Produkte > HN1
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||||||||
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| HN1.5X2LG6 | Panduit Corp | Description: WIRE DUCT SLOTTED SCREW 6' GRAY Packaging: Bulk Features: Hinged Color: Gray, Light Mounting Type: Screw Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC) Length: 6.00' (1.83m) Width: 1.750" (44.45mm) Height: 1.980" (50.29mm) Wire Duct Type: Slotted (Raceway), Base | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1.5X2LG6 | Panduit | Wire Ducting Hinged Duct Narrow Finger 1.75x1.98x6' | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1.5X2WH6 | Panduit Corp | Description: WIRE DUCT SLOTTED SCREW 6' WHITE Packaging: Bulk Features: Hinged Color: White Mounting Type: Screw Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC) Length: 6.00' (1.83m) Width: 1.750" (44.45mm) Height: 1.980" (50.29mm) Wire Duct Type: Slotted (Raceway), Base Part Status: Active | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1.5X3LG6 | Panduit Corp | Description: WIRE DUCT SLOTTED SCREW 6' GRAY Packaging: Bulk Features: Hinged Color: Gray, Light Mounting Type: Screw Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC) Length: 6.00' (1.83m) Width: 1.750" (44.45mm) Height: 3.000" (76.20mm) Wire Duct Type: Slotted (Raceway), Base Part Status: Active | auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1.5X3LG6 | Panduit | Wire Ducting & Raceways Hinged Duct, Narrow Finger | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1.5X3WH6 | Panduit Corp | Description: WIRE DUCT HINGED 6' WHITE | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN10 | Benedict GmbH | Description: AUX 1N/O SNAP-ON 10A UL 600V Packaging: Box For Use With/Related Products: K(G)3-07 to K3-115 Contactors Accessory Type: Auxiliary Contact Block Part Status: Active | auf Bestellung 1736 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN100-10 | Souriau-Sunbank by Eaton | Description: HEX NUT PLATE P23 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN100-10 | Souriau | Circular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories HEX NUT PLATE P23 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN100K120I25TKKKS00R | KUAN KUN ELECTRONIC ENTERPRISE CO., LTD. | HN100K120I25TKKKS00R | auf Bestellung 1115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HN1010-080T4-C | NGD Systems | Description: SSD 8TB M.2 PCIE NVME 3.3V Packaging: Box Size / Dimension: 110.00mm x 22.00mm x 5.00mm Memory Size: 8TB Memory Type: FLASH Type: NVMe Operating Temperature: 0°C ~ 60°C Voltage - Supply: 3.3V Form Factor: M.2 Module, PCIe Part Status: Active | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1010300000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks 350 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN10103000J0G | Amphenol FCI | Description: 350 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1010320000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN10103200J0G | Amphenol FCI | Description: 350 TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1025S | Honeywell | Description: 120V AQUASTAT CONTROL | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN10502S | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| HN1050500000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks 508 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN10505000J0G | Amphenol FCI | Description: 508 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1050520000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1080P | Honeywell | Description: 120V HEAVY DUTY THERMOSTAT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN10U | Benedict GmbH | Description: AUX 1N/O EM SNAP-ON 10A UL 600V Packaging: Box For Use With/Related Products: K(G)3-07 to K3-115 Contactors Accessory Type: Auxiliary Contact Block Part Status: Active | auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1102NL | Pulse Electronics | Description: HN1102NL Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1102NLT | Pulse Electronics | Description: IC CHIP Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1110300000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks 350 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN11103000J0G | Amphenol FCI | Description: 350 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1110320000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLOCK PLUG 11POS STR 3.5MM Packaging: Bulk Features: Mating Flange Color: Orange Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 11 Pitch: 0.138" (3.50mm) Type: Plug, Female Sockets Operating Temperature: -40°C ~ 115°C Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring Number of Levels: 1 Wire Gauge or Range - AWG: 14-26 AWG Positions Per Level: 11 Plug Wire Entry: 180° Contact Mating Finish: Tin Current - UL: 10 A Voltage - UL: 300 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1110320000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1117M | Honeywell | Description: OIL BURNER PROTECTORELAY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1150500000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks 508 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN11505000J0G | Amphenol FCI | Description: 508 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1150520000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1150520000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLOCK PLUG 11POS STR 5.08MM Packaging: Bulk Features: Mating Flange, Retention Latches (Non-Wire Side) Color: Green Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 11 Pitch: 0.200" (5.08mm) Type: Plug, Female Sockets Operating Temperature: -40°C ~ 115°C Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring Number of Levels: 1 Wire Gauge or Range - AWG: 12-26 AWG Positions Per Level: 11 Plug Wire Entry: 180° Contact Mating Finish: Tin Current - UL: 10 A Voltage - UL: 300 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1165 | Honeywell | Description: 55-95AF ECONOMY THERMOSTAT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN12-5.1-A | Bel Power Solutions | Description: AC/DC CONVERTER 12V 61W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN12-5.1-A | Bel Power Solutions | Linear Power Supplies 12V/5.1A OUTPUT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN12-5.1-A+ | SL Power Electronics Manufacture of Condor/Ault Brands | Description: AC/DC CONVERTER 12V 61W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN12-5.1-A+G | Condor / SL Power | Linear Power Supplies 12V 5.1A | auf Bestellung 38 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN12-5.1-A+G | SL POWER / Advanced Energy | Description: AC/DC CONVERTER 12V 61W Power (Watts): 61W Features: Adjustable Output, Remote Sense, Universal Input Packaging: Bulk Size / Dimension: 7.00" L x 4.88" W x 2.75" H (177.8mm x 124.0mm x 69.9mm) Mounting Type: Chassis Mount Voltage - Input: 100 ~ 240 VAC Type: Linear Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (With Derating) Applications: ITE (Commercial) Approval Agency: CE, cURus, TUV Efficiency: 55% Voltage - Output 1: 12V Part Status: Active Number of Outputs: 1 Current - Output 1: 5.1 A | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN12-5.1-A+G | Advanced Energy / SL Power | Linear Power Supplies 12V 5.1A | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN12-5.1-AG | Bel Power Solutions | AC/DC Power Supply Single-OUT 12V 5.1A 61W Case N | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HN12-5.1-AG | Bel Power Solutions | AC/DC Power Supply Single-OUT 12V 5.1A 61W Case N | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN12-5.1-AG | Bel Power Solutions | Description: AC/DC CONVERTER 12V 61W Power (Watts): 61W Features: Adjustable Output, Remote Sense Packaging: Bulk Size / Dimension: 7.00" L x 4.87" W x 3.28" H (177.8mm x 123.7mm x 83.3mm) Mounting Type: Chassis Mount Voltage - Input: 100, 120, 220, 230, 240 VAC Type: Linear Operating Temperature: 0°C ~ 50°C Applications: ITE (Commercial) Approval Agency: CE, CSA, UL Efficiency: 55% Voltage - Output 1: 12V Part Status: Active Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 4.242 kV Standard Number: 60950-1; 62368-1 Current - Output 1: 5.1 A | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN12-5.1-AG | Bel Power Solutions | AC/DC Power Supply Single-OUT 12V 5.1A 61W Case N | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN12-5.1-AG | Bel Power Solutions | Linear