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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
2N700MOTOROLA
auf Bestellung 3600 Stücke:
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2N700/18CAN
auf Bestellung 1030 Stücke:
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2N7000Diotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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35+0.51 EUR
50+ 0.35 EUR
103+ 0.17 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.1 EUR
2000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 35
2N7000Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
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6+0.51 EUR
10+ 0.34 EUR
100+ 0.18 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.088 EUR
4000+ 0.086 EUR
8000+ 0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 6
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000EDU-2N7000 SMD N channel transistors
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2N7000NTE Electronics, Inc.N-Ch, Enhancement Mode Field Effect Transistor
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155+0.99 EUR
500+ 0.77 EUR
1000+ 0.73 EUR
2500+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 155
2N7000
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2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 3 Stücke:
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2N7000LUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1315 Stücke:
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865+0.083 EUR
1310+ 0.055 EUR
1315+ 0.054 EUR
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2N7000Microchip TechnologyMOSFETs 60V 5Ohm
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2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000
Produktcode: 20638
NXPTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
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50 Stück - stock Köln
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1+0.25 EUR
2N7000DIOTECTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 2N7000-DIO 2N7000 DIOTEC T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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300+0.12 EUR
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2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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4000+ 0.22 EUR
8000+ 0.2 EUR
12000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2N7000DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 23130 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
670+0.11 EUR
1130+ 0.064 EUR
1600+ 0.045 EUR
1690+ 0.042 EUR
4000+ 0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 670
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 24130 Stücke:
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2128+0.072 EUR
4000+ 0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 2128
2N7000ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 27645 Stücke:
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2N7000ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 9344 Stücke:
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129+0.56 EUR
155+ 0.46 EUR
234+ 0.31 EUR
400+ 0.18 EUR
424+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 129
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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208+0.74 EUR
266+ 0.56 EUR
548+ 0.26 EUR
1000+ 0.17 EUR
2500+ 0.15 EUR
10000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 208
2N7000Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 0.2A 0.4W
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000Diotec SemiconductorDescription: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 124000 Stücke:
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4000+0.086 EUR
8000+ 0.08 EUR
12000+ 0.066 EUR
28000+ 0.065 EUR
100000+ 0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
2N7000onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 200mA, 5 ohm
auf Bestellung 102394 Stücke:
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4+0.8 EUR
10+ 0.62 EUR
100+ 0.34 EUR
1000+ 0.22 EUR
2500+ 0.21 EUR
10000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 3 Stücke:
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2N7000
Produktcode: 200238
CJTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 883 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7000LGEN-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6670 Stücke:
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300+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 300
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 10000 Stücke:
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611+0.25 EUR
2500+ 0.22 EUR
5000+ 0.21 EUR
7500+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 611
2N7000ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9344 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
129+0.56 EUR
155+ 0.46 EUR
234+ 0.31 EUR
400+ 0.18 EUR
424+ 0.17 EUR
10000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 129
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 8410 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
290+0.53 EUR
577+ 0.26 EUR
1000+ 0.16 EUR
2500+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 290
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 0.35 A
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000Fairchild SemiconductorТранз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+0.44 EUR
10+ 0.36 EUR
100+ 0.33 EUR
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.073 EUR
8000+ 0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
2N7000Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+1.31 EUR
10+ 1.13 EUR
100+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7000DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 23130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
670+0.11 EUR
1130+ 0.064 EUR
1600+ 0.045 EUR
1690+ 0.042 EUR
4000+ 0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 670
2N7000Diodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000onsemiDescription: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 38980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+0.99 EUR
29+ 0.61 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.26 EUR
2000+ 0.24 EUR
5000+ 0.21 EUR
10000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 18
2N7000STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000
Produktcode: 182880
STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,32 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000DIOTECTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 2N7000-DIO 2N7000 DIOTEC T2N7000 DIOTEC
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 64694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+0.58 EUR
548+ 0.27 EUR
1000+ 0.17 EUR
2500+ 0.16 EUR
10000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 266
2N7000LUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1315 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
865+0.083 EUR
1310+ 0.055 EUR
1315+ 0.054 EUR
3000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 865
2N7000ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 8452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
222+0.69 EUR
288+ 0.51 EUR
573+ 0.25 EUR
1000+ 0.16 EUR
2500+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 222
2N7000Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7000 AMONXP SemiconductorsMOSFETs TRENCH 31V-99V G2
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000,126NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000,126NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000-APMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N7000-D26ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
200+ 0.36 EUR
275+ 0.26 EUR
317+ 0.23 EUR
481+ 0.15 EUR
506+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 162
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.19 EUR
4000+ 0.18 EUR
6000+ 0.17 EUR
8000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7000-D26ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.21 EUR
4000+ 0.19 EUR
6000+ 0.18 EUR
10000+ 0.17 EUR
14000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N7000-D26Zonsemi / FairchildMOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
auf Bestellung 29489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.49 EUR
10+ 0.34 EUR
100+ 0.26 EUR
1000+ 0.2 EUR
2000+ 0.17 EUR
10000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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2N7000-D26ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000-D26ZONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000-D26Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 12551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7000-D26ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+0.44 EUR
200+ 0.36 EUR
275+ 0.26 EUR
317+ 0.23 EUR
481+ 0.15 EUR
506+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 162
2N7000-D26ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 20427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.88 EUR
33+ 0.54 EUR
100+ 0.34 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 20
2N7000-D74ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
655+0.23 EUR
2000+ 0.21 EUR
4000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 655
2N7000-D74ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N7000-D74Zonsemi / FairchildMOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
auf Bestellung 30098 Stücke:
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6+0.52 EUR
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100+ 0.23 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6
2N7000-D74ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000-D74ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000-D74ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000-D74ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 115726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.69 EUR
43+ 0.42 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.2 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 26
