Produkte > KSD

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KSD-2BV

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KSD-9700-125

KSD-9700-125 Прочие компоненты

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KSD-9700-125 (KSD-9700-120) Thermostat
Produktcode: 62685

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KSD-9700-80

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KSD-9700/X; 75°C; Термопредохранитель 5A 250V; многоразовый; NO нормально открытый

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KSD-ABC

Description: INTERLOCK NON-LOCKING DPST
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 3A (AC), 270mA (DC)
Circuit: DPST-NO/NC
Type: Non-Locking
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Termination Style: Screw Terminal
Actuator Type: Panel Disconnect
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Part Status: Active
Voltage Rating: 250VAC/DC
Approval Agency: CB, CCC, CE, cURus

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KSD-ABH

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KSD-ABV

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KSD02S

SOP-4

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KSD05

OTAX

DIP-10

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KSD0504LFT

KSD0504 LFT

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KSD06

OTAX

DIP-12

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KSD1020GBU

Description: TRANS NPN 25V 0.7A TO92S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: TO-92S
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 350 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1020GTA

Description: TRANS NPN 25V 0.7A TO92S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: TO-92S
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 350 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1020YBU

Description: TRANS NPN 25V 0.7A TO92S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: TO-92S
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 350 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1020YTA

Description: TRANS NPN 25V 0.7A TO92S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: TO-92S
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 350 mW

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KSD1021-G

Samsung

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KSD1021-Y

Samsung

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KSD1021GBU

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92S
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 350 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1021GTA

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92S
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 350 mW

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KSD1021YBU

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92S
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 350 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1021YTA

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92S
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 350 mW

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KSD102S

Full-Pitch Slide DIP Switch

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KSD11120S

Time Delay Relay 12VDC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD

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KSD11120S

Time Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)

auf Bestellung 4 Stücke:

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1+	102.2 EUR
10+	98.08 EUR

KSD11120S

Description: RELAY TIME DELAY 20 SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 20 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: On-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 12VDC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage
Part Status: Active

auf Bestellung 32 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	101.45 EUR
10+	96.12 EUR
25+	90.78 EUR

KSD1123

Time Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)

auf Bestellung 10 Stücke:

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1+	103.03 EUR

KSD1123

Description: RELAY TIME DELAY 10MIN CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: 0.1 Min ~ 10 Min
Mounting Type: Chassis Mount
Function: On-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 12VDC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: External Resistor
Timing Initiate Method: Input Voltage
Part Status: Active

auf Bestellung 15 Stücke:

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10+	96.12 EUR

Mindestbestellmenge: 10

KSD1123

Time Delay Relay 12VDC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD

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KSD12

Full-Pitch Slide DIP Switch

auf Bestellung 95 Stücke:

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KSD1221GTU

Description: TRANS NPN 60V 3A IPAK

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KSD1221OTU

Description: TRANS NPN 60V 3A IPAK

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KSD1221YTU

Description: TRANS NPN 60V 3A IPAK

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KSD1222TU

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD1222TU

Description: TRANS NPN DARL 40V 3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

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KSD1230

Time Delay Relay 24VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD

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KSD1230

Description: RELAY TIME DELAY 10SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: 0.1 Sec ~ 10 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: On-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 24VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Screwdriver Slot
Timing Initiate Method: Input Voltage
Part Status: Active

auf Bestellung 1 Stücke:

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1+	101.45 EUR

KSD1230

Time Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)

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KSD1273OTU

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 500mA, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W

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KSD1273OTU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1273P

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1273P

Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1273PTSTU

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1273PTSTU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1273PTU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

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KSD1273PTU

auf Bestellung 2135 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD1273PTU

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W

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KSD1273Q

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1273QTU

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1273QYDTU

Description: ONSEMI - KSD1273QYDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2432 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD1273QYDTU

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W

auf Bestellung 2432 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

987+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 987

KSD12S

KSD12S

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD1320

Description: RELAY TIME DELAY 10SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: 0.1 Sec ~ 10 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: On-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 24VDC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: External Resistor
Timing Initiate Method: Input Voltage

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1320

Time Delay Relay 24VDC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1320

Time Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	100.95 EUR

KSD1362RTU

Trans GP BJT NPN 70V 5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F T/R

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1362RTU

Description: TRANS NPN 70V 5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 20 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1406-Y

auf Bestellung 1097 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD1406GTU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1406GTU

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1406OTU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1406OTU

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1406YTU

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1408-Y-BP

Description: TRANS NPN 80V 4A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1408GTU

Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1408GTU

Description: TRANS NPN 80V 4A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1408OTU

Description: TRANS NPN 80V 4A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W

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KSD1408YTU

Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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KSD1408YTU

Description: ONSEMI - KSD1408YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

auf Bestellung 685 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD1408YTU

Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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KSD1408YTU

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 25W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Collector current: 4A
Power dissipation: 25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 80V
Frequency: 8MHz
Case: TO220FP
Current gain: 120...240
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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KSD1408YTU

Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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KSD1408YTU

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 80
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W

auf Bestellung 12762 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

598+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 598

KSD1408YTU

Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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KSD1408YTU

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KSD1408YTU

Description: TRANS NPN 80V 4A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 25 W

auf Bestellung 4505 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.15 EUR
50+	1.72 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.94 EUR
2000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 9

KSD1408YTU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

auf Bestellung 3121 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.16 EUR
10+	1.76 EUR
100+	1.37 EUR
500+	1.16 EUR
1000+	0.89 EUR
5000+	0.85 EUR
10000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 2

KSD1412S

Description: RELAY TIME DELAY 2 SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 2 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: On-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 120VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage
Part Status: Active

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KSD1412S

Time Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)

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KSD1412S

Time Delay Relay 120VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD

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KSD14130S

Time Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)

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KSD14130S

Time Delay Relay 120VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD

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KSD14130S

Description: RELAY TIME DELAY 30SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 30 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: On-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 120VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage
Part Status: Active

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KSD1413TU

Description: TRANS NPN DARL 40V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1413TU

Trans Darlington NPN 40V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

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KSD1417

Darlington Transistors

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KSD1417TU

Description: TRANS NPN DARL 60V 7A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 14mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W

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KSD1420

Time Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)

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KSD1420

Description: RELAY TIME DELAY 10SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: 0.1 Sec ~ 10 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: On-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 120VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: External Resistor
Timing Initiate Method: Input Voltage
Part Status: Active

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KSD1420

Time Delay Relay 120VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD

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KSD1588OTU

Description: TRANS NPN 60V 7A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3A, 1V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W

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KSD1588RTU

Description: TRANS NPN 60V 7A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 1V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W

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KSD1588YTU

Trans GP BJT NPN 60V 7A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD1588YTU

Description: TRANS NPN 60V 7A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W

auf Bestellung 4480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.27 EUR
50+	1.82 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1 EUR
2000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 8

KSD1588YTU

Trans GP BJT NPN 60V 7A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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KSD1588YTU

Trans GP BJT NPN 60V 7A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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KSD1588YTU

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 7A; 2W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Collector current: 7A
Power dissipation: 2W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 60V
Case: TO220FP
Current gain: 100...200

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KSD1588YTU

Trans GP BJT NPN 60V 7A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1588YTU

Description: ONSEMI - KSD1588YTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 9651 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD1588YTU

Trans GP BJT NPN 60V 7A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

99+	1.55 EUR
116+	1.28 EUR
191+	0.75 EUR
500+	0.68 EUR
3000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 99

KSD1588YTU

Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 7A, 60
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W

auf Bestellung 9651 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

496+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 496

KSD1588YTU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

auf Bestellung 690 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.29 EUR
10+	1.85 EUR
100+	0.96 EUR
500+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 2

KSD1588YTU

Trans GP BJT NPN 60V 7A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1588YTU

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1589OTU

Description: TRANS NPN DARL 100V 5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1589OTU

Trans Darlington NPN 100V 5A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1589RTU

Description: TRANS NPN DARL 100V 5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1589RTU

Trans Darlington NPN 100V 5A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1589YTU

Description: TRANS NPN DARL 100V 5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

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KSD16130S

Description: RELAY TIME DELAY 30SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 30 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: On-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 230VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage

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KSD16130S

Time Delay Relay 230VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD

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KSD16130S

Time Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)

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KSD1616

Bipolar Transistors - BJT

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KSD1616-G-AP

Description: TRANS NPN 50V 1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW

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KSD1616-GTA

auf Bestellung 2022 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD1616-L-AP