Power Supplies 12V, 5.1A | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN12-5.1-AG | Bel Power Solutions | AC/DC Power Supply Single-OUT 12V 5.1A 61W Case N | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1210300000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks 350 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1210300000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLOCK PLUG 12POS STR 3.5MM Packaging: Bulk Color: Orange Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 12 Pitch: 0.138" (3.50mm) Type: Plug, Female Sockets Operating Temperature: -40°C ~ 115°C Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring Number of Levels: 1 Wire Gauge or Range - AWG: 14-26 AWG Positions Per Level: 12 Plug Wire Entry: 180° Contact Mating Finish: Tin Part Status: Active Current - UL: 10 A Voltage - UL: 300 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN12103000J0G | Amphenol FCI | Description: 350 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1210320000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLOCK PLUG 12POS STR 3.5MM Packaging: Bulk Features: Mating Flange Color: Orange Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 12 Pitch: 0.138" (3.50mm) Type: Plug, Female Sockets Operating Temperature: -40°C ~ 115°C Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring Number of Levels: 1 Wire Gauge or Range - AWG: 14-26 AWG Positions Per Level: 12 Plug Wire Entry: 180° Contact Mating Finish: Tin Part Status: Active Current - UL: 10 A Voltage - UL: 300 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1210320000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1212VG | auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| HN1250500000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks 508 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1250500000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLOCK PLUG 12POS STR 5.08MM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1250520000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1264V | auf Bestellung 6800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| HN1310300000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks 350 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN13103000J0G | Amphenol FCI | Description: 350 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1310320000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN13103200J0G | Amphenol FCI | Description: 350 TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1350500000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLOCK PLUG 13POS STR 5.08MM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1350500000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks 508 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN13505000J0G | Amphenol FCI | Description: 508 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1350520000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN14-1/2-28X28/BR | Amphenol | HN14-1/2-28X28/BR HEX NUT COMPONENT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN14-7/16-28X25 | Amphenol | HN14-7/16-28X25 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN14012 | HONEST | 2004 | auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN14012 | HONEST | SMD | auf Bestellung 8643 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1410300000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks 350 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN14103000J0G | Amphenol FCI | Description: 350 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1410320000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN14103200J0G | Amphenol FCI | Description: 350 TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1450500000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks 508 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN14505000J0G | Amphenol FCI | Description: 508 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1450520000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN15-4.5-A | Power-One | Description: AC/DC CONVERTER 15V 68W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN15-4.5-A+ | SL Power Electronics Manufacture of Condor/Ault Brands | Description: AC/DC CONVERTER 15V 68W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN15-4.5-A+G | Condor / SL Power | Linear Power Supplies 15V 4.5A | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN15-4.5-A+G | SL Power Electronics Manufacture of Condor/Ault Brands | Description: AC/DC CONVERTER 15V 68W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN15-4.5-A+G | SL Power Electronics | AC/DC Power Supply Single-OUT 15V 4.5A Case N | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HN15-4.5-AG | Bel Power Solutions | AC/DC Power Supply Single-OUT 15V 4.5A 68W Case N | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN15-4.5-AG | Bel Power Solutions | AC/DC Power Supply Single-OUT 15V 4.5A 68W Case N | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN15-4.5-AG | Bel Power Solutions | Description: AC/DC CONVERTER 15V 68W Power (Watts): 68W Features: Adjustable Output, Remote Sense Packaging: Bulk Size / Dimension: 7.00" L x 4.87" W x 3.28" H (177.8mm x 123.7mm x 83.3mm) Mounting Type: Chassis Mount Voltage - Input: 100, 120, 220, 230, 240 VAC Type: Linear Operating Temperature: 0°C ~ 50°C Applications: ITE (Commercial) Approval Agency: CE, CSA, UL Efficiency: 55% Voltage - Output 1: 15V Part Status: Active Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 4.242 kV Standard Number: 60950-1; 62368-1 Current - Output 1: 4.5 A | auf Bestellung 257 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN15-4.5-AG | Bel Power Solutions | AC/DC Power Supply Single-OUT 15V 4.5A 68W Case N | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HN15-4.5-AG | Bel Power Solutions | Linear Power Supplies POWER SUPPLY | auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1510300000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks 350 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN15103000J0G | Amphenol FCI | Description: 350 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1510320000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN15103200J0G | Amphenol FCI | Description: 350 TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN15109 | CONIEN | 94 QFP | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1550500000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLOCK PLUG 15POS STR 5.08MM Packaging: Bulk Features: Retention Latches (Non-Wire Side) Color: Green Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 15 Pitch: 0.200" (5.08mm) Type: Plug, Female Sockets Operating Temperature: -40°C ~ 115°C Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring Number of Levels: 1 Wire Gauge or Range - AWG: 12-26 AWG Positions Per Level: 15 Plug Wire Entry: 180° Contact Mating Finish: Tin Part Status: Active Current - UL: 10 A Voltage - UL: 300 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1550500000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks 508 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN15505000J0G | Amphenol FCI | Description: 508 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1550520000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN16-1/2-28X28/BR=NI | Amphenol | HN161/228X28/BR=NI | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN16-1/2-28X28/BR=NI | AMPHENOL RF | HN16-1/2-28X28/BR BNC connectors | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN16009 | HONEST | 2000 | auf Bestellung 896 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN160112SG | auf Bestellung 696 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| HN16015S | HONEST | 2002 | auf Bestellung 3750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN16022CG | MINGTEK | 07+ SMD | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN16022CG | MINGTEK | SMD 07+ | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1610300000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLOCK PLUG 16POS STR 3.5MM Packaging: Bulk Color: Orange Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 16 Pitch: 0.138" (3.50mm) Type: Plug, Female Sockets Operating Temperature: -40°C ~ 115°C Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring Number of Levels: 1 Wire Gauge or Range - AWG: 14-26 AWG Positions Per Level: 16 Plug Wire Entry: 180° Contact Mating Finish: Tin Part Status: Active Current - UL: 10 A Voltage - UL: 300 