2N7000-D74ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000-D74ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000-D75ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.46 EUR
211+ 0.34 EUR
281+ 0.25 EUR
363+ 0.2 EUR
481+ 0.15 EUR
511+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 157
2N7000-D75ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.18 EUR
4000+ 0.17 EUR
6000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N7000-D75ZONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1216 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
211+ 0.34 EUR
281+ 0.25 EUR
363+ 0.2 EUR
481+ 0.15 EUR
511+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 157
2N7000-D75ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.2 EUR
4000+ 0.18 EUR
6000+ 0.17 EUR
10000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N7000-D75ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000-D75ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.84 EUR
35+ 0.52 EUR
100+ 0.33 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 21
2N7000-D75Zonsemi / FairchildMOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
auf Bestellung 4553 Stücke:
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5+0.62 EUR
10+ 0.49 EUR
100+ 0.27 EUR
1000+ 0.18 EUR
2000+ 0.16 EUR
10000+ 0.15 EUR
50000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N7000-D75ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 11025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.72 EUR
280+ 0.53 EUR
283+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 214
2N7000-G
Produktcode: 182408
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
180+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 180
2N7000-GMicrochip TechnologyMOSFETs 60V 5Ohm
auf Bestellung 9231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.82 EUR
25+ 0.69 EUR
100+ 0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - 2N7000-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
317+0.48 EUR
318+ 0.46 EUR
500+ 0.44 EUR
1000+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 317
2N7000-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+1.02 EUR
139+ 0.51 EUR
149+ 0.48 EUR
157+ 0.46 EUR
164+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 71
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.6 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 254
2N7000-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7000-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
71+1.02 EUR
139+ 0.51 EUR
149+ 0.48 EUR
157+ 0.46 EUR
164+ 0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 71
2N7000-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
auf Bestellung 7841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.81 EUR
26+ 0.68 EUR
100+ 0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 22
2N7000-TAVishayVishay USE 2N7000KL-TR1
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000-TR1VishayVishay USE 2N7000KL-TR1-E3
Produkt ist nicht verfügbar
2N70002NXP
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N70002
Produktcode: 53073
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000; 190mA; 60V; 250mW; N-MOSFET; Корпус: TO-92; NXP
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7000BUonsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel Sm Sig
auf Bestellung 37425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.59 EUR
10+ 0.45 EUR
100+ 0.25 EUR
1000+ 0.16 EUR
2500+ 0.15 EUR
10000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N7000BUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000BUONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000BU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7000BUON-SemicoductorN-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000BU (bulk) 2N7000 FAIRCHILD T2N7000
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100
2N7000BUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000BUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
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2N7000BUonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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23+0.79 EUR
37+ 0.49 EUR
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2N7000BUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
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2500+ 0.16 EUR
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2N7000BUONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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2N7000BUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 7484 Stücke:
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374+0.41 EUR
654+ 0.23 EUR
698+ 0.2 EUR
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Mindestbestellmenge: 374
2N7000BU_TonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7000CSMSemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin CLLCC-1
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2N7000CSM-JQR-ASemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin CLLCC-1
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2N7000CSM.01Welwyn Components / TT ElectronicsMOSFETs PACIFIC SCIENTIFIC /COMPUTROL
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2N7000GonsemiMOSFETs 60V 200mA N-Channel
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2N7000GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box
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2N7000GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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2N7000GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Box
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2N7000KRectronTO-92
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2N7000KL-TR1-E3VishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.47A 3-Pin TO-226AA T/R
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2N7000L
Produktcode: 175310
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,15 mA
Rds(on), Ohm: 1,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 20 /
JHGF: THT
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2N7000PSTOADiodes IncTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 3-Pin E-Line
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2N7000RLRAonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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2N7000RLRAON05+06+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7000RLRAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
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2N7000RLRAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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2N7000RLRAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
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2N7000RLRAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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2N7000RLRMGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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2N7000RLRMG
auf Bestellung 6000 Stücke:
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2N7000RLRMGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
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2N7000RLRPGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000RLRPGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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2N7000TAONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
220+ 0.33 EUR
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391+ 0.18 EUR
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1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 173
2N7000TA
Produktcode: 173012
Transistoren > MOSFET N-CH
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2N7000TAonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 58000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.18 EUR
4000+ 0.17 EUR
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14000+ 0.14 EUR
50000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000TAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7000TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000TAonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 2323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.77 EUR
37+ 0.48 EUR
100+ 0.31 EUR
500+ 0.23 EUR
1000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 23
2N7000TAonsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel Sm Sig
auf Bestellung 6166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.57 EUR
10+ 0.45 EUR
100+ 0.25 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.15 EUR
10000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N7000TAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.17 EUR
4000+ 0.16 EUR
6000+ 0.15 EUR
8000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
2N7000TAONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110mA; Idm: 1A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.41 EUR
220+ 0.33 EUR
302+ 0.24 EUR
391+ 0.18 EUR
496+ 0.14 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 173
2N7000TA+
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7000_Qonsemi / FairchildMOSFETs N-CHANNEL 60V 200mA
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2N7001VishayArray
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2N7001
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7001TDCKRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 32441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.86 EUR
24+ 0.74 EUR
100+ 0.52 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 21
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 1722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
955+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 955
2N7001TDCKRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.29 EUR
6000+ 0.28 EUR
9000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 1722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
344+0.45 EUR
420+ 0.35 EUR
425+ 0.33 EUR
619+ 0.22 EUR
625+ 0.21 EUR
669+ 0.19 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 344
2N7001TDCKRTexas InstrumentsTranslation - Voltage Levels 1-bit dual-supply buffered voltage signal converter 5-SC70 -40 to 125
auf Bestellung 16309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.8 EUR
