TK32E12N1,S1X(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK32E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 98W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 1874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details TK32E12N1,S1X(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TK32E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 98W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote TK32E12N1,S1X(S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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TK32E12N1,S1X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TK32E12N1,S1X(S | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TK32E12N1,S1X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 32A; 98W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 32A Power dissipation: 98W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TK32E12N1,S1X(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 32A; 98W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 32A Power dissipation: 98W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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