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1610300000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks 350 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN16103000J0G | Amphenol FCI | Description: 350 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1610320000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1610320000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLOCK PLUG 16POS STR 3.5MM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN16103200J0G | Amphenol FCI | Description: 350 TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1650500000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks 508 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN16505000J0G | Amphenol FCI | Description: 508 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1650520000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN16515 | HONEST | 2002 | auf Bestellung 622 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN16517SG | auf Bestellung 20042 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| HN16613SG | auf Bestellung 2491 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| HN1664CG | MINGTEK | 0614+ | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1669CG | Mingtek | 0726+ | auf Bestellung 13745 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN16FS100D | auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| HN16FS3902D | auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| HN1710300000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks 350 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1710300000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLOCK PLUG 17POS STR 3.5MM Packaging: Bulk Color: Orange Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 17 Pitch: 0.138" (3.50mm) Type: Plug, Female Sockets Operating Temperature: -40°C ~ 115°C Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring Number of Levels: 1 Wire Gauge or Range - AWG: 14-26 AWG Positions Per Level: 17 Plug Wire Entry: 180° Contact Mating Finish: Tin Part Status: Active Current - UL: 10 A Voltage - UL: 300 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN17103000J0G | Amphenol FCI | Description: 350 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1710320000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN17103200J0G | Amphenol FCI | Description: 350 TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1750500000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLOCK PLUG 17POS STR 5.08MM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1750500000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks 508 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN17505000J0G | Amphenol FCI | Description: 508 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1750520000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1810300000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLOCK PLUG 18POS STR 3.5MM Packaging: Bulk Color: Orange Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 18 Pitch: 0.138" (3.50mm) Type: Plug, Female Sockets Operating Temperature: -40°C ~ 115°C Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring Number of Levels: 1 Wire Gauge or Range - AWG: 14-26 AWG Positions Per Level: 18 Plug Wire Entry: 180° Contact Mating Finish: Tin Part Status: Active Current - UL: 10 A Voltage - UL: 300 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1810300000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks 350 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN18103000J0G | Amphenol FCI | Description: 350 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1810320000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1810320000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLOCK PLUG 18POS STR 3.5MM Packaging: Bulk Features: Mating Flange Color: Orange Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 18 Pitch: 0.138" (3.50mm) Type: Plug, Female Sockets Operating Temperature: -40°C ~ 115°C Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring Number of Levels: 1 Wire Gauge or Range - AWG: 14-26 AWG Positions Per Level: 18 Plug Wire Entry: 180° Contact Mating Finish: Tin Current - UL: 10 A Voltage - UL: 300 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN18103200J0G | Amphenol FCI | Description: 350 TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1850500000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLOCK PLUG 18POS STR 5.08MM | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1850500000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks 508 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN18505000J0G | Amphenol FCI | Description: 508 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1850520000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1850520000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLOCK PLUG 18POS STR 5.08MM Packaging: Bulk Features: Mating Flange, Retention Latches (Non-Wire Side) Color: Green Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 18 Pitch: 0.200" (5.08mm) Type: Plug, Female Sockets Operating Temperature: -40°C ~ 115°C Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring Number of Levels: 1 Wire Gauge or Range - AWG: 12-26 AWG Positions Per Level: 18 Plug Wire Entry: 180° Contact Mating Finish: Tin Current - UL: 10 A Voltage - UL: 300 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1890602 | TI | DIP | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1910300000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks 350 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
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| HN1910320000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1910320000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLOCK PLUG 19POS STR 3.5MM Packaging: Bulk Features: Mating Flange Color: Orange Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 19 Pitch: 0.138" (3.50mm) Type: Plug, Female Sockets Operating Temperature: -40°C ~ 115°C Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring Number of Levels: 1 Wire Gauge or Range - AWG: 14-26 AWG Positions Per Level: 19 Plug Wire Entry: 180° Contact Mating Finish: Tin Current - UL: 10 A Voltage - UL: 300 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN19103200J0G | Amphenol FCI | Description: 350 TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1950500000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks 508 TB SPRING PLUG | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1950500000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLOCK PLUG 19POS STR 5.08MM Packaging: Bulk Features: Retention Latches (Non-Wire Side) Color: Green Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 19 Pitch: 0.200" (5.08mm) Type: Plug, Female Sockets Operating Temperature: -40°C ~ 115°C Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring Number of Levels: 1 Wire Gauge or Range - AWG: 12-26 AWG Positions Per Level: 19 Plug Wire Entry: 180° Contact Mating Finish: Tin Current - UL: 10 A Voltage - UL: 300 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1950520000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SPRING PLUG WF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1950520000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLOCK PLUG 19POS STR 5.08MM Packaging: Bulk Features: Mating Flange, Retention Latches (Non-Wire Side) Color: Green Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 19 Pitch: 0.200" (5.08mm) Type: Plug, Female Sockets Operating Temperature: -40°C ~ 115°C Termination Style: Screwless - Leg Spring, Push-In Spring Number of Levels: 1 Wire Gauge or Range - AWG: 12-26 AWG Positions Per Level: 19 Plug Wire Entry: 180° Contact Mating Finish: Tin Current - UL: 10 A Voltage - UL: 300 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01F | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01F | TOSHIBA | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1A01F-GR(TE85L,F Produktcode: 91733 | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||||