Description: TRANS NPN 50V 1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW

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KSD1616-Y-AP

Description: TRANS NPN 50V 1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616A

Micro Commercial Components (MCC)

Bipolar Transistors - BJT NPN/120V/1A

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KSD1616A-G-AP

Bipolar Transistors - BJT PNP SILICON PURPOSE TRANSISTOR

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616A-G-AP

Description: TRANS NPN 120V 1A TO92

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616A-G-BP

Description: TRANS NPN 120V 1A TO92

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616A-Y

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD1616A-Y-AP

Description: TRANS NPN 60V 1A TO92

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KSD1616AGBU

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 0.75W
Kind of package: bulk
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 2A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Frequency: 160MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 200...400

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KSD1616AGBU

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag

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KSD1616AGBU

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag

auf Bestellung 5916 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1163+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 1163

KSD1616AGBU

Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 16522 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD1616AGBU

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD1616AGBU

Description: TRANS NPN 60V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW

auf Bestellung 28067 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

39+	0.46 EUR
50+	0.36 EUR
100+	0.21 EUR
500+	0.2 EUR
1000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 39

KSD1616AGBU

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag

auf Bestellung 5916 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

686+	0.22 EUR
935+	0.16 EUR
1163+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 686

KSD1616AGBU

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag

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KSD1616AGBU

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KSD1616AGBU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

auf Bestellung 16250 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.44 EUR
10+	0.33 EUR
100+	0.19 EUR
1000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 7

KSD1616AGBU

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616AGTA

Description: TRANS NPN 60V 1A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW

auf Bestellung 56209 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

27+	0.67 EUR
34+	0.52 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 27

KSD1616AGTA

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

auf Bestellung 3990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

281+	0.54 EUR
365+	0.4 EUR
644+	0.22 EUR
1000+	0.14 EUR
2000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 281

KSD1616AGTA

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

auf Bestellung 3990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1268+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 1268

KSD1616AGTA

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 0.75W
Kind of package: Ammo Pack
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Frequency: 160MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 200...400
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616AGTA

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor

auf Bestellung 9831 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.64 EUR
10+	0.5 EUR
100+	0.28 EUR
1000+	0.19 EUR
2000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

KSD1616AGTA

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616AGTA

Description: TRANS NPN 60V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW

auf Bestellung 70000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

KSD1616AGTA

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

auf Bestellung 7999 Stücke:

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351+	0.44 EUR
455+	0.32 EUR
804+	0.18 EUR
1210+	0.11 EUR
2000+	0.081 EUR

Mindestbestellmenge: 351

KSD1616AGTA

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 0.75W
Kind of package: Ammo Pack
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Frequency: 160MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 200...400

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616AGTA

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616AGTA

Description: ONSEMI - KSD1616AGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: -
Verlustleistung: 750
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616AGTA

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616ALBU

Description: TRANS NPN 60V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW

auf Bestellung 490000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3806+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3806

KSD1616ALBU

Description: ONSEMI - KSD1616ALBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 490000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD1616ALBU

Description: TRANS NPN 60V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616ALBU

auf Bestellung 62500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD1616ALTA

Description: ONSEMI - KSD1616ALTA - KSD1616ALTA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 2976 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD1616ALTA

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor

auf Bestellung 6203 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

KSD1616ALTA

Description: TRANS NPN 60V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5323+	0.097 EUR

Mindestbestellmenge: 5323

KSD1616ALTA

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616ALTA

Description: TRANS NPN 60V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW

auf Bestellung 52699 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5323+	0.097 EUR

Mindestbestellmenge: 5323

KSD1616ALTA

auf Bestellung 62500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD1616ALTA

Description: TRANS NPN 60V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616ALTA

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

auf Bestellung 51 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD1616ALTA

Description: TRANS NPN 60V 1A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616AYBU

Description: TRANS NPN 60V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616AYTA

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616AYTA

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 0.75W
Kind of package: Ammo Pack
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Frequency: 160MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 135...270
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616AYTA

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 0.75W
Kind of package: Ammo Pack
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Frequency: 160MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 135...270

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616AYTA

Description: TRANS NPN 60V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.18 EUR
10000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

KSD1616AYTA

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616AYTA

Description: ONSEMI - KSD1616AYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 135hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 1326 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD1616AYTA

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616AYTA

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor

auf Bestellung 5931 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.67 EUR
10+	0.53 EUR
100+	0.29 EUR
1000+	0.2 EUR
2000+	0.18 EUR
10000+	0.16 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

KSD1616AYTA

Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616AYTA

Description: TRANS NPN 60V 1A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW

auf Bestellung 3419 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

27+	0.67 EUR
34+	0.53 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 27

KSD1616GBU

Description: TRANS NPN 50V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616GBU

Description: ONSEMI - KSD1616GBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 29159 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD1616GBU

Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin TO-92 Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616GBU

Description: TRANS NPN 50V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW

auf Bestellung 29159 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6662+	0.081 EUR

Mindestbestellmenge: 6662

KSD1616GTA

Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin TO-92 Ammo

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616GTA

auf Bestellung 32500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD1616GTA

Description: TRANS NPN 50V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616LBU

Description: TRANS NPN 50V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3806+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3806

KSD1616LBU

Description: ONSEMI - KSD1616LBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD1616LPWD

Bipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616LPWD

Description: TRANS NPN 50V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616YBU

Description: TRANS NPN 50V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616YTA

Description: TRANS NPN 50V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1616YTA

Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin TO-92 Ammo

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1621(SYS)

auf Bestellung 570 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD1621-STF

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD1621RTF

Trans GP BJT NPN 25V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1621RTF

Description: TRANS NPN 25V 2A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 500 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1621STF

Description: TRANS NPN 25V 2A SOT-89

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1621STF

Trans GP BJT NPN 25V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

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KSD1621TTF

Description: ONSEMI - KSD1621TTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 56000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD1621TTF

Trans GP BJT NPN 25V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1621TTF

Description: TRANS NPN 25V 2A SOT89-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 500 mW

auf Bestellung 56000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4438+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 4438

KSD1621UTF

Trans GP BJT NPN 25V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1621UTF

Description: TRANS NPN 25V 2A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 500 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1621UTF

Description: TRANS NPN 25V 2A SOT89-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 500 mW

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2959+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 2959

KSD1621UTF

FAICHILD

08+ SOT-89

auf Bestellung 24000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD1621UTF

Description: ONSEMI - KSD1621UTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD1691

00+

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD1691

NPN/5A/60V TO-126

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KSD1691GS

Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag

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KSD1691GS

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

auf Bestellung 1820 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.15 EUR
10+	1.01 EUR
100+	0.85 EUR
500+	0.78 EUR
1000+	0.69 EUR
2000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3

KSD1691GS

Description: ONSEMI - KSD1691GS - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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KSD1691GS

Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1691GS

Description: TRANS NPN 60V 5A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W

auf Bestellung 1920 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.64 EUR
14+	1.34 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.72 EUR

Mindestbestellmenge: 11

KSD1691GS

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 1.3W; TO126ISO
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Power dissipation: 1.3W
Kind of package: bulk
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 200...400
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1691GS

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KSD1691GSTU

Bipolar Transistors - BJT 60V 5A NPN BJT

auf Bestellung 15619 Stücke:

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3+	1.39 EUR
10+	1.15 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.68 EUR
1920+	0.57 EUR
5760+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3

KSD1691GSTU

Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1691GSTU

Description: TRANS NPN 60V 5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W

auf Bestellung 4336 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.39 EUR
16+	1.14 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.75 EUR
1920+	0.61 EUR
3840+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 13

KSD1691GSTU

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 1.3W; TO126ISO
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Power dissipation: 1.3W
Kind of package: tube
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 200...400
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1691GSTU

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 1.3W; TO126ISO
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Power dissipation: 1.3W
Kind of package: tube
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 200...400

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1691GSTU

Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

auf Bestellung 3736 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

605+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 605

KSD1691OS

Description: TRANS NPN 60V 5A TO126-3

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1691OSTU

Description: TRANS NPN 60V 5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1691YS

Description: TRANS NPN 60V 5A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W

auf Bestellung 4008 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.13 EUR
18+	0.99 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.57 EUR
1000+	0.49 EUR
2000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 16

KSD1691YS

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KSD1691YS

Description: ONSEMI - KSD1691YS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.3 W, TO-126, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 50
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
Verlustleistung: 1.3
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

