KSD1616AGBU ON Semiconductor
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Technische Details KSD1616AGBU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote KSD1616AGBU nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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KSD1616AGBU | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
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KSD1616AGBU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
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KSD1616AGBU | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW |
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KSD1616AGBU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
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KSD1616AGBU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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KSD1616AGBU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
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KSD1616AGBU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KSD1616AGBU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag |
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| KSD1616AGBU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92 Mounting: THT Type of transistor: NPN Collector current: 1A Power dissipation: 0.75W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Pulsed collector current: 2A Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 160MHz Case: TO92 Current gain: 200...400 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| KSD1616AGBU | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92 Mounting: THT Type of transistor: NPN Collector current: 1A Power dissipation: 0.75W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Pulsed collector current: 2A Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 160MHz Case: TO92 Current gain: 200...400 |
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