| HN1A01F-GR(TE85L,F | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1A01F-GR(TE85L,F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 300mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 125°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01F-GR(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01F-GR(TE85L,F | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin SM T/R | auf Bestellung 2030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HN1A01F-GR(TE85L,F | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1A01F-GR(TE85L,F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01F-GR(TE85L,F | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A | auf Bestellung 8779 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1A01F-TE85L | TOSHIBA | auf Bestellung 16628 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1A01F-V | TOSHIBA | 2000 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01F-Y | TOS | 09+ | auf Bestellung 4147 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01F-Y | TOSHIBA | 2002 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01F-Y | TOSHIBA | SOT-163 | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01F-Y | TOSHIBA | SOT-163 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01F-Y(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A | auf Bestellung 3397 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1A01F-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SM6 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01F-Y(TE85R) | TOSHIBA | SOT163-D1Y | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01F-Y(TE85R) SOT163- | TOSHIBA | auf Bestellung 2780 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1A01F-Y(TE85R) SOT163-D1 | TOSHIBA | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1A01F-YTE85L | auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| HN1A01F-YTE85RSOT163-D1Y | TOSHIBA | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1A01FE-GR | auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| HN1A01FE-GR(T5L,F) | TOSHIBA | SOT26/SOT363 | auf Bestellung 738 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01FE-GR,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FE-GR,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW 6-Pin ES T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FE-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FE-GR,LF(B | Toshiba | HN1A01FE-GR,LF(B | auf Bestellung 3800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HN1A01FE-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1A01FE-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 100mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01FE-GR,LF(T | Toshiba | DIGITAL TRANSISTOR ARRAY | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FE-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1A01FE-GR,LXHF | Toshiba | HN1A01FE-GR,LXHF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FE-GR,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) | auf Bestellung 7835 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1A01FE-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active | auf Bestellung 7702 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1A01FE-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1A01FE-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 100mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01FE-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1A01FE-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 100mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01FE-Y(T5L,F,T | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FE-Y(T5L,F,T | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FE-Y(T5L,F,T | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRAN DUAL PNP -50V -0.15A ES6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FE-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FE-Y,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT ES6 PLN | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FE-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FE-Y,LF(B | Toshiba | HN1A01FE-Y,LF(B | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HN1A01FE-Y,LF(T | Toshiba | Transistor Silicon Epitaxial PNP Type (PCT Process) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FE-Y,LF(T | Toshiba | Transistor Silicon Epitaxial PNP Type (PCT Process) | auf Bestellung 3900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HN1A01FE-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1A01FE-Y,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1A01FE-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1A01FU | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-GR(L,F,T) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-GR(T5L,F) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-GR(TE85L) | TOSHIBA | SOT363-D1G | auf Bestellung 2217 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-GR(TE85L) SOT36 | TOSHIBA | auf Bestellung 2217 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1A01FU-GR(TE85L) SOT363- | TOSHIBA | auf Bestellung 4434 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1A01FU-GR,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp | auf Bestellung 10519 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1A01FU-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Part Status: Active | auf Bestellung 2219 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1A01FU-GR,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-GR,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R | auf Bestellung 3866 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HN1A01FU-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-GR,LF Produktcode: 196705 | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||||
| HN1A01FU-GR,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R | auf Bestellung 3866 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HN1A01FU-GR,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW Automotive AEC-Q101 6-Pin US | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HN1A01FU-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1A01FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 200mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1A01FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1A01FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 200mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 125°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-GR/D1G | TOSHIBA | SOT-363 | auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-GR/D1G | TOSHIBA | 09+ | auf Bestellung 21018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-GRTE85LSOT363-D1G | TOSHIBA | auf Bestellung 2222 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1A01FU-GR\D1G | TOSHIBA | SOT-363 | auf Bestellung 18100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-Y | TOSHIBA | 09+ | auf Bestellung 33018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
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| HN1A01FU-Y | TOSHIBA | SOT-363 07+ | auf Bestellung 1688 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-Y(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANSISTOR PNP US6-PLN | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-Y(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANSISTOR PNP US6-PLN | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-Y(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANSISTOR PNP US6-PLN | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-Y(TE85L) | TOSHIBA | SOT363-D1Y | auf Bestellung 2106 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-Y(TE85L) SOT363 | TOSHIBA | auf Bestellung 2006 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1A01FU-Y(TE85L) SOT363-D | TOSHIBA | auf Bestellung 4212 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1A01FU-Y(TE85L,F | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-Y(TE85LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1A01FU-Y,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT US6 PLN TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz | auf Bestellung 3676 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1A01FU-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Part Status: Active | auf Bestellung 4491 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1A01FU-Y,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1A01FU-Y,LXHF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1A01FU-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1A01FU-Y,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) | auf Bestellung 5698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1A01FU-YTE85LSOT363-D1Y | TOSHIBA | auf Bestellung 2106 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1A01FU/D1G | TOSHIBA | auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1A01FWG | TOSHIBA | SOT363 | auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1AO1F-Y | auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