10+ 0.66 EUR
100+ 0.4 EUR
1000+ 0.27 EUR
3000+ 0.24 EUR
9000+ 0.22 EUR
24000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
2N7001TDCKRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 5-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7001TDCKR
Produktcode: 162137
IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
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2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7001TDPWRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR 5X2SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8)
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.76 EUR
30+ 0.6 EUR
100+ 0.36 EUR
500+ 0.33 EUR
1000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24
2N7001TDPWRTexas InstrumentsTranslation - Voltage Levels 1-bit dual-supply buffered voltage signal converter 5-X2SON -40 to 125
auf Bestellung 6669 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.72 EUR
10+ 0.56 EUR
100+ 0.32 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.2 EUR
9000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7001TDPWRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR 5X2SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8)
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+ 0.2 EUR
9000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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536+0.29 EUR
580+ 0.25 EUR
631+ 0.23 EUR
692+ 0.2 EUR
1000+ 0.17 EUR
3000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 536
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
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2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7001TDPWRTexas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional 4-Pin X2SON EP T/R
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408+0.37 EUR
530+ 0.28 EUR
536+ 0.27 EUR
580+ 0.24 EUR
631+ 0.21 EUR
692+ 0.18 EUR
1000+ 0.16 EUR
3000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 408
2N7001TDPWR-STexas InstrumentsDescription: PROTOTYPE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: 5-X2SON (0.8x0.8)
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
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2N7001TEVMTexas Instruments2N7001T Level Translator Evaluation Board
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2N7001TEVMTexas InstrumentsDescription: DEVELOPMENT INTERFACE
Packaging: Bulk
Function: Level Shifter
Type: Interface
Utilized IC / Part: 2N7001T
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
2N7001TEVMTexas Instruments2N7001T Level Translator Evaluation Board
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7001TEVMTexas InstrumentsOther Development Tools 2N7001TEVM
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2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive 5-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive 5-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsTranslation - Voltage Levels Automotive 1-bit dual-supply buffered voltage signal translator 5-SC70 -40 to 125
auf Bestellung 35141 Stücke:
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3+1.03 EUR
10+ 0.88 EUR
100+ 0.61 EUR
500+ 0.48 EUR
1000+ 0.39 EUR
3000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsDescription: IC TRANSLATOR UNIDIR SC70-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Data Rate: 100Mbps
Supplier Device Package: SC-70-5
Channel Type: Unidirectional
Output Signal: CMOS
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Input Signal: CMOS
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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17+1.04 EUR
20+ 0.88 EUR
100+ 0.61 EUR
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1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 17
2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive 5-Pin SC-70 T/R
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2N7001TQDCKRQ1Texas InstrumentsVoltage Level Translator 1-CH Unidirectional Automotive 5-Pin SC-70 T/R
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2N7002ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 30350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.25 EUR
102+ 0.17 EUR
187+ 0.094 EUR
500+ 0.074 EUR
1000+ 0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 72
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002Infineon TechnologiesMOSFETs
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2N7002VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
234+0.66 EUR
1000+ 0.49 EUR
2500+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 234
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002onsemi / FairchildMOSFETs N-CHANNEL 60V 115mA
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4+0.74 EUR
10+ 0.52 EUR
100+ 0.31 EUR
1000+ 0.21 EUR
3000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002LGETrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002 LGE T2N7002 LGE
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 500
2N7002ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 612672 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.22 EUR
6000+ 0.21 EUR
9000+ 0.19 EUR
12000+ 0.18 EUR
27000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002GALAXYTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
932+0.16 EUR
963+ 0.15 EUR
1000+ 0.14 EUR
3000+ 0.13 EUR
6000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 932
2N7002Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
auf Bestellung 1045 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 17419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
371+0.41 EUR
514+ 0.29 EUR
923+ 0.15 EUR
947+ 0.14 EUR
963+ 0.13 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 371
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+ 0.091 EUR
12000+ 0.081 EUR
18000+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 41999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.048 EUR
9000+ 0.044 EUR
30000+ 0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
2N7002onsemiDescription: MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 1272000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
6000+ 0.19 EUR
9000+ 0.18 EUR
15000+ 0.17 EUR
21000+ 0.16 EUR
75000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002Microchip TechnologyMOSFETs 60V 7.5Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+ 0.099 EUR
12000+ 0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
9000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002SLKORTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 SLKOR T2N7002 SLK
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 8910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2N7002ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 97715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.23 EUR
424+ 0.17 EUR
603+ 0.12 EUR
667+ 0.11 EUR
705+ 0.1 EUR
725+ 0.099 EUR
1000+ 0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 313
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2931000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JSMICRO T2N7002 JSM
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2N7002MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFETs
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002
Produktcode: 179822
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd.MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
auf Bestellung 45094 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
375+0.19 EUR
500+ 0.14 EUR
577+ 0.12 EUR
1586+ 0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 375
2N7002Diotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.043 EUR
6000+ 0.04 EUR
9000+ 0.034 EUR
30000+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002HT Jinyu SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
auf Bestellung 1755000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6667+0.023 EUR
21000+ 0.021 EUR
30000+ 0.02 EUR
60000+ 0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 6667
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.057 EUR
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2N7002Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT 2N7002E-T1-E3
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2N7002Yangjie Electronic TechnologyN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
auf Bestellung 990000 Stücke:
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10205+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10205
2N7002NTE Electronics, Inc.Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
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2N7002Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 156000 Stücke:
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4348+0.035 EUR
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45000+ 0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 4348
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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30000+ 0.11 EUR
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2N7002LGETrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002 LGE T2N7002 LGE
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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1000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2N7002ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 612672 Stücke:
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2N7002LUGUANG ELECTRONICCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
375+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 375
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.19 EUR
6000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002GALAXYTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 GALAXY T2N7002 GAL
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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500+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 500
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 255000 Stücke:
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3000+0.1 EUR
63000+ 0.091 EUR
126000+ 0.081 EUR
189000+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002HT Jinyu SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
