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Technische Details TK31V60W5,LVQ(S Toshiba
Description: TOSHIBA - TK31V60W5,LVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30.8 A, 0.087 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 240W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm, SVHC: To Be Advised.
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TK31V60W5,LVQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm SVHC: To Be Advised |
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TK31V60W5,LVQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
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TK31V60W5,LVQ(S | Hersteller : Toshiba |
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TK31V60W5,LVQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 240W; DFN; 8x8mm Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30.8A Power dissipation: 240W Case: DFN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 109mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 8x8mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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TK31V60W5,LVQ(S | Hersteller : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; 240W; DFN; 8x8mm Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30.8A Power dissipation: 240W Case: DFN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 109mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Dimensions: 8x8mm |
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