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| HN1B01F-GR | TOS | 07+ | auf Bestellung 2798 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B01F-GR | TOSH | SOT26/ | auf Bestellung 2633 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B01F-GR | TOSHIBA | SOT-163 | auf Bestellung 20750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B01F-GR | TOS | 09+ | auf Bestellung 2816 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B01F-GR(TE85L,F | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP NPN SM6, -50V, -0.15A | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 95-99 Tag (e) |
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| HN1B01F-GR(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B01F-V | TOSH | SOT26/ | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B01F-V | TOSHIBA | SOT26/SOT363 | auf Bestellung 1858 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B01F-Y(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP NPN SM6, -50V, -0.15A | auf Bestellung 1576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B01F-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B01F-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B01F-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B01FDW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1 - HN1B01FDW1T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 17980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B01FDW1T1 | onsemi | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Supplier Device Package: SC-74 Part Status: Obsolete | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B01FDW1T1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B01FDW1T1 | onsemi | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74 Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Supplier Device Package: SC-74 Part Status: Obsolete | auf Bestellung 17980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B01FDW1T1G | ON Semiconductor | auf Bestellung 1739 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1B01FDW1T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V Dual Complementary | auf Bestellung 5575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B01FDW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 380mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 2128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B01FDW1T1G | Fairchild Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 2µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Supplier Device Package: SC-74 Part Status: Active | auf Bestellung 48182 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B01FDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 380mW 6-Pin SC-74 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HN1B01FDW1T1G | ON | 07+ | auf Bestellung 762 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B01FDW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - HN1B01FDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 380 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 380mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 200mA Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 380mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B01FDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 380mW 6-Pin SC-74 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B01FDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 380mW 6-Pin SC-74 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HN1B01FDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.2A 380mW 6-Pin SC-74 T/R | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HN1B01FU | TOSHIBA | SOT-363 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B01FU-GR | TOSHIBA | 09+ | auf Bestellung 90018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B01FU-GR | TOSHIBA | SOT-363 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B01FU-GR | TOSHIBA | N/A | auf Bestellung 211 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B01FU-GR(TE85L.F) | TOSHIBA | SOT-363 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B01FU-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B01FU-GR,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp | auf Bestellung 436 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B01FU-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN | auf Bestellung 2982 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B01FU-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz Supplier Device Package: US6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B01FU-GR,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) | auf Bestellung 5950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B01FU-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz Supplier Device Package: US6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5948 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B01FU-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1B01FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 200mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 125°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B01FU-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1B01FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 200mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 125°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B01FU-GR.T5R.F | TOSHIBA | 5 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B01FU-Y | TOSHIBA | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1B01FU-Y | TOSHIBA | SOT363-1AY PB-FR | auf Bestellung 6227 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B01FU-Y | TOSHIBA | 09+ | auf Bestellung 75418 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B01FU-Y SOT363-1AY PB | TOSHIBA | auf Bestellung 6227 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1B01FU-Y(L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B01FU-Y(L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 | auf Bestellung 32 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
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| HN1B01FU-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 120MHz, 150MHz Supplier Device Package: US6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B01FU-Y,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B04F(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
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| HN1B04FE-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B04FE-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B04FE-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 100mW 6-Pin ES T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B04FE-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B04FE-GR,LF(T | TOSHIBA | HN1B04FE-GR Complementary transistors | auf Bestellung 24740 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| HN1B04FE-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 100mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 100mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B04FE-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B04FE-GR,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) | auf Bestellung 7778 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B04FE-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B04FE-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 100mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 100mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B04FE-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 100mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 100mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B04FE-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B04FE-Y,LF | Toshiba | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 100mW 6-Pin ES T/R | auf Bestellung 6908 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HN1B04FE-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B04FE-Y,LF | Toshiba | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 100mW 6-Pin ES T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B04FE-Y,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp | auf Bestellung 860 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B04FE-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B04FE-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B04FU-GR(L,F,T) | TOSHIBA | HN1B04FU Complementary transistors | auf Bestellung 1480 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| HN1B04FU-GR(R,F,T) | Toshiba | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 6-Pin US | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-GR(T5R,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-GR(TE85LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F US6-PLN(LF),ACTIVE, | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-GR(TE85LF | Toshiba | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-GR,LF | Toshiba | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-GR,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp | auf Bestellung 1660 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B04FU-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-GR,LF | Toshiba | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R | auf Bestellung 1227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HN1B04FU-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 200mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-GR,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) | auf Bestellung 5570 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B04FU-GR,LXHF | Toshiba | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 150MHz, 120MHz Supplier Device Package: US6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B04FU-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 150MHz, 120MHz Supplier Device Package: US6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B04FU-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 200mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 125°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 200mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 125°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-Y | TOSHIBA | SOT363 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-Y(T5L,F,T | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-Y(T5L,F,T | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6 | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-Y(TE85L,F | Toshiba | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-Y(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT26 | auf Bestellung 5721 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-Y,LF | Toshiba | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-Y,LF | Toshiba | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R | auf Bestellung 643 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HN1B04FU-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: US6 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B04FU-Y,LF | Toshiba | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-Y,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT LF Transistor +/-.15A +/-50V | auf Bestellung 8076 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B04FU-Y,LF | Toshiba | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: US6 | auf Bestellung 11128 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B04FU-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 150MHz, 120MHz Supplier Device Package: US6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 5950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B04FU-Y,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B04FU-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 150MHz, 120MHz Supplier Device Package: US6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1B04FU-Y,LXHF | Toshiba | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-Y/D1Y | TOSHIBA | 09+ | auf Bestellung 3018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1B04FU-Y/TE85L | TOSHIBA | 03+ SOT-363 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1BD01F-Y | TOSH | SOT26/ | auf Bestellung 2181 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1BO1F-Y | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| HN1C01F | TOSBHIBA | SOT-163 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01F-GR | TOSHIBA | 2000 | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01F-GR | TOSHIBA | SOT163-C1G | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01F-GR | TOSHIBA | SOT-163 | auf Bestellung 168000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01F-GR SOT163-C1G | TOSHIBA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1C01F-GR SOT163-C1G | TOSHIBA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1C01F-GR(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01F-GR(TE85L,F | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 6-Pin SM T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01F-GR(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6 | auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01F-GR(TE85L,F | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A | auf Bestellung 7830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C01F-GR(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01F-GR(TE85R) | TOSHIBA | SOT26/SOT363 | auf Bestellung 2726 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01F-Y(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1C01F-Y(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 300 mW tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01F-Y(TE85L,F) | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1C01F-Y(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 300 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 300mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 125°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01F-Y(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT26/SOT363 | auf Bestellung 8533 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01F-Y(TE85L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 6-Pin SM T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01FE | TOS | 08+NOP | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01FE | TOS | 08+ | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01FE-GR | TOSHIBA | SOT23-6 | auf Bestellung 3856 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01FE-GR | TOSH | SOT26/ | auf Bestellung 3817 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01FE-GR | TOSHIBA | SOT663 | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01FE-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active | auf Bestellung 2848 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C01FE-GR,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp | auf Bestellung 30575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C01FE-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01FE-GR,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6) | auf Bestellung 7990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C01FE-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7952 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C01FE-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C01FE-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1C01FE-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 100 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 100mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01FE-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1C01FE-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 100 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 100mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01FE-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6 | auf Bestellung 2170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01FE-Y,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp | auf Bestellung 5848 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C01FE-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01FE-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C01FE-Y,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6) | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C01FE-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C01FU Produktcode: 85544 | Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||||