auf Bestellung 1755000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7937+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 7937
2N7002Diodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002Diotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N
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13+0.23 EUR
20+ 0.15 EUR
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500+ 0.076 EUR
1000+ 0.053 EUR
3000+ 0.037 EUR
9000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 13
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
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3000+0.11 EUR
18000+ 0.099 EUR
36000+ 0.089 EUR
54000+ 0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002MLCCBASETransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; 2N7002 MLCCBASE T2N7002 MLC
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2N7002DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 125899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1625+0.045 EUR
2950+ 0.024 EUR
3400+ 0.021 EUR
3850+ 0.019 EUR
4100+ 0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 1625
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 219000 Stücke:
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4695+0.033 EUR
9000+ 0.028 EUR
24000+ 0.025 EUR
45000+ 0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 4695
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2931000 Stücke:
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3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 HXY MOSFET T2N7002 HXY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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3000+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002PanJit InternationalMOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
auf Bestellung 7 Stücke:
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2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002Diotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33500 Stücke:
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30+5.87 EUR
Mindestbestellmenge: 30
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 219000 Stücke:
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2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
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3938+0.039 EUR
6000+ 0.03 EUR
9000+ 0.028 EUR
27000+ 0.025 EUR
51000+ 0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 3938
2N7002DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 125899 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1625+0.045 EUR
2950+ 0.024 EUR
3400+ 0.021 EUR
3850+ 0.019 EUR
4100+ 0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 1625
2N7002onsemiDescription: MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 1280741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.92 EUR
31+ 0.57 EUR
100+ 0.37 EUR
500+ 0.28 EUR
1000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 20
2N7002STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 0.20 A 1.8 Ohm STripFET
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 219000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4740+0.032 EUR
9000+ 0.028 EUR
24000+ 0.025 EUR
45000+ 0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 4740
2N7002Diotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 126600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5292+0.029 EUR
12000+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 5292
2N7002UMWTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 UMW T2N7002 UMW
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2N7002YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002JUXINGTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP; 2N7002 JUXING T2N7002 JUX
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2N7002ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 555000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DIOTECTransistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 30V; 7Ohm; 280mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-DIO; 2N7002 T2N7002 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
12000+ 0.17 EUR
24000+ 0.15 EUR
36000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002(Transistor)
Produktcode: 47271
HottechTransistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
JHGF: SMD
auf Bestellung 7361 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 Stück:
2N7002 BK PBFREECentral SemiconductorMOSFETs N-Ch Enh FET 80V 60Vdg 40Vgs
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002 BK PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Box
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002 BK PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002 H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-23-3
auf Bestellung 10801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.48 EUR
10+ 0.32 EUR
100+ 0.2 EUR
1000+ 0.092 EUR
3000+ 0.079 EUR
9000+ 0.06 EUR
24000+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 6
2N7002 L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002 T/RPANJIT0604+
auf Bestellung 1399 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002 TR PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002 TR PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 228000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.16 EUR
6000+ 0.15 EUR
9000+ 0.14 EUR
75000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002 TR PBFREECentral SemiconductorMOSFETs N-Ch 60V .2A
auf Bestellung 360655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.36 EUR
10+ 0.29 EUR
100+ 0.19 EUR
1000+ 0.16 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8
2N7002 TR PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002 TR PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 231398 Stücke:
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30+0.6 EUR
39+ 0.46 EUR
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1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 30
2N7002 TR TIN/LEADCentral SemiconductorMOSFET N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 350mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002 TR TIN/LEADCentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002 TR13 PBFREECentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002 TR13 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002 TR13 PBFREECentral SemiconductorMOSFETs N-Ch Enh FET 80V 60Vdg 40Vgs
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8+0.39 EUR
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10000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 8
2N7002 TR13 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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28+0.63 EUR
37+ 0.49 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.18 EUR
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2N7002 TR13 TIN/LEADCentral SemiconductorMOSFET N-Ch 60Vds 60Vdg 40Vgs 115mA 350mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002(12P)PHILIPSSOT-23
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2N7002(702)
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2N7002,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2052000 Stücke:
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2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1080000 Stücke:
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3087+0.05 EUR
6000+ 0.038 EUR
12000+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 3087
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 552000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.075 EUR
6000+ 0.069 EUR
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30000+ 0.056 EUR
75000+ 0.051 EUR
150000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 249000 Stücke:
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3000+0.054 EUR
6000+ 0.043 EUR
12000+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2513+0.061 EUR
3004+ 0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 2513
2N7002,215NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 0,3 А; Ptot, Вт = 0,83; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10; Rds = 5 Ом @ 500 мА, 10 В; Tексп, °C = -65...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+0.076 EUR
91+ 0.065 EUR
100+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 85
2N7002,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 977345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2052000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3031+0.05 EUR
6000+ 0.039 EUR
12000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3031
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 249000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.054 EUR
6000+ 0.043 EUR
12000+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 46211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.2 EUR
455+ 0.16 EUR
760+ 0.094 EUR
889+ 0.081 EUR
1839+ 0.039 EUR
1946+ 0.037 EUR
9000+ 0.036 EUR
45000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 358
2N7002,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1080000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3087+0.05 EUR
6000+ 0.038 EUR
12000+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 3087
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2052000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3004+0.051 EUR
6000+ 0.04 EUR
12000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3004
2N7002,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 977345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 553288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.44 EUR
58+ 0.3 EUR
119+ 0.15 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 40
2N7002,215NexperiaMOSFETs 2N7002/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 977009 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.39 EUR
11+ 0.26 EUR
100+ 0.13 EUR
1000+ 0.07 EUR
3000+ 0.058 EUR
9000+ 0.048 EUR
45000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 8
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 830mW
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
455+ 0.16 EUR
760+ 0.094 EUR
889+ 0.081 EUR
1839+ 0.039 EUR
1946+ 0.037 EUR