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KSD1691YS

Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag

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KSD1691YS

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

auf Bestellung 2947 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.15 EUR
10+	1 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.49 EUR
2000+	0.44 EUR
4000+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3

KSD1691YS

Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag

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KSD1691YS

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KSD1691YS
Produktcode: 179576

Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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KSD1691YSTSSTU

Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail

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KSD1691YSTSTU

Trans GP BJT NPN 60V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1691YSTSTU

Description: TRANS NPN 60V 5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1691YSTU

Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1691YSTU

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 1.3W; TO126ISO
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Power dissipation: 1.3W
Kind of package: tube
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 160...320
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1691YSTU

Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

auf Bestellung 93 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD1691YSTU

Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

auf Bestellung 281 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.13 EUR
10+	1 EUR
100+	0.69 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.51 EUR
1920+	0.44 EUR
5760+	0.41 EUR

Mindestbestellmenge: 3

KSD1691YSTU

Description: TRANS NPN 60V 5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W

auf Bestellung 4326 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.13 EUR
18+	0.99 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.57 EUR
1920+	0.49 EUR
3840+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 16

KSD1691YSTU

Fairchild

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD1691YSTU

Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

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KSD1691YSTU

Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

auf Bestellung 93 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD1691YSTU

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 1.3W; TO126ISO
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Power dissipation: 1.3W
Kind of package: tube
Collector current: 5A
Pulsed collector current: 8A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 160...320

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1691YSTU

Description: ONSEMI - KSD1691YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 20 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 546 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD1692

onsemi NPN/3A/150V TO-126

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KSD1692YS

Trans Darlington NPN 100V 3A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1692YS

Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 3A; 1.3W; TO126ISO
Mounting: THT
Case: TO126ISO
Power dissipation: 1.3W
Kind of package: tube
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1692YS

Description: ONSEMI - KSD1692YS - NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1692YS

Darlington Transistors NPN Sil Darl Trans

auf Bestellung 2099 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.28 EUR
10+	1.11 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.55 EUR
2000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3

KSD1692YS

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KSD1692YS

Trans Darlington NPN 100V 3A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1692YS

Welwyn Components / TT Electronics

Description: TRANS NPN DARL 100V 3A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1.5mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W

auf Bestellung 1157 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.27 EUR
16+	1.1 EUR
100+	0.76 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 14

KSD193-RTKP

auf Bestellung 46048 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD1943TU

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1943TU

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 4V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1943TU

Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1944TU

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 500mA, 4V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 30 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD1944TU

Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Produkt ist nicht verfügbar

KSD2012GTU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 1055 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

198+	0.77 EUR
212+	0.7 EUR
232+	0.61 EUR
500+	0.53 EUR

Mindestbestellmenge: 198

KSD2012GTU

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W

auf Bestellung 65590 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

712+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 712

KSD2012GTU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 570 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

125+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 125

KSD2012GTU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Produkt ist nicht verfügbar

KSD2012GTU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD2012GTU

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W

auf Bestellung 266 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.58 EUR
50+	1.27 EUR
100+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 12

KSD2012GTU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 1055 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

212+	0.72 EUR
232+	0.64 EUR
500+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 212

KSD2012GTU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

auf Bestellung 570 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

125+	1.23 EUR
149+	0.99 EUR
184+	0.77 EUR
500+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 125

KSD2012GTU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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KSD2012GTU

Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

auf Bestellung 2139 Stücke:

Lieferzeit 136-140 Tag (e)

2+	1.44 EUR
10+	1.18 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2

KSD2012GTU

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2.5W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Frequency: 3MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 150...320
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: bipolar

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KSD2012GTU

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KSD2012GTU

Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 12402 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD2012YTU

Description: ONSEMI - KSD2012YTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD2012YTU

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1900+	0.34 EUR

Mindestbestellmenge: 1900

KSD2012YYDTU

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD203DC2 (3A 100VAC In-4-24V)
Produktcode: 111419

Relais

Produkt ist nicht verfügbar

KSD2058YTSTU

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 400kHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD2058YTU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail

Produkt ist nicht verfügbar

KSD2058YTU

Hasco Components International Corp.

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 400kHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD205DC24

Electromechanical Relay 24VDC 960Ohm 6A DPDT(22.1x16.5x17.2)mm THT General Purpose Relay

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD205DC24

Hasco Components International Corp.

Electromechanical Relay 24VDC 960Ohm 6A DPDT(22.1x16.5x17.2)mm THT General Purpose Relay

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	25.69 EUR
30+	12.13 EUR
100+	5.76 EUR

Mindestbestellmenge: 10

KSD210AC3
Produktcode: 57098

Cosmo

Relais
Relaistyp: Relais Festkorper
Beschreibung: I-komm: 10А; U-Spule:5...12V; UBelast.:50...280VAC;
Abmessungen: 24x32x10,5mm

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KSD210AC8
Produktcode: 103254

COSMO

Relais

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KSD215AC8
Produktcode: 57983

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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KSD22

Full-Pitch Slide DIP Switch

auf Bestellung 197 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

138+	1.11 EUR
162+	0.91 EUR
189+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 138

KSD22-RFD08H0TAH

Conn Rectangular PIN 22 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole

Produkt ist nicht verfügbar

KSD22-RFD08H0TAH

Conn Rectangular PIN 22 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole

Produkt ist nicht verfügbar

KSD22-RFD08H0TAH

Conn Rectangular PIN 22 POS 1.27mm Solder RA Thru-Hole

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KSD22-RFD08H2TAH

High Reliability Sata Connectors

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KSD22-SMT00H0TAH

High Reliability SATA Connectors

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KSD22-SMT00H1TAH

Conn Rectangular SKT 22 POS 1.27mm Solder ST Edge Mount

Produkt ist nicht verfügbar

KSD22-SMT00H1TAH

Conn Rectangular SKT 22 POS 1.27mm Solder ST Edge Mount

Produkt ist nicht verfügbar

KSD22-VFD04H0TAH

Conn Rectangular PIN 22 POS 1.27mm Solder ST Thru-Hole

Produkt ist nicht verfügbar

KSD22-VFD08H0TAH

High Reliability SATA Connectors

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KSD2221

Time Delay Relay 24VAC 1A SPDT(50.8x30.7x50.8)mm SMD

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KSD2221

Description: RELAY TIME DELAY 100SEC
Packaging: Bulk
Delay Time: 1 Sec ~ 100 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Interval
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 24VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: External Resistor
Timing Initiate Method: Input Voltage
Part Status: Active

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	93.46 EUR
10+	88.53 EUR

KSD2221

Time Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)

Produkt ist nicht verfügbar

KSD227GBU

Description: TRANS NPN 25V 0.3A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 400 mW

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KSD227GTA

Description: TRANS NPN 25V 0.3A TO-92

Produkt ist nicht verfügbar

KSD227YBU

Description: ONSEMI - KSD227YBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 69971 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD227YBU

Fairchild

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD227YBU

Description: TRANS NPN 25V 0.3A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 400 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD227YBU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

Produkt ist nicht verfügbar

KSD227YBU

Description: TRANS NPN 25V 0.3A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 400 mW

auf Bestellung 69971 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11539+	0.049 EUR

Mindestbestellmenge: 11539

KSD227YBU

STMicroelectronics

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

KSD227YTA

Description: TRANS NPN 25V 0.3A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 400 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD227YTA

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT

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KSD227YTA

Bipolar Transistors - BJT NPN/25V/.03A/120-240

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KSD227YTA_Q

Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

KSD227YTA_Q

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

KSD22S

KSD22S

auf Bestellung 859 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

114+	1.35 EUR
134+	1.11 EUR
156+	0.91 EUR
240+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 114

KSD240AC8
Produktcode: 115995

Relais

Produkt ist nicht verfügbar

KSD240D5-W
Produktcode: 142832

Verschiedene Bauteile > Other components 3

Produkt ist nicht verfügbar

KSD2413M

Time Delay Relay 120VAC 1A SPDT(50.8x30.7x50.8)mm SMD

Produkt ist nicht verfügbar

KSD2413M

Time Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	103.24 EUR
10+	98.08 EUR

KSD2413M

Description: RELAY TIME DELAY 3MIN
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 3 Min
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Interval
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 120VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage

Produkt ist nicht verfügbar

KSD2420

Time Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)

Produkt ist nicht verfügbar

KSD2420

Description: RELAY TIME DELAY 10SEC CHASSIS
Packaging: Bulk
Delay Time: 0.1 Sec ~ 10 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Interval
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 120VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: External Resistor
Timing Initiate Method: Input Voltage
Part Status: Active