| HN1C01FU | TOSHIBA | SOT-363 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU | Toshiba | Array | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-GR LXHF | Toshiba | SOT363 50V NPN+NPN BIPOLAR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-GR(T5L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-GR(T5L,F) | TOSHIBA | SOT363 | auf Bestellung 164695 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-GR(TE85R) | TOSHIBA | SOT363-C1G | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-GR(TE85R) SOT36 | TOSHIBA | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1C01FU-GR(TE85R) SOT363- | TOSHIBA | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1C01FU-GR(TE85R)SOT363-C1G | TOSHIBA | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1C01FU-GR,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp | auf Bestellung 9729 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C01FU-GR,LF | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-GR,LF | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Part Status: Active | auf Bestellung 1343 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C01FU-GR,LF | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-GR,LF Produktcode: 128730 | Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||||
| HN1C01FU-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1C01FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 200 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R | auf Bestellung 4688 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HN1C01FU-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R | auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HN1C01FU-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1C01FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 200 mW tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Part Status: Active | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C01FU-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Part Status: Active | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C01FU-GR,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) | auf Bestellung 5700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C01FU-GR,LXHF | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1C01FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 200 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 125°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - HN1C01FU-GR,LXHF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 200 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 125°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 2995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-GR/C1G | TOSHIBA | 09+ | auf Bestellung 6018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-GRTE85RSOT363-C1G | TOSHIBA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1C01FU-Y LXHF | Toshiba | SOT363 50V NPN+NPN BIPOLAR | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-Y(T5L,F,T | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-Y(T5L,F,T | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-Y(TE85L) | TOSHIBA | SOT26 | auf Bestellung 2102 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-Y(TE85L) | TOSHIBA | SOT363-C1Y | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-Y(TE85L) | TOSHIBA | SOT26/SOT363 | auf Bestellung 2978 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-Y(TE85L) SOT363 | TOSHIBA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1C01FU-Y(TE85L) SOT363-C | TOSHIBA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1C01FU-Y(TE85L,F | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-Y(TE85LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Part Status: Active | auf Bestellung 12276 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C01FU-Y,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120 to 400 in SOT-26 (SM6) package | auf Bestellung 2674 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C01FU-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-Y,LF(B | Toshiba | HN1C01FU-Y,LF(B | auf Bestellung 2120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| HN1C01FU-Y,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R | auf Bestellung 2328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-Y,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Part Status: Active | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C01FU-Y,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) | auf Bestellung 5792 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C01FU-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Part Status: Active | auf Bestellung 5870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C01FU-Y,LXHF | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-YLF(T | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C01FU-YTE85LSOT363-C1Y | TOSHIBA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1C01FUGR | TOSHIBA | auf Bestellung 93100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1C01FYTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6 | auf Bestellung 2801 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C01FYTE85LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A | auf Bestellung 7991 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C01FYTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C03F-B(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C03F-B(TE85L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 300mW 6-Pin SM T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C03F-B(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6 | auf Bestellung 6285 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C03F-B(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6 | auf Bestellung 2723 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C03FB | TOSHIBA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1C03FN-B(TE85L) | auf Bestellung 4979 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| HN1C03FU | TOS | SOT-363 | auf Bestellung 1620 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C03FU(AB) | auf Bestellung 2080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| HN1C03FU-1 | auf Bestellung 1106 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| HN1C03FU-A(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C03FU-A(TE85L,F | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C03FU-A(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C03FU-B | TOS | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1C03FU-B | TOS | 05+ | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C03FU-B(TE85L) | TOSHIBA | SOT363-C3B | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C03FU-B(TE85L) SOT363 | TOSHIBA | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1C03FU-B(TE85L,F | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6 | auf Bestellung 1727 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C03FU-B(TE85L,F | Toshiba | Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C03FU-B(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C03FU-B(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C03FU-B(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A US6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1C03FU-B(TE85L,F) | TOSHIBA | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1C03FU-B,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 300mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: US6 Part Status: Active | auf Bestellung 17543 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C03FU-B,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 300mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: US6 Part Status: Active | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C03FU-B,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=20V, IC=0.3A, hFE=350 to 1200 in SOT-26 (SM6) package | auf Bestellung 14510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1C03FV-B | TOSHIBA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1C03FV-B | TOSHIBA | 98+ SOT26 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C08F-B | auf Bestellung 3010 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| HN1C08F-B(T5R.T) | TOSHIBA | SOT163-C3B | auf Bestellung 1307 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1C08F-B(T5R.T) SOT163-C3 | TOSHIBA | auf Bestellung 2614 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1D01F | TOSH | SOT23 | auf Bestellung 2850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1D01F | TOSHIBA | SOT26/SOT363 | auf Bestellung 1625 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1D01F | TOSHIBA | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1D01F(TE85L,F) | Toshiba | Diodes - General Purpose, Power, Switching SM6 M8 DIODE (LF) | auf Bestellung 14895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1D01F(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: SM6 