR
100+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 4

TK3R2A10PL,S4X

MOSFETs TO-220SIS PD=54W 1MHz PWR MOSFET TRNS

auf Bestellung 226 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.77 EUR
10+	3.73 EUR
25+	3.41 EUR
50+	3.19 EUR
100+	2.64 EUR
250+	2.43 EUR
500+	2.15 EUR

TK3R2A10PL,S4X(S

Silicon N-channel MOS

auf Bestellung 86 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	6.28 EUR

Mindestbestellmenge: 25

TK3R2A10PL,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK3R2A10PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 106 A, 0.0026 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 484 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3R2A10PL,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

Produkt ist nicht verfügbar

TK3R2E06PL

Produkt ist nicht verfügbar

TK3R2E06PL,S1X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V

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5+	3.84 EUR
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TK3R2E06PL,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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TK3R2E06PL,S1X

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR

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TK3R2E06PL,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK3R2E06PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0024 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

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TK3R2E06PL,S1X(S

Silicon N-channel MOS

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TK3R2E06PL,S1X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

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TK3R3A06PL,S4X

MOSFET TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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TK3R3A06PL,S4X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 30 V

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TK3R3A06PL,S4X

Trans MOSFET N-CH Si 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube

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TK3R3A06PL,S4X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

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TK3R3A06PL,S4X(S

TK3R3A06PL,S4X(S

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81+	1.82 EUR

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TK3R3A06PL,S4X(S

Description: TOSHIBA - TK3R3A06PL,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 88 A, 0.0025 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 50 Stücke:

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TK3R3E08QM

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TK3R3E08QM,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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58+	2.61 EUR
63+	2.34 EUR
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TK3R3E08QM,S1X

Description: UMOS10 TO-220AB 80V 3.3MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 40 V

auf Bestellung 163 Stücke:

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50+	2.86 EUR
100+	2.36 EUR

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TK3R3E08QM,S1X

MOSFETs UMOS10 TO-220AB 80V 3.3mohm

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10+	2.99 EUR
25+	2.78 EUR
50+	2.59 EUR
100+	2.13 EUR
250+	2.01 EUR
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TK3R3E08QM,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 80V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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TK3R3E08QM,S1X(S

Description: TOSHIBA - TK3R3E08QM,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

auf Bestellung 41 Stücke:

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TK3R3E08QM,S1X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

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TK3R9E10PL,S1X

MOSFETs TO-220 PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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50+	2.92 EUR
100+	2.25 EUR
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TK3R9E10PL,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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TK3R9E10PL,S1X

Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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TK3R9E10PL,S1X

Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

TK3R9E10PL,S1X(S

TK3R9E10PL,S1X(S

auf Bestellung 50 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

TK3R9E10PL,S1X(S

PWR-MOSFET N-CHANNEL

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TK3R9E10PL,S1X(S

TK3R9E10PL,S1X(S

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	3.59 EUR

Mindestbestellmenge: 43

TK3R9E10PL,S1X(S