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	93.49 EUR
10+	88.57 EUR

KSD2420

Time Delay Relay 120VAC 1A SPDT(50.8x30.7x50.8)mm SMD

Produkt ist nicht verfügbar

KSD261CGBU

Description: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92

Produkt ist nicht verfügbar

KSD261CGTA

Description: TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD261CGTA

Description: TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8876+	0.049 EUR

Mindestbestellmenge: 8876

KSD261CGTA

Description: TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD261CGTA

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor

auf Bestellung 17556 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

KSD261CGTA

Description: ONSEMI - KSD261CGTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD261CGTA

Trans GP BJT NPN 20V 0.5A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Produkt ist nicht verfügbar

KSD261CYBU

Description: TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD261CYTA

Description: TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD261GBU

Description: TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD261GTA

Description: TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD261YBU

Trans GP BJT NPN 20V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

KSD261YBU

Description: TRANS NPN 20V 0.5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD261YTA

Description: TRANS NPN 20V 0.5A TO-92

Produkt ist nicht verfügbar

KSD288O

Trans GP BJT NPN 55V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

KSD288O

Description: TRANS NPN 55V 3A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 25 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD288OTU

Description: TRANS NPN 55V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 25 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD288OTU

Trans GP BJT NPN 55V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

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KSD288W

Description: TRANS NPN 55V 3A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 25 W

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KSD288W

Trans GP BJT NPN 55V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220

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KSD288WTU

Description: TRANS NPN 55V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 25 W

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KSD288WTU

Trans GP BJT NPN 55V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

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KSD288Y

Description: TRANS NPN 55V 3A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 25 W

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KSD288Y

Trans GP BJT NPN 55V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk

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KSD288YTU

Trans GP BJT NPN 55V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

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KSD288YTU

Description: TRANS NPN 55V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 25 W

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KSD301 (10A 250V; 85°C)
Produktcode: 43601

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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KSD301 (10A 250V;110°C)
Produktcode: 35590

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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KSD301 (10A 250V;90°C)
Produktcode: 17934

Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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KSD301-050; 50°C; Термопредохранитель; 10A 250V; многоразовый; NC нормально закрытый; тип FBHL

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD301-050h

Bochen

Thermostat

auf Bestellung 2 Stücke:

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KSD301-060; 60°C; Термопредохранитель; 10A 250V; многоразовый; NC нормально закрытый; тип FBHL

auf Bestellung 9 Stücke:

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KSD301-070; 70°C; Термопредохранитель; 10A 250V; многоразовый; NC нормально закрытый; тип FBHL

auf Bestellung 7 Stücke:

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KSD301-082; 82°C; Термопредохранитель; 10A 250V; многоразовый; NC нормально закрытый; тип FBHL

auf Bestellung 6 Stücke:

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KSD301-090; 90°C; Термопредохранитель; 10A 250V; многоразовый; NC нормально закрытый; тип FBHL

auf Bestellung 118 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD301-095; 95°C; Термопредохранитель; 10A 250V; многоразовый; NC нормально закрытый; тип FBHL

auf Bestellung 8 Stücke:

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KSD301-100; 100°C; Термопредохранитель; 10A 250V; многоразовый; NC нормально закрытый; тип FBHL

auf Bestellung 8 Stücke:

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KSD301-105; 105°C; Термопредохранитель; 10A 250V; многоразовый; NC нормально закрытый; тип FBHL

auf Bestellung 63 Stücke:

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KSD301-110; 110°C; Термопредохранитель; 10A 250V; многоразовый; NC нормально закрытый; тип FBHL

auf Bestellung 22 Stücke:

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KSD301-115; 115°C; Термопредохранитель; 10A 250V; многоразовый; NC нормально закрытый; тип FBHL

auf Bestellung 10 Stücke:

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KSD301-120; 120°C; Термопредохранитель; 10A 250V; многоразовый; NC нормально закрытый; тип FBHL

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD301-125; 125°C
Produktcode: 177291

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KSD301-125; 125°C; Термопредохранитель; 10A 250V; многоразовый; NC нормально закрытый; тип FBHL

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD301-135; 135°C; Термопредохранитель; 10A 250V; многоразовый; NC нормально закрытый; тип FBHL

auf Bestellung 3 Stücke:

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KSD301-140; 140°C; Термопредохранитель; 10A 250V; многоразовый; NC нормально закрытый; тип FBHL

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD301-150; 150°C; Термопредохранитель; 10A 250V; многоразовый; NC нормально закрытый; тип FBHL

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD301-160; 160°C; Термопредохранитель; 10A 250V; многоразовый; NC нормально закрытый; тип FBHL

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD301-210; 210°C; Термопредохранитель; 10A 250V; многоразовый; NC нормально закрытый; тип FBHL

auf Bestellung 53 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD301-220; 220°C; Термопредохранитель; 10A 250V; многоразовый; NC нормально закрытый; тип FBHL

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD301-250; 250°C; Термопредохранитель; 10A 250V; многоразовый; NC нормально закрытый; тип FBHL

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD301AM-100-OR2-B
Produktcode: 199884

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KSD301AM-130-OR2-B
Produktcode: 187753

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KSD301AM-140-OR2-B
Produktcode: 199885

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KSD301AM-150-OR2-C
Produktcode: 199886

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KSD301AM-160-OR2-C
Produktcode: 199887

Produkt ist nicht verfügbar

KSD301AM-80-OR2-B
Produktcode: 199882

Produkt ist nicht verfügbar

KSD301AM-90-OR2-B
Produktcode: 199883

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KSD301B-095; 95°C; Термопредохранитель; 10A 250V; многоразовый; NO нормально открытый

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD301B-125; 125°C
Produktcode: 177292

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KSD301B-125; 125°C; Термопредохранитель; 10A 250V; многоразовый; NO нормально открытый

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD301B-60-OR2-B
Produktcode: 204300

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KSD302 Thermostat
Produktcode: 82112

Verschiedene Bauteile > Other components 3

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KSD302S-070 30A
Produktcode: 155999

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KSD3120A

Time Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)

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KSD3120A

Description: RELAY TIME DELAY 10SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: 0.1 Sec ~ 10 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Repeat Cycle
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 12VDC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: External Resistor
Timing Initiate Method: Input Voltage
Part Status: Active

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KSD3120A

Time Delay Relay 12VDC 1A SPDT(50.8x30.7x50.8)mm SMD

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KSD32

KSD32

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

122+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 122

KSD3310.1SA

Description: RELAY TIME DELAY 0.1SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 0.1 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Repeat Cycle
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 24VDC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage
Part Status: Active

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	97.09 EUR

Mindestbestellmenge: 10

KSD3310.1SA

Time Delay Relay 24VDC 1A SPDT(50.8x30.7x50.8)mm SMD

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KSD3310.1SA

Time Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)

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KSD3415MA

Time Delay Relay 120VAC 1A SPDT(50.8x30.7x50.8)mm SMD

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KSD3415MA

Time Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)

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KSD3415MA

Description: RELAY TIME DELAY 5MIN CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 5 Min
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Repeat Cycle
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 120VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage
Part Status: Active

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KSD3432A

Time Delay & Timing Relays DIGI-TIMER(D.O.M.)

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KSD3432A

Description: RELAY TIME DELAY 1000SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: 10 Sec ~ 1000 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Repeat Cycle
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 120VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Screwdriver Slot
Timing Initiate Method: Input Voltage
Part Status: Active

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	102.48 EUR
10+	97.09 EUR

KSD3432A

Time Delay Relay 120VAC 1A SPDT(50.8x30.7x50.8)mm SMD

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KSD362

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD362N

Description: TRANS NPN 70V 5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 40 W

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KSD362R

Description: TRANS NPN 70V 5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 40 W

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KSD362R

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

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KSD362RTU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

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KSD362RTU

Description: TRANS NPN 70V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 40 W

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KSD362RTU_NL

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Silicon Transistor

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KSD363

onsemi NPN/7A/120V TO-220

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KSD363O

Description: TRANS NPN 120V 6A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 40 W

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KSD363OTU

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KSD363R

Description: ONSEMI - KSD363R - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD363R

Description: TRANS NPN 120V 6A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 40 W

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KSD363R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD363R

Description: TRANS NPN 120V 6A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 40 W

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

523+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 523

KSD363RTU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

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KSD363RTU

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 6A; 40W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 6A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Current gain: 40...80
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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KSD363RTU

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KSD363RTU

Trans GP BJT NPN 120V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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KSD363RTU

Trans GP BJT NPN 120V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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KSD363RTU

Description: ONSEMI - KSD363RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 6 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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KSD363RTU

Description: TRANS NPN 120V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 40 W

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KSD363Y

Description: TRANS NPN 120V 6A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 40 W

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KSD363YTU

Trans GP BJT NPN 120V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

KSD363YTU

Description: TRANS NPN 120V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 40 W

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.48 EUR
12+	1.57 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.75 EUR
2000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 8

KSD363YTU

Trans GP BJT NPN 120V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

KSD363YTU

Description: ONSEMI - KSD363YTU - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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KSD363YTU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

auf Bestellung 899 Stücke:

Lieferzeit 101-105 Tag (e)

2+	1.54 EUR
10+	1.34 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.65 EUR
5000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2

KSD4

CTS Electrocomponents

Description: SHAFT 450 SERIES 1/2" SD SLOT
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Stock Pot™ 450 Series Potentiometers
Accessory Type: Shaft

auf Bestellung 998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.55 EUR
14+	1.35 EUR
100+	0.94 EUR
250+	0.82 EUR
500+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 12

KSD401FYTU

Description: TRANS NPN 150V 2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 25 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD401FYTU

Trans GP BJT NPN 150V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

Produkt ist nicht verfügbar

KSD401G

Description: TRANS NPN 150V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 400mA, 10V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 25 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD401O

Description: TRANS NPN 150V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 25 W

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KSD401O

Trans GP BJT NPN 150V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk

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KSD401Y

Description: TRANS NPN 150V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 25 W

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KSD401Y

Trans GP BJT NPN 150V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk

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KSD401YTU

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KSD42

Switch DIP OFF ON SPST 4 Slide PC Pins Thru-Hole

auf Bestellung 315 Stücke:

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130+	1.18 EUR
131+	1.13 EUR
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280+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 130

KSD425AC8
Produktcode: 117199

Relais

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KSD42S

auf Bestellung 1403 Stücke:

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107+	1.34 EUR
140+	1.05 EUR
280+	0.94 EUR
560+	0.9 EUR
1120+	0.76 EUR

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Relais KSD440ac8
Produktcode: 44173

Relais
Relaistyp: Relais

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KSD471A-G

Samsung

auf Bestellung 20000 Stücke:

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KSD471A-G-AP

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW

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KSD471A-G-BP

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW

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KSD471A-O-AP

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW

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KSD471A-O-BP

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD471A-Y-AP

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD471A-Y-BP

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW

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KSD471ACGBU

Description: ONSEMI - KSD471ACGBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 798734 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD471ACGBU

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW

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KSD471ACGBU

Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin TO-92 Bulk

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KSD471ACGBU

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW

auf Bestellung 798734 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11539+	0.049 EUR

Mindestbestellmenge: 11539

KSD471ACGTA

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW

auf Bestellung 62230 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5323+	0.098 EUR

Mindestbestellmenge: 5323

KSD471ACGTA

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor

auf Bestellung 11990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

KSD471ACGTA

Trans GP BJT NPN 30V 1A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Produkt ist nicht verfügbar

KSD471ACGTA

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW

auf Bestellung 64000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5323+	0.098 EUR

Mindestbestellmenge: 5323

KSD471ACGTA

Description: ONSEMI - KSD471ACGTA - KSD471ACGTA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 64000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD471ACYBU

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW

auf Bestellung 9978 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.65 EUR
38+	0.47 EUR
100+	0.24 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.16 EUR
2000+	0.15 EUR
5000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 28

KSD471ACYBU

Description: ONSEMI - KSD471ACYBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 59047 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD471ACYBU

Trans GP BJT NPN 30V 1A 800mW 3-Pin TO-92 Bag

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KSD471ACYBU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

auf Bestellung 9308 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.65 EUR
10+	0.47 EUR
100+	0.21 EUR
1000+	0.15 EUR
2500+	0.14 EUR
10000+	0.13 EUR
30000+	0.12 EUR

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KSD471ACYBU

Trans GP BJT NPN 30V 1A 800mW 3-Pin TO-92 Bag

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KSD471ACYTA

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW

auf Bestellung 28863 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3086+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3086

KSD471ACYTA
Produktcode: 45718

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KSD471ACYTA

Trans GP BJT NPN 30V 1A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Produkt ist nicht verfügbar

KSD471ACYTA

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW

auf Bestellung 51482 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.63 EUR
36+	0.5 EUR
100+	0.3 EUR
500+	0.28 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 28

KSD471ACYTA

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor

auf Bestellung 4706 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.64 EUR
10+	0.5 EUR
100+	0.28 EUR
1000+	0.19 EUR
2000+	0.17 EUR
10000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 5

KSD471ACYTA

FAIRCHILD

TO-92 05+

auf Bestellung 310 Stücke:

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KSD471ACYTA

Trans GP BJT NPN 30V 1A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Produkt ist nicht verfügbar

KSD471ACYTA

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW

auf Bestellung 48000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

KSD471ACYTA

Description: ONSEMI - KSD471ACYTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 143136 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD471AGBU

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW

auf Bestellung 14016 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11539+	0.049 EUR

Mindestbestellmenge: 11539

KSD471AGTA

Trans GP BJT NPN 30V 1A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD471AGTA

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

KSD471AGTA

Trans GP BJT NPN 30V 1A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Produkt ist nicht verfügbar

KSD471AGTA

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD471AGTA

Description: ONSEMI - KSD471AGTA - KSD471AGTA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 512 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD471AGTA

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW

auf Bestellung 11755 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5323+	0.098 EUR

Mindestbestellmenge: 5323

KSD471AYBU

Description: ONSEMI - KSD471AYBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 68179 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD471AYBU

Trans GP BJT NPN 30V 1A 800mW 3-Pin TO-92 Bag

auf Bestellung 9949 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2033+	0.075 EUR
5323+	0.047 EUR

Mindestbestellmenge: 2033

KSD471AYBU

Trans GP BJT NPN 30V 1A 800mW 3-Pin TO-92 Bag

auf Bestellung 9245 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD471AYBU

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW

auf Bestellung 17740 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5323+	0.098 EUR

Mindestbestellmenge: 5323

KSD471AYBU

Trans GP BJT NPN 30V 1A 800mW 3-Pin TO-92 Bag

auf Bestellung 9245 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3206+	0.048 EUR

Mindestbestellmenge: 3206

KSD471AYBU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

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KSD471AYBU

Trans GP BJT NPN 30V 1A 800mW 3-Pin TO-92 Bag

Produkt ist nicht verfügbar

KSD471AYBU

Trans GP BJT NPN 30V 1A 800mW 3-Pin TO-92 Bag

auf Bestellung 9949 Stücke:

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2033+	0.075 EUR
5323+	0.047 EUR

Mindestbestellmenge: 2033

KSD471AYBU

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD471AYTA

auf Bestellung 1997 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.63 EUR
36+	0.5 EUR
100+	0.3 EUR
500+	0.28 EUR
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Mindestbestellmenge: 28

KSD471AYTA

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor

auf Bestellung 3918 Stücke:

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5+	0.64 EUR
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100+	0.28 EUR
1000+	0.19 EUR
2000+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 5

KSD471AYTA

Trans GP BJT NPN 30V 1A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

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KSD471AYTA

auf Bestellung 2000 Stücke:

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2000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

KSD471AYTA

Description: ONSEMI - KSD471AYTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 42371 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD471AYTA

Description: TRANS NPN 30V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 800 mW

auf Bestellung 42371 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3086+	0.16 EUR

Mindestbestellmenge: 3086

KSD471AYTA

Trans GP BJT NPN 30V 1A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Produkt ist nicht verfügbar

KSD5018

Description: TRANS NPN DARL 275V 4A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 275 V
Power - Max: 40 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD5018

Darlington Transistors NPN Sil Darl Trans

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KSD5018PCC

Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Darlington

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KSD5018PWD

Darlington Transistors NPN/4A/275V/DARL

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KSD5018PWD

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KSD5018TU

Description: TRANS NPN DARL 275V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 275 V
Power - Max: 40 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD5018TU

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KSD5018TU

Darlington Transistors NPN Sil Darl Trans

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KSD5027

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD5041

Bipolar Transistors - BJT NPN/20V/5A/180-600 TO-92

Produkt ist nicht verfügbar

KSD5041PBU

Description: TRANS NPN 20V 5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 750 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD5041PTA

