KSD1691GSTU

KSD1691GSTU onsemi / Fairchild


KSD1691_D-2314680.pdf Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT 60V 5A NPN BJT
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Technische Details KSD1691GSTU onsemi / Fairchild

Description: TRANS NPN 60V 5A TO126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 1V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1.3 W.

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KSD1691GSTU KSD1691GSTU Hersteller : onsemi ksd1691-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
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KSD1691GSTU KSD1691GSTU Hersteller : ON Semiconductor ksd1691-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
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KSD1691GSTU Hersteller : ONSEMI KSD1691.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 1.3W; TO126ISO
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Collector current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 60V
Case: TO126ISO
Current gain: 200...400
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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KSD1691GSTU Hersteller : ONSEMI KSD1691.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 5A; 1.3W; TO126ISO
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Collector current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
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