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1D01F(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: SM6 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1D01FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: ES6 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V | auf Bestellung 1180 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1D01FE(TE85L,F) | Toshiba | Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 80V ES6 0.1A High Speed | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1D01FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: ES6 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1D01FU(T5L,F,T) | Toshiba | Diodes - General Purpose, Power, Switching 85V Vrm 80VR 300mA 2A IFSM 0.92V VF | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1D01FU,LF(T | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: US6 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V | auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1D01FU,LF(T | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: US6 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1D01FU,LF(T | Toshiba | Small Signal Switching Diodes High Speed Switching Diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1D02F(T5LDNSO,F) | TOSHIBA | SOT26/SOT363 | auf Bestellung 12315 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1D02F(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: SM6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1D02F(TE85L,F) | Toshiba | Small Signal Switching Diodes SM6 M8 DIODE (LF), IFM=300mA | auf Bestellung 9907 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1D02F(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: SM6 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1D02FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1D02FE,LF | Toshiba | Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 80V ES6 0.1A High Speed | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1D02FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1D02FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1D02FU | TOSHIBA | SOT-353 | auf Bestellung 5900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1D02FU | TOSHIBA | 09+ | auf Bestellung 11618 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1D02FU(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: ES6 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1D02FU(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: ES6 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1D02FU(TE85LF) | Toshiba | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1D02FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: US6 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V | auf Bestellung 8745 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1D02FU,LF | Toshiba | Small Signal Switching Diodes US6-M8, | auf Bestellung 3394 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1D02FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: US6 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1D03FTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC-74 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair CA + CC Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: SC-74 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1D03FTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC-74 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair CA + CC Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: SC-74 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V | auf Bestellung 23738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1D03FTE85LF | Toshiba | Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 4 Circuit 0.1A 80V | auf Bestellung 5750 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1D03FU | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| HN1D03FU(T5L,F,T) | Toshiba | Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 80V ES6 0.1A High Speed | auf Bestellung 2533 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1D03FU,LF | Toshiba | Small Signal Switching Diodes High Speed Switching Diode | auf Bestellung 5553 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1D03FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair CA + CC Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA Supplier Device Package: US6 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V | auf Bestellung 4415 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1D03FU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair CA + CC Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA Supplier Device Package: US6 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HN1D03FULF(T | Toshiba | Diodes - General Purpose, Power, Switching | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1D04FU | TOSHIBA | 08+ SOT-353 | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1D04FU(TE85L,F) | Toshiba | Diode Switching 85V 0.3A 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1D04FUTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: US6 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1D04FUTE85LF | Toshiba | Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 4 Circuit 0.1A 80V | auf Bestellung 880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1D04FUTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: US6 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1J02FU | TOSHIBA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1K02FU(TE85L,F) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.05A 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1K02FU/K1 | TOSHIBA | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1K02FUTE85R | auf Bestellung 53800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| HN1K02FU\KI | TOSHIBA | SOT-363 | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1K03FU | TOSHIBA | 06+ SOT-363 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1K03FU | TOSHIBA | SOT-6 | auf Bestellung 2800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1K03FU | TOSHIBA | N/A | auf Bestellung 1257 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1K03FU(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT26 | auf Bestellung 1952 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1K03FU/KP | TOSHIBA | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1K03FUTE85R | auf Bestellung 11000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| HN1K05FU | TOSHIBA | 09+ | auf Bestellung 9518 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1K06FU | TOSHIBA | 09+ | auf Bestellung 2518 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1K06FU(TE85L) | Toshiba | MOSFET US6 S-MOS(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-10)/OBSOLETE(10-04), | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||||||
| HN1L02FU | TOSHIBA | SOT-363 | auf Bestellung 10900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1L02FU | TOS | 09+ | auf Bestellung 2941 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1L02FU | TOSHIBA | 0603+ | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1L02FU | TOSHIBA | 09+ | auf Bestellung 6018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1L02FU | TOSHIBA | SOT363 | auf Bestellung 2600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1L02FU | TOSHIBA | auf Bestellung 1049 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||||||
| HN1L02FU | TOSHIBA | 0603+ SC70-6 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1L02FU/K2 | TOSHIBA | SOT-363 | auf Bestellung 2729 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1L02FU/K2 | TOSHIBA | 09+ | auf Bestellung 174858 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1L02FU/TE85L | TOSHIBA | SOT-363 04+ | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1L02FU\K2 | TOSHIBA | SOT-363 | auf Bestellung 174940 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1L03FU | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| HN1L03FU-3K | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| HN1V01H Produktcode: 127308 | Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||||||
| HN1V02H | auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||||
| HN1V02H-B | TOSHIBA | 06+ TSOP-8 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1V02H-B | TOSHIBA | SOP-8 | auf Bestellung 15212 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||||||
| HN1V02H-B | TOSHIBA | 09+ | auf Bestellung 1010 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |