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KSD1616AYTA onsemi
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Description: TRANS NPN 60V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2000+ | 0.18 EUR |
6000+ | 0.17 EUR |
10000+ | 0.16 EUR |
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Technische Details KSD1616AYTA onsemi
Description: ONSEMI - KSD1616AYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 135hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote KSD1616AYTA nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.67 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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KSD1616AYTA | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 6276 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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KSD1616AYTA | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 750 mW |
auf Bestellung 3429 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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KSD1616AYTA | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 135hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1531 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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KSD1616AYTA | Hersteller : ON Semiconductor |
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KSD1616AYTA | Hersteller : ON Semiconductor |
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KSD1616AYTA | Hersteller : ON Semiconductor |
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KSD1616AYTA | Hersteller : ON Semiconductor |
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KSD1616AYTA | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92 Mounting: THT Type of transistor: NPN Collector current: 1A Power dissipation: 0.75W Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 160MHz Case: TO92 Current gain: 135...270 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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KSD1616AYTA | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 0.75W; TO92 Mounting: THT Type of transistor: NPN Collector current: 1A Power dissipation: 0.75W Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Collector-emitter voltage: 60V Frequency: 160MHz Case: TO92 Current gain: 135...270 |
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