9000+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 358
2N7002,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
2N7002,235NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 0.83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002,235NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
2N7002,235Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002,235NexperiaMOSFETs 2N7002/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 21019 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.44 EUR
10+ 0.3 EUR
100+ 0.13 EUR
1000+ 0.077 EUR
2500+ 0.067 EUR
10000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 390000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.042 EUR
20000+ 0.038 EUR
50000+ 0.034 EUR
100000+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
2N7002,235NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 1.2A; 0.83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
2N7002,235NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
2N7002,235Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 6780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.44 EUR
58+ 0.3 EUR
119+ 0.15 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.086 EUR
2000+ 0.075 EUR
5000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 40
2N7002-13-01-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-13-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 4726 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1400+0.051 EUR
2000+ 0.036 EUR
2260+ 0.032 EUR
2560+ 0.028 EUR
2720+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 1400
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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6000+ 0.05 EUR
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2N7002-13-FDiodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-13-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 4726 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1400+0.051 EUR
2000+ 0.036 EUR
2260+ 0.032 EUR
2560+ 0.028 EUR
2720+ 0.026 EUR
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2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-13-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-13-F-79Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
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10000+0.041 EUR
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2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
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10000+0.041 EUR
20000+ 0.037 EUR
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2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
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2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
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2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
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2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
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10000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
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2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
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2N7002-13PMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23
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2N7002-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7002-7Diodes IncorporatedMOSFET 60V 200mW
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2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 198000 Stücke:
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9000+0.017 EUR
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2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3704+0.041 EUR
6000+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3704
2N7002-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 271685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002-7-F
Produktcode: 186256
CJTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
JHGF: SMD
auf Bestellung 2095 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5912 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
385+0.19 EUR
544+ 0.13 EUR
658+ 0.11 EUR
962+ 0.074 EUR
1122+ 0.064 EUR
1573+ 0.045 EUR
2428+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 385
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 942 Stücke:
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2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 5912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.19 EUR
544+ 0.13 EUR
658+ 0.11 EUR
962+ 0.074 EUR
1122+ 0.064 EUR
1573+ 0.045 EUR
2428+ 0.029 EUR
2565+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 385
2N7002-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 267000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.053 EUR
6000+ 0.05 EUR
9000+ 0.043 EUR
30000+ 0.04 EUR
75000+ 0.034 EUR
150000+ 0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3345+0.046 EUR
9000+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3345
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
2N7002-7-FMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: 0
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFET N Channel Transistors
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002-7-F
Produktcode: 170068
DiodesTransistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,115 A
Rds(on), Ohm: 7,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 60V 200mW
auf Bestellung 253563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.31 EUR
17+ 0.17 EUR
100+ 0.095 EUR
1000+ 0.065 EUR
3000+ 0.049 EUR
9000+ 0.042 EUR
24000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 198000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3345+0.046 EUR
9000+ 0.038 EUR
24000+ 0.034 EUR
45000+ 0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 3345
2N7002-7-FDiodes INC.N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 7,5 Ом @ 50 мA, 5 В; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,37; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+0.25 EUR
28+ 0.22 EUR
100+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 26
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 231000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3637+0.042 EUR
6000+ 0.039 EUR
9000+ 0.034 EUR
24000+ 0.029 EUR
30000+ 0.027 EUR
45000+ 0.021 EUR
75000+ 0.02 EUR
150000+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 3637
2N7002-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 271685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-7-FDIODES/ZETEXN-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7002,215 2N7002-T1-E3 2N7002TA 2N7002-7-F DIODES T2N7002
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 71357 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
2N7002-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 231000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3598+0.043 EUR
6000+ 0.04 EUR
9000+ 0.034 EUR
24000+ 0.029 EUR
30000+ 0.027 EUR
45000+ 0.021 EUR
75000+ 0.02 EUR
150000+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 3598
2N7002-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 268270 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.3 EUR
81+ 0.22 EUR
150+ 0.12 EUR
500+ 0.093 EUR
1000+ 0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 59
2N7002-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 231000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-7-F-50Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-7-F.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N7002-7-F. - MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23, FULL REEL
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: 0
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro N Channel MOSFET Transistors
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 24000 Stücke:
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2N7002-7-F; 210mA; 60V; 0,3W; 7,5R; N-MOSFET; Корпус: SOT-23; DIODES Inc.
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2N7002-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V SOT23-3
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2N7002-CTAnalog Power Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 0.6A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 474 pF @ 15 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
31+ 0.57 EUR
100+ 0.34 EUR
500+ 0.32 EUR
1000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24
2N7002-D87ZON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Ch Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 5087 Stücke:
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2N7002-D87ZON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23
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2N7002-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-D87ZON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7002-F169ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-F2-0000HFYYTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002 SOT23 YANGJIE T2N7002 YY
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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1000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2N7002-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
auf Bestellung 1880 Stücke:
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35+0.51 EUR
43+ 0.42 EUR
100+ 0.22 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 35
2N7002-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+0.73 EUR
6000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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125+1.22 EUR
147+ 1.01 EUR
172+ 0.83 EUR
200+ 0.76 EUR
500+ 0.68 EUR
1000+ 0.61 EUR
3000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 125
2N7002-GMicrochip TechnologyMOSFETs 60V 7.5Ohm
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4+0.93 EUR
10+ 0.86 EUR
25+ 0.75 EUR
100+ 0.73 EUR
250+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 4
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+0.8 EUR
213+ 0.69 EUR
221+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 191
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
245+0.63 EUR
247+ 0.6 EUR
291+ 0.49 EUR
303+ 0.45 EUR
