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KSD880O

KSD880O ON Semiconductor

3905523370707969ksd880.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
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Technische Details KSD880O ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 3A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 30 W.

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KSD880O KSD880O Hersteller : ON Semiconductor 3905523370707969ksd880.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
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KSD880O KSD880O Hersteller : onsemi / Fairchild KSD880_D-2314642.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
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KSD880O KSD880O Hersteller : onsemi ksd880-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 30 W
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KSD880O KSD880O Hersteller : ON Semiconductor 3905523370707969ksd880.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
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KSD880O KSD880O Hersteller : ON Semiconductor 3905523370707969ksd880.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bag
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