Description: TRANS NPN 20V 5A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 750 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD5041QBU

Description: ONSEMI - KSD5041QBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD5041QBU

Description: TRANS NPN 20V 5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 750 mW

Produkt ist nicht verfügbar

KSD5041QBU

Description: TRANS NPN 20V 5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 750 mW

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6662+	0.082 EUR

Mindestbestellmenge: 6662

KSD5041QTA

Description: TRANS NPN 20V 5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 750 mW

auf Bestellung 65620 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3328+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3328

KSD5041QTA

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3328+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3328

KSD5041QTA

Description: TRANS NPN 20V 5A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 750 mW

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KSD5041QTA

Bipolar Transistors - BJT NPN/40V/5A

auf Bestellung 11622 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

KSD5041QTA

Description: ONSEMI - KSD5041QTA - KSD5041QTA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD5041QTA

Trans GP BJT NPN 20V 5A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

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KSD5041RBU

Description: TRANS NPN 20V 5A TO92-3

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KSD5041RTA

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 5A; 0.75W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 5A
Power dissipation: 0.75W
Case: TO92
Current gain: 340...600
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 150MHz

Produkt ist nicht verfügbar

KSD5041RTA

Trans GP BJT NPN 20V 5A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

auf Bestellung 13500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

577+	0.27 EUR
584+	0.25 EUR
591+	0.24 EUR
599+	0.23 EUR
1000+	0.22 EUR
3000+	0.2 EUR
6000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 577

KSD5041RTA

Trans GP BJT NPN 20V 5A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

auf Bestellung 13500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

563+	0.27 EUR
569+	0.26 EUR
577+	0.25 EUR
584+	0.23 EUR
591+	0.22 EUR
599+	0.21 EUR
1000+	0.2 EUR
6000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 563

KSD5041RTA

Trans GP BJT NPN 20V 5A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

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KSD5041RTA

Bipolar Transistors - BJT NPN/20V/5A/180-600

auf Bestellung 2682 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.61 EUR
10+	0.51 EUR
100+	0.38 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.26 EUR
2000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 5

KSD5041RTA

Description: TRANS NPN 20V 5A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 750 mW

auf Bestellung 1416 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

26+	0.69 EUR
31+	0.58 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.31 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 26

KSD5041RTA

Description: ONSEMI - KSD5041RTA - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

Produkt ist nicht verfügbar

KSD5041RTA

Trans GP BJT NPN 20V 5A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Produkt ist nicht verfügbar

KSD5041RTA

Trans GP BJT NPN 20V 5A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD5041RTA

Trans GP BJT NPN 20V 5A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Produkt ist nicht verfügbar

KSD5041RTA

Produkt ist nicht verfügbar

KSD5041RTA

Trans GP BJT NPN 20V 5A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

auf Bestellung 539 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD5041RTA

Trans GP BJT NPN 20V 5A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Produkt ist nicht verfügbar

KSD5041RTA

Trans GP BJT NPN 20V 5A 750mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

auf Bestellung 539 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD5041RTA

Description: TRANS NPN 20V 5A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 750 mW

auf Bestellung 14000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

KSD5075TU

auf Bestellung 2302 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD52

KSD52

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD526

onsemi NPN/4A/80V TO-220

Produkt ist nicht verfügbar

KSD526-O

auf Bestellung 2322 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD526O

Description: TRANS NPN 80V 4A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD526OTU

Description: TRANS NPN 80V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD526Y

Description: ONSEMI - KSD526Y - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 7034 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD526Y

Trans GP BJT NPN 80V 4A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag

Produkt ist nicht verfügbar

KSD526Y

FAIRCHIL

07+ LQFP32

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD526Y

Trans GP BJT NPN 80V 4A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag

Produkt ist nicht verfügbar

KSD526Y

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

auf Bestellung 2345 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.99 EUR
10+	1.64 EUR
100+	1.28 EUR
600+	1.09 EUR
1000+	0.88 EUR
2600+	0.83 EUR
5000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2

KSD526Y

Description: TRANS NPN 80V 4A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W

auf Bestellung 570 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.02 EUR
11+	1.65 EUR
200+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 9

KSD526Y

Trans GP BJT NPN 80V 4A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag

Produkt ist nicht verfügbar

KSD526YTU

FAIRCHILD

07+ 220

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD526YTU

Trans GP BJT NPN 80V 4A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

KSD526YTU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

auf Bestellung 1115 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.76 EUR
10+	2.48 EUR
100+	1.74 EUR
250+	1.66 EUR

Mindestbestellmenge: 2

KSD526YTU

Description: TRANS NPN 80V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 8MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD526YTU

Description: ONSEMI - KSD526YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

auf Bestellung 990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD526YTU

Trans GP BJT NPN 80V 4A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

KSD560OTU

Description: TRANS NPN DARL 100V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD560R

Description: TRANS NPN DARL 100V 5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD560RTSTU

Description: TRANS NPN DARL 100V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

auf Bestellung 832 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.64 EUR
50+	1.31 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 11

KSD560RTSTU

Trans Darlington NPN 100V 5A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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KSD560RTSTU

Trans Darlington NPN 100V 5A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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KSD560RTSTU

Trans Darlington NPN 100V 5A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 400 Stücke:

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134+	1.14 EUR
164+	0.9 EUR
228+	0.62 EUR

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KSD560RTSTU

Darlington Transistors NPN Epitaxial Sil Darl; Short Leads

auf Bestellung 2163 Stücke:

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2+	1.64 EUR
10+	1.31 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.72 EUR
5000+	0.65 EUR
10000+	0.64 EUR

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KSD560RTU

Darlington Transistors NPN Epitaxial Sil Darl

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KSD560RTU

Description: TRANS NPN DARL 100V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

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KSD560RTU

Trans Darlington NPN 100V 5A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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KSD560Y

Description: TRANS NPN DARL 100V 5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

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KSD560Y

Trans Darlington NPN 100V 5A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk

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KSD560YTU

Trans Darlington NPN 100V 5A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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KSD560YTU

Description: ONSEMI - KSD560YTU - BIPOLAR TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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KSD560YTU

Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 5A; 1.5W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Power dissipation: 1.5W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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KSD560YTU

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KSD560YTU

Trans Darlington NPN 100V 5A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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KSD560YTU

Description: TRANS NPN DARL 100V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W

auf Bestellung 1750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.24 EUR
50+	1.79 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 8

KSD560YTU

Darlington Transistors NPN Epitaxial Sil Darl

auf Bestellung 2381 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.22 EUR
10+	1.8 EUR
100+	1.42 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	0.94 EUR
3000+	0.92 EUR
5000+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2

KSD568OTU

Description: TRANS NPN 60V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 3A, 1V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W

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KSD568RTU

Description: TRANS NPN 60V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 1V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W

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KSD568YTU

Description: TRANS NPN 60V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W

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KSD569OTU

Description: TRANS NPN 80V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 3A, 1V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W

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KSD569RTU

Description: TRANS NPN 80V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 1V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W

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KSD569YTU

Description: TRANS NPN 80V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W

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KSD5703TBTU

onsemi

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KSD62

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD62S

KSD62S

auf Bestellung 25 Stücke:

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KSD73O

Description: TRANS NPN 60V 5A TO-220

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KSD73O

Trans GP BJT NPN 60V 5A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk

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KSD73Y

Trans GP BJT NPN 60V 5A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk

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KSD73Y

Description: TRANS NPN 60V 5A TO-220

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KSD73YTSTU

Description: TRANS NPN 60V 5A TO-220

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KSD73YTU

Description: TRANS NPN 60V 5A TO-220

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KSD794AYS

Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126

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KSD794AYSTU

Description: TRANS NPN 60V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 1900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.16 EUR
18+	1.01 EUR
100+	0.7 EUR
500+	0.59 EUR

Mindestbestellmenge: 16

KSD794AYSTU

Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

auf Bestellung 268 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.21 EUR
10+	1.04 EUR
100+	0.72 EUR
500+	0.59 EUR
1000+	0.55 EUR
1920+	0.45 EUR
5760+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 3

KSD794AYSTU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

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KSD794AYSTU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

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KSD794YSTU

Description: TRANS NPN 45V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1 W

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KSD82

Switch DIP OFF ON SPST 8 Slide PC Pins Thru-Hole

auf Bestellung 398 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	2.24 EUR
75+	1.97 EUR
80+	1.88 EUR
160+	1.48 EUR
320+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 69

KSD82S

auf Bestellung 294 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

60+	2.56 EUR
66+	2.25 EUR
80+	2.15 EUR
160+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 60

KSD880

onsemi NPN/3A/60V TO-220

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KSD880-Y

FAIRCHILD

03+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD880O

Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag

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KSD880O

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 30 W

auf Bestellung 773 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.46 EUR
12+	1.55 EUR
100+	1.04 EUR
500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 8

KSD880O

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

auf Bestellung 1050 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.2 EUR
10+	1.04 EUR
100+	0.76 EUR
600+	0.74 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 3

KSD880O

Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag

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KSD880O

Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag

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KSD880O

Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag

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KSD880O

Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag

auf Bestellung 2725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

257+	0.6 EUR
269+	0.55 EUR
303+	0.47 EUR
600+	0.45 EUR
1000+	0.39 EUR
2600+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 257

KSD880O

Description: ONSEMI - KSD880O - NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

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KSD880O

Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag

auf Bestellung 2725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

269+	0.57 EUR
303+	0.49 EUR
600+	0.46 EUR
1000+	0.41 EUR
2600+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 269

KSD880OPATU

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 30 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD880Y

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 30 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD880Y

Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk

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KSD880YBU

08+

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD880YTU

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD880YTU

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 30 W

auf Bestellung 2561 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.09 EUR
14+	1.31 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.61 EUR
2000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 9

KSD880YTU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

KSD880YTU

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 30W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Frequency: 3MHz
Kind of package: tube
Power dissipation: 30W
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 100...200
Collector current: 3A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar

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KSD880YTU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 126885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

237+	0.65 EUR
285+	0.52 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.36 EUR
3000+	0.34 EUR
5000+	0.32 EUR
10000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 237

KSD880YTU

Description: ONSEMI - KSD880YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSD880
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 725 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSD880YTU

08+ SOP28

auf Bestellung 225 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD880YTU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

KSD880YTU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

KSD880YTU

Produkt ist nicht verfügbar

KSD880YTU

Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 126885 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

217+	0.71 EUR
237+	0.62 EUR
285+	0.5 EUR
500+	0.43 EUR
1000+	0.35 EUR
3000+	0.33 EUR
5000+	0.31 EUR
10000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 217

KSD880YTU
Produktcode: 150371

Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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KSD880YTU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

auf Bestellung 2540 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.21 EUR
10+	1.02 EUR
100+	0.77 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.55 EUR
3000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3

KSD882

onsemi NPN/3A/40V TO-126

Produkt ist nicht verfügbar

KSD882-Y

auf Bestellung 6720 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD882-YSTU
Produktcode: 184924

Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 90 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 3 A
h21: 150
ZCODE: THT

auf Bestellung 223 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

KSD882OS

Description: TRANS NPN 30V 3A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W

Produkt ist nicht verfügbar

KSD882RS

Description: TRANS NPN 30V 3A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W

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KSD882YS

Description: ONSEMI - KSD882YS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 90
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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KSD882YS

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

auf Bestellung 1958 Stücke:

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3+	0.95 EUR
10+	0.88 EUR
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500+	0.48 EUR
1000+	0.42 EUR
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KSD882YS

Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag

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KSD882YS

Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag

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KSD882YS

FAIRCHIL

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KSD882YS

Description: TRANS NPN 30V 3A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 284 Stücke:

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18+	1.02 EUR
21+	0.88 EUR
100+	0.61 EUR

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KSD882YS

Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag

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KSD882YSTSSTU

Description: TRANS NPN 30V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W

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KSD882YSTSSTU

Trans GP BJT NPN 30V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail

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KSD882YSTSTU

Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail

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KSD882YSTSTU

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KSD882YSTU

Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

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KSD882YSTU

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KSD882YSTU

Description: TRANS NPN 30V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W

auf Bestellung 1402 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.25 EUR
60+	1.04 EUR
120+	0.75 EUR
540+	0.63 EUR
1020+	0.54 EUR

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KSD882YSTU

Description: ONSEMI - KSD882YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 3 A, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 90MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2109 Stücke:

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KSD882YSTU

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

auf Bestellung 2506 Stücke:

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3+	1.18 EUR
10+	0.9 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.55 EUR
1920+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 3

KSD882YSTU

Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

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KSD882YSTU

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 3A; 1W; TO126ISO
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Case: TO126ISO
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 90MHz

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KSD882YSTU

Trans GP BJT NPN 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube

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KSD882YSTU

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KSD985OSTU

Description: TRANS NPN DARL 60V 1.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

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KSD985OSTU

Darlington Transistors NPN Epitaxial Sil Darl

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KSD985OSTU

Trans Darlington NPN 60V 1.5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail

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KSD986OS

Description: TRANS NPN DARL 80V 1.5A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W

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KSD986OS

Darlington Transistors NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor

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KSD986YS

Description: TRANS NPN DARL 80V 1.5A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8000 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W

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KSD986YS

Darlington Transistors NPN Epitaxial Sil Darl

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KSD986YSTSSTU

Darlington Transistors NPN Epitaxial Sil Darl

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KSD986YSTSSTU

Description: TRANS NPN DARL 80V 1.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8000 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W

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KSD986YSTSSTU

auf Bestellung 50000 Stücke:

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KSD986YSTSSTU

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KSD986YSTSSTU_NL

Darlington Transistors NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor

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KSD986YS_NL

Darlington Transistors NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor

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KSDA323-090v (Termost.bimetal.250VAC 10A 90шC pionowyno)
Produktcode: 33858

Aktive Bauelemente > Sensoren

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KSDB1110MP

Description: RELAY TIME DELAY 10 MIN CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 10 Min
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Off-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 12VDC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage, Trigger Signal
Part Status: Active

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KSDB1110MP

Time Delay & Timing Relays SOLIDSTATETIMER

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KSDB1115SP

Time Delay & Timing Relays SOLIDSTATETIMER

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KSDB1115SP

Description: RELAY TIME DELAY 15 SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 15 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Off-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 12VDC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage, Trigger Signal
Part Status: Active

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KSDB1120SP

Time Delay & Timing Relays SOLIDSTATETIMER

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KSDB1120SP

Time Delay Relay 12VDC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD

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KSDB1120SP

Description: RELAY TIME DELAY 20 SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 20 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Off-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 12VDC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage, Trigger Signal

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	112.13 EUR

Mindestbestellmenge: 10

KSDB113MP

Time Delay & Timing Relays SOLIDSTATETIMER

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KSDB113MP

Description: RELAY TIME DELAY 3MIN CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 3 Min
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Off-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 12VDC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage, Trigger Signal
Part Status: Active

auf Bestellung 1933 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	118.36 EUR
10+	112.13 EUR
25+	105.9 EUR
50+	99.67 EUR
100+	93.44 EUR

KSDB113SP

Time Delay & Timing Relays SOLIDSTATETIMER

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KSDB113SP

Description: RELAY TIME DELAY 3SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 3 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Off-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 12VDC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage, Trigger Signal
Part Status: Active

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KSDB120P

Description: RELAY TIME DELAY 10SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: 0.1 Sec ~ 10 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Off-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 12VDC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: External Resistor
Timing Initiate Method: Input Voltage, Trigger Signal

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KSDB120P

Time Delay & Timing Relays SOLIDSTATETIMER

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	122.06 EUR
10+	114.95 EUR

KSDB120P

Time Delay Relay 12VDC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD

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KSDB134P

Time Delay & Timing Relays SOLIDSTATETIMER3

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KSDB134P

Description: RELAY TIME DELAY 100MIN CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: 1 Min ~ 100 Min
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Off-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 12VDC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Screwdriver Slot
Timing Initiate Method: Input Voltage, Trigger Signal

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KSDB2115S

Time Delay & Timing Relays SOLIDSTATETIMER

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	119.31 EUR
10+	114.63 EUR

KSDB2115S

Description: RELAY TIME DELAY 15SEC CHASSIS
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 15 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Off-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 24VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage, Trigger Signal
Part Status: Active

auf Bestellung 69 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	113.24 EUR
10+	107.28 EUR
25+	101.32 EUR
50+	95.36 EUR

KSDB220

Time Delay Relay 24VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD

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KSDB220

Time Delay & Timing Relays SOLIDSTATETIMER

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KSDB220

Description: RELAY TIME DELAY SOLID STATE TMR

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KSDB231

Time Delay Relay 24VAC 1A SPST-NO(50.8x30.7x50.8)mm SMD

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KSDB231

Time Delay & Timing Relays SOLIDSTATETIMER

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KSDB231

Description: RELAY TIME DELAY 100SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: 1 Sec ~ 100 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Off-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 24VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Screwdriver Slot
Timing Initiate Method: Input Voltage, Trigger Signal

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	118.8 EUR

KSDB314SP

Description: RELAY TIME DELAY 4SEC
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 4 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Off-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 24VDC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage, Trigger Signal
Part Status: Active

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	127.39 EUR

KSDB314SP

Time Delay & Timing Relays SOLIDSTATETIMER

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KSDB315SP

Time Delay & Timing Relays SOLIDSTATETIMER

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KSDB315SP

Description: RELAY TIME DELAY SOLID STATE TMR

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	122.48 EUR

KSDB324N

Description: RELAY TIME DELAY 100MIN CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: 1 Min ~ 100 Min
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Off-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 24VDC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: External Resistor
Timing Initiate Method: Input Voltage, Trigger Signal
Part Status: Active

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	120.45 EUR
10+	114.12 EUR
30+	107.78 EUR

KSDB324N

Time Delay & Timing Relays SOLIDSTATETIMER

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KSDB330N

Time Delay & Timing Relays SOLIDSTATETIMER

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	122.06 EUR
10+	115.19 EUR

KSDB330N

Description: RELAY TIME DELAY SOLID STATE TMR

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KSDB4120M

Time Delay & Timing Relays SOLIDSTATETIMER

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KSDB4160S

Description: RELAY TIME DELAY 60SEC

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	113.68 EUR

KSDB4160S

Time Delay & Timing Relays SOLIDSTATETIMER

auf Bestellung 4 Stücke:

Lieferzeit 87-91 Tag (e)

1+	118.43 EUR
10+	114.79 EUR

KSDB4190M

Description: RELAY TIME DELAY 90MIN CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 90 Min
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Off-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 120VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage, Trigger Signal

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KSDB4190M

Time Delay & Timing Relays SOLIDSTATETIMER

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KSDB431

Description: RELAY TIME DELAY SOLID STATE TMR

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

KSDB431

TIMER - DELAY-ON-BREAK

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KSDB431

Time Delay & Timing Relays SOLIDSTATETIMER

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KSDB61150S

Description: RELAY TIME DELAY 150SEC CHASSIS
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 150 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: Off-Delay
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 230VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage, Trigger Signal
Part Status: Active

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KSDB61150S

Time Delay & Timing Relays SOLIDSTATETIMER

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KSDB631

IAR Systems Software Inc.

Time Delay & Timing Relays SOLIDSTATETIMER

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KSDK 7730 / RT

SCHUTZINGER

Description: SCHUTZINGER - KSDK 7730 / RT - Messzubehör, Kelvin-Schnelldruckklemme, rot, Vier-Draht-Messung
tariffCode: 90309000
Art des Zubehörs: Kelvin-Schnelldruckklemme, rot
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Vier-Draht-Messung
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSDK 7730 / SW

SCHUTZINGER

Description: SCHUTZINGER - KSDK 7730 / SW - Messzubehör, Kelvin-Schnelldruckklemme, schwarz, Vier-Draht-Messung
tariffCode: 90309000
Art des Zubehörs: Kelvin-Schnelldruckklemme, schwarz
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Vier-Draht-Messung
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

KSDK 7730 NI / RT

SCHЬTZINGER

KSDK7730-RT Laboratory Clamps

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

3+	24.7 EUR

Mindestbestellmenge: 3

KSDK 7730 NI / RT

SCHÜTZINGER

Category: Laboratory Clamps
Description: Laboratory clamp; red; 70VDC; 16A; screw; nickel; polyamide; 60mm
Current rating: 16A
Rated voltage: 70V DC
Mounting: screw
Contact material: nickel
Manufacturer series: Kelvin Programme
Colour: red
Operating temperature: -25...90°C
Type of connector: laboratory clamp
Insulator material: polyamide
Maximum height: 60mm
Connection: spring clamp

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	24.7 EUR

Mindestbestellmenge: 3

KSDK 7730 NI / SW

SCHÜTZINGER

Category: Laboratory Clamps
Description: Laboratory clamp; black; 70VDC; 16A; screw; nickel; polyamide; 60mm
Current rating: 16A
Rated voltage: 70V DC
Mounting: screw
Contact material: nickel
Manufacturer series: Kelvin Programme
Colour: black
Operating temperature: -25...90°C
Type of connector: laboratory clamp
Insulator material: polyamide
Maximum height: 60mm
Connection: spring clamp

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KSDK 7730 NI / SW

SCHЬTZINGER

KSDK7730-SW Laboratory Clamps

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KSDKLPC2478-PL

Description: IAR KICKSTART LPC2478 EVAL BRD

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KSDKSTM32-PL

IAR Systems Software Inc.

Description: KIT IAR KICKSTART STM32 CORTEXM3

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

KSDMLN31.23-GZHY-67-J3Q3-200-S-VAR-S

OSRAM Opto Semiconductors

Q65113A1788

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KSDMLN31.23-V1BA1-A3D3+FZHY-68-J3T3

OSRAM Opto Semiconductors

KS DMLN31.23-V1BA-1-A3D3+FZHY-68-J3T3-S

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KSDMLS31.23-6K7K-67-M3T3-700-R18-XX

AMS OSRAM

KS DMLS31.23-6K7K-67-M3T3-700-R18-XX

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KSDOG4KD0204

C&K

ITT SCH TACTILE SWT ASSY

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KSDR40A0

Time Delay & Timing Relays DIGI-TIMERRECYCLING

Produkt ist nicht verfügbar

KSDR42A4

Time Delay & Timing Relays DIGI-TIMERRECYCLING

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KSDS1115SP

Description: RELAY TIME DELAY 15 SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 15 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: One Shot
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 12VDC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage, Trigger Signal
Part Status: Active

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	117.02 EUR

KSDS1115SP

Time Delay Relay 12VDC 1A SPDT(50.8x30.7x50.8)mm SMD

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KSDS1115SP

Time Delay & Timing Relays DIGITALSINGLESHOTTIM ER

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KSDS230

Time Delay Relay 24VAC 1A SPDT(50.8x30.7x50.8)mm SMD

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KSDS230

Time Delay & Timing Relays DIGITALSINGLESHOTTIM ER

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KSDS230

Description: RELAY TIME DELAY 10SEC
Packaging: Bulk
Delay Time: 0.1 Sec ~ 10 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: One Shot
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 24VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Screwdriver Slot
Timing Initiate Method: Input Voltage, Trigger Signal

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KSDS320P

Time Delay Relay 24VAC 1A SPDT(50.8x30.7x50.8)mm SMD

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KSDS320P

Time Delay & Timing Relays DIGITALSINGLESHOTTIM ER

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KSDS320P

Description: RELAY TIME DELAY 10SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: 0.1 Sec ~ 10 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: One Shot
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 24VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: External Resistor
Timing Initiate Method: Input Voltage, Trigger Signal

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KSDS415M

Time Delay Relay 120VAC 1A SPDT(50.8x30.7x50.8)mm SMD

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KSDS415M

Time Delay & Timing Relays DIGITALSINGLESHOTTIM ER

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KSDS415M

Description: RELAY TIME DELAY 5MIN CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: Fixed, 5 Min
Mounting Type: Chassis Mount
Function: One Shot
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 120VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: Fixed
Timing Initiate Method: Input Voltage, Trigger Signal

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KSDS420

Time Delay Relay

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KSDS420

Time Delay & Timing Relays DIGITALSINGLESHOTTIM ER

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KSDS420

Description: RELAY TIME DELAY 10SEC CHAS MT
Packaging: Bulk
Delay Time: 0.1 Sec ~ 10 Sec
Mounting Type: Chassis Mount
Function: One Shot
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: Quick Connect - 0.250" (6.3mm)
Voltage - Supply: 120VAC
Relay Type: Solid State Relay
Timing Adjustment Method: External Resistor
Timing Initiate Method: Input Voltage, Trigger Signal
Part Status: Active

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KSDU811200

Time Delay Relay 24 to 120VDC 24 to 120VAC 1A (50.8x30.7x50.8)mm SMD

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KSDU811200

Time Delay & Timing Relays SOLIDSTATETIMERD.O. M.

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KSDU811200

Description: RELAY TIME DELAY SOLID ST D.O.M.

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KSDU8120