500+ 0.43 EUR
1000+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 245
2N7002-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.5A
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
100+ 0.72 EUR
112+ 0.64 EUR
122+ 0.59 EUR
129+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 77
2N7002-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 10930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.04 EUR
25+ 0.87 EUR
100+ 0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 17
2N7002-GonsemiMOSFETs FET 60V 5.0 OHM
auf Bestellung 224470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.64 EUR
10+ 0.39 EUR
100+ 0.18 EUR
1000+ 0.14 EUR
3000+ 0.12 EUR
9000+ 0.11 EUR
24000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
9000+ 0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+0.74 EUR
220+ 0.67 EUR
235+ 0.61 EUR
253+ 0.54 EUR
273+ 0.48 EUR
500+ 0.42 EUR
1000+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 206
2N7002-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - 2N7002-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 8235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.5A
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+0.93 EUR
100+ 0.72 EUR
112+ 0.64 EUR
122+ 0.59 EUR
129+ 0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 77
2N7002-GComchip TechnologyMOSFETs BVDD=60V ID=200mA
auf Bestellung 70927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.61 EUR
10+ 0.41 EUR
100+ 0.26 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.1 EUR
9000+ 0.077 EUR
24000+ 0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N7002-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
247+0.62 EUR
350+ 0.42 EUR
847+ 0.17 EUR
1332+ 0.1 EUR
3000+ 0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 247
2N7002-GComchip TechnologyTrans MOSFET N-CH 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
12000+ 0.092 EUR
24000+ 0.082 EUR
36000+ 0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002-HFComchip TechnologyN-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
auf Bestellung 13098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.58 EUR
44+ 0.4 EUR
100+ 0.2 EUR
500+ 0.16 EUR
1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 31
2N7002-HFComchip TechnologyMOSFETs 0.25A 60V N-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 5195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.59 EUR
10+ 0.41 EUR
100+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.09 EUR
9000+ 0.077 EUR
24000+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N7002-HFComchip TechnologyN-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.099 EUR
6000+ 0.092 EUR
9000+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002-L
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002-L T/RDIODES0841+
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002-LT/RPANJITSOT-23 08+
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002-MTF
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002-NLFIARCHILD07+
auf Bestellung 3010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-2N7002K-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-T1VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-T1
Produktcode: 15283
VishayTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60
Idd,A: 01.05.2000
Rds(on), Ohm: 07.05.2015
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 4844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1 EUR
21+ 0.86 EUR
100+ 0.6 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 18
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2213+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 2213
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
279+0.55 EUR
298+ 0.5 EUR
321+ 0.44 EUR
507+ 0.27 EUR
521+ 0.25 EUR
526+ 0.24 EUR
1000+ 0.17 EUR
3000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 279
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
2N7002-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4292+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 4292
2N7002-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; 0.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 14227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
466+0.33 EUR
500+ 0.31 EUR
1000+ 0.28 EUR
2500+ 0.27 EUR
5000+ 0.25 EUR
10000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 466
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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321+0.48 EUR
507+ 0.29 EUR
521+ 0.27 EUR
526+ 0.26 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 321
2N7002-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 0.115A 0.2W
auf Bestellung 554832 Stücke:
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4+0.72 EUR
10+ 0.53 EUR
100+ 0.36 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 2N7002-T1-E3 VISHAY T2N7002 VIS
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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4311+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 4311
2N7002-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 693 Stücke:
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264+0.58 EUR
317+ 0.47 EUR
320+ 0.44 EUR
623+ 0.22 EUR
629+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 264
2N7002-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1779 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+0.31 EUR
410+ 0.18 EUR
590+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 235
2N7002-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 6090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.65 EUR
32+ 0.55 EUR
100+ 0.38 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 28
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V
auf Bestellung 595860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.59 EUR
10+ 0.47 EUR
100+ 0.26 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N7002-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.48 EUR
623+ 0.24 EUR
629+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 320
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
741+0.21 EUR
1197+ 0.12 EUR
1235+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 741
2N7002-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 80mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1779 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
235+0.31 EUR
410+ 0.18 EUR
590+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 235
2N7002-T1/72VISHAY
auf Bestellung 102000 Stücke:
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2N7002-T1/72KBLSI
auf Bestellung 2918 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002-T1/72NSILICONIX
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002-T2VishayMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4406+0.035 EUR
9000+ 0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 4406
2N7002-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 54040 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
730+0.099 EUR
1010+ 0.071 EUR
1140+ 0.063 EUR
1210+ 0.059 EUR
1280+ 0.056 EUR
3000+ 0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 730
2N7002-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 86882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.28 EUR
88+ 0.2 EUR
163+ 0.11 EUR
500+ 0.085 EUR
1000+ 0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 63
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4406+0.035 EUR
9000+ 0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 4406
2N7002-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs 60V, 115mA
auf Bestellung 256417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.28 EUR
14+ 0.2 EUR
100+ 0.086 EUR
1000+ 0.06 EUR
3000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 11
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-TPMicro Commercial Components Corp.Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 2A; 1.08W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 1.08W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 54040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
730+0.099 EUR
1010+ 0.071 EUR
1140+ 0.063 EUR
1210+ 0.059 EUR
1280+ 0.056 EUR
3000+ 0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 730
2N7002-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 86000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.049 EUR
6000+ 0.046 EUR
9000+ 0.039 EUR
30000+ 0.036 EUR
75000+ 0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 759000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7043+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 7043
2N7002-TPMicro Commercial Components Corp.Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 2N7002-TP T2N7002-TP
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002-TP (2N7002-7-F)
Produktcode: 39940
MCCTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 60
Idd,A: 01.05.2000
Rds(on), Ohm: 07.05.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
verfügbar 139 Stück:
1+0.036 EUR
10+ 0.024 EUR
100+ 0.023 EUR
2N7002-TP-B014Micro Commercial Components (MCC)Array
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-TP-HFMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-TP-HFMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-TP-HFMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-TP-HFMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002-TRCentral SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002.215n-канальний польовий транзистор SOT-23
auf Bestellung 14670 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
2N7002.215
Produktcode: 73129
NXPTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-236AB
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002/12PPHILIPS
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002/12WPHILIPS
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002/700207+ SOT-23
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002/702
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002/GPHILIPSSOT-23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002/HAMRNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 48698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.39 EUR
66+ 0.27 EUR
135+ 0.13 EUR
500+ 0.11 EUR
1000+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 46
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1511+0.1 EUR
2545+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 1511
2N7002/HAMRNexperiaMOSFETs 2N7002/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 29667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.38 EUR
11+ 0.26 EUR
100+ 0.11 EUR
1000+ 0.07 EUR
3000+ 0.044 EUR
9000+ 0.037 EUR
99000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 8
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 402000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42000+0.032 EUR
99000+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 42000
2N7002/HAMRNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002/HAMR - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3579000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002/HAMRNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
auf Bestellung 47440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.048 EUR
6000+ 0.044 EUR
9000+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002/HAMRNEXPERIA60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002/HAMRNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 402000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42000+0.032 EUR
99000+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 42000
2N7002/S711215NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
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2N7002702FAIRCHILD00+ 23
auf Bestellung 5300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002; 280mA; 60V; 350mW; 7,5R; N-MOSFET; Корпус: SOT-23; DIOTEC
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 5925 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1825+0.039 EUR
3950+ 0.018 EUR
4400+ 0.016 EUR
5400+ 0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 1825
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4951+0.031 EUR
6000+ 0.029 EUR
9000+ 0.024 EUR
24000+ 0.021 EUR
30000+ 0.02 EUR
45000+ 0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 4951
2N7002ADIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 11275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1650+0.043 EUR
2525+ 0.028 EUR
2800+ 0.026 EUR
3650+ 0.02 EUR
3850+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 1650
2N7002ADiotec Semiconductor2N7002A
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002ADiotec ElectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002ADiotec SemiconductorDescription: MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002ADiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002ADIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 11275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1650+0.043 EUR
2525+ 0.028 EUR
2800+ 0.026 EUR
3650+ 0.02 EUR
3850+ 0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 1650
2N7002A
Produktcode: 161144
Transistoren > MOSFET N-CH
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2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4133+0.037 EUR
6000+ 0.029 EUR
9000+ 0.027 EUR
27000+ 0.024 EUR
51000+ 0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 4133
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3922+0.039 EUR
4465+ 0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3922
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4902+0.031 EUR
6000+ 0.03 EUR
9000+ 0.025 EUR
24000+ 0.021 EUR
30000+ 0.02 EUR
45000+ 0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 4902
2N7002AYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 0.272A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.272A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 2.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 5925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1825+0.039 EUR
3950+ 0.018 EUR
4400+ 0.016 EUR
5400+ 0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 1825
2N7002ADiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N
auf Bestellung 14282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+0.21 EUR
22+ 0.13 EUR
100+ 0.086 EUR
500+ 0.069 EUR
1000+ 0.048 EUR
3000+ 0.035 EUR
9000+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 14
2N7002AKECN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 0,88 В @ 115 мА; SOT-23-3
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+0.07 EUR
100+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 84
2N7002ADiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002ADiotec SemiconductorDescription: MOSFET SOT23 N 60V 2OHM 150C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 4448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.23 EUR
112+ 0.16 EUR
206+ 0.086 EUR
500+ 0.067 EUR
1000+ 0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 77
2N7002A-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002A-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002A-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002A-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
auf Bestellung 106733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.41 EUR
11+ 0.27 EUR
100+ 0.13 EUR
1000+ 0.086 EUR
3000+ 0.058 EUR
9000+ 0.056 EUR
24000+ 0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002A-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
auf Bestellung 179638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.49 EUR
54+ 0.33 EUR
110+ 0.16 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 36
2N7002A-7DIODES/ZETEXTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 2N7002A-7 T2N7002A-7 Diodes
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 500
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3185+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3185
2N7002A-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.23 EUR
397+ 0.18 EUR
463+ 0.15 EUR
673+ 0.11 EUR
789+ 0.091 EUR
950+ 0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 313
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3559+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3559
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002A-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
auf Bestellung 177000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.072 EUR
6000+ 0.067 EUR
9000+ 0.056 EUR
30000+ 0.055 EUR
75000+ 0.049 EUR
150000+ 0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002A-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002A-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002A-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
397+ 0.18 EUR
463+ 0.15 EUR
673+ 0.11 EUR
789+ 0.091 EUR
950+ 0.076 EUR
1014+ 0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 313
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002A-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3216+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3216
2N7002A-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002A-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002A-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.28A Automotive AEC-Q101 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002A-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, SOT-23, 60V, 0.28A, 150C, N, AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002A-AQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002A-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 280mA; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002A-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-23-3L
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002A-RTK/PKECSOT23
auf Bestellung 8770 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 2744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
46+0.39 EUR
68+ 0.26 EUR
138+ 0.13 EUR
500+ 0.11 EUR
1000+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 46
2N7002A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch 60Vds 30Vgs 40Vgsm 115mA 300mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002A-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 759000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6098+0.025 EUR
189000+ 0.022 EUR
378000+ 0.02 EUR
567000+ 0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 6098
2N7002A/7002N/A08+ SOT-23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002AKDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18000+0.081 EUR
24000+ 0.077 EUR
30000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 18000
2N7002AKDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002AKDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18000+0.024 EUR
27000+ 0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 18000
2N7002AK-QRNexperiaN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
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2N7002AK-QRNEXPERIAN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002AK-QRNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Power Dissipation (Max): 320mW
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.3 EUR
82+ 0.21 EUR
167+ 0.11 EUR
500+ 0.088 EUR
1000+ 0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 59
2N7002AK-QRNexperiaN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002AK-QRNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Power Dissipation (Max): 320mW
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002AK-QRNexperiaMOSFETs MOSFET-LOW VOLT SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 7974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.31 EUR
13+ 0.22 EUR
100+ 0.09 EUR
1000+ 0.062 EUR
3000+ 0.055 EUR
9000+ 0.04 EUR
24000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10
2N7002AKS-QXNexperiaN-channel MOSFET
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2N7002AKS-QXNexperiaMOSFETs MOSFET-LOW VOLT SOT363/SC-88
auf Bestellung 5890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.46 EUR
10+ 0.28 EUR
100+ 0.13 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.1 EUR
9000+ 0.072 EUR
24000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N7002AKS-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.63 EUR
42+ 0.43 EUR
100+ 0.21 EUR
500+ 0.17 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 28
2N7002AKS-QXNexperiaN-channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002AKS-QXNEXPERIAN-channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002AKS-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002AKW-QXNexperiaMOSFETs MOSFET-LOW VOLT SOT323/SC-70
auf Bestellung 8130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.39 EUR
11+ 0.27 EUR
100+ 0.11 EUR
1000+ 0.077 EUR
3000+ 0.06 EUR
9000+ 0.049 EUR
24000+ 0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 8
2N7002AKW-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002AKW-QXNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002AKW-QX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 220 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002AKW-QXNexperiaN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002AKW-QXNEXPERIAN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002AKW-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.4 EUR
65+ 0.27 EUR
132+ 0.13 EUR
500+ 0.11 EUR
1000+ 0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 44
2N7002AKW-QXNexperiaN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1610000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
2N7002AQ-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002AQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1510000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.06 EUR
30000+ 0.059 EUR
50000+ 0.053 EUR
100000+ 0.047 EUR
250000+ 0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
2N7002AQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002AQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002AQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family
auf Bestellung 13919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.48 EUR
10+ 0.32 EUR
100+ 0.13 EUR
1000+ 0.081 EUR
2500+ 0.074 EUR
10000+ 0.067 EUR
20000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 6
2N7002AQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5249 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
323+ 0.22 EUR
698+ 0.1 EUR
1502+ 0.048 EUR
1589+ 0.045 EUR
20000+ 0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 218
2N7002AQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
auf Bestellung 5249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.33 EUR
323+ 0.22 EUR
698+ 0.1 EUR
1502+ 0.048 EUR
1589+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 218
2N7002AQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002AQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1515295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.48 EUR
55+ 0.32 EUR
113+ 0.16 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.091 EUR
2000+ 0.079 EUR
5000+ 0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 38
2N7002AQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002AQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3270756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.48 EUR
55+ 0.32 EUR
113+ 0.16 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 38
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1665000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3288000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1713000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1311 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002AQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family
auf Bestellung 76439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.48 EUR
10+ 0.32 EUR
100+ 0.13 EUR
1000+ 0.092 EUR
3000+ 0.074 EUR
9000+ 0.06 EUR
24000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 6
2N7002AQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
407+ 0.18 EUR
642+ 0.11 EUR
1031+ 0.069 EUR
1485+ 0.048 EUR
1570+ 0.046 EUR
3000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 313
2N7002AQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.23 EUR
407+ 0.18 EUR
642+ 0.11 EUR
1031+ 0.069 EUR
1485+ 0.048 EUR
1570+ 0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 313
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3282000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1704000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.047 EUR
24000+ 0.032 EUR
45000+ 0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2433000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002AQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 115mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3270000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.079 EUR
6000+ 0.073 EUR
9000+ 0.06 EUR
30000+ 0.059 EUR
75000+ 0.053 EUR
150000+ 0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2172000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 6000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 6000
2N7002AQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002AQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2110 Stücke:
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2N7002AQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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24000+ 0.032 EUR
45000+ 0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 9000
2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002AQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1311 Stücke:
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2N7002B-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002B-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BK
Produktcode: 73117
Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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3572+0.043 EUR
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2N7002BK,215NexperiaMOSFETs 2N7002BK/SOT23/TO-236AB
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15+0.2 EUR
22+ 0.13 EUR
100+ 0.097 EUR
1000+ 0.074 EUR
3000+ 0.053 EUR
9000+ 0.048 EUR
24000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 15
2N7002BK,215NXP SemiconductorsMOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
auf Bestellung 4470 Stücke:
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2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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3461+0.044 EUR
9000+ 0.038 EUR
24000+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3461
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 213000 Stücke:
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3000+0.053 EUR
54000+ 0.046 EUR
108000+ 0.041 EUR
162000+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 154049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002BK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 775000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.071 EUR
6000+ 0.066 EUR
9000+ 0.055 EUR
30000+ 0.054 EUR
75000+ 0.048 EUR
150000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 19219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2399+0.064 EUR
3000+ 0.056 EUR
6000+ 0.049 EUR
15000+ 0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 2399
2N7002BK,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 318000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3572+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3572
2N7002BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002BK,215NXPТранз. Пол. ММ N-FET ПТ SOT23 Vds=60V, 350 mA
auf Bestellung 2545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+0.2 EUR
10+ 0.17 EUR
100+ 0.15 EUR
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3135+0.049 EUR
9000+ 0.043 EUR
24000+ 0.038 EUR
45000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3135
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 258000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.056 EUR
51000+ 0.049 EUR
102000+ 0.044 EUR
153000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002BK,215NXPTrans MOSFET N-CH 60V 0.350A 2N7002BK T2N7002bk
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 300
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 324000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3135+0.049 EUR
9000+ 0.043 EUR
24000+ 0.038 EUR
45000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3135
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 318000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3497+0.044 EUR
9000+ 0.037 EUR
24000+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3497
2N7002BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 154049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002BK,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13467 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
491+ 0.15 EUR
705+ 0.1 EUR
827+ 0.087 EUR
1127+ 0.063 EUR
1812+ 0.039 EUR
1916+ 0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 358
2N7002BK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 780484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.42 EUR
61+ 0.29 EUR
125+ 0.14 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 42
2N7002BK,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 13467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.2 EUR
491+ 0.15 EUR
705+ 0.1 EUR
827+ 0.087 EUR
1127+ 0.063 EUR
1812+ 0.039 EUR
1916+ 0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 358
2N7002BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 19219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2399+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 2399
2N7002BKM,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKM,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN T/R
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
286+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 286
2N7002BKM,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKM,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKM/V,315NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA 2N7002BKM - SMALL SIGNA
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKM/VYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKM315Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA 2N7002BKM - SMALL S
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKMB,315NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN-B T/R
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.64 EUR
350+ 0.42 EUR
357+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 239
2N7002BKMB,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKMB,315NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.45A Automotive 3-Pin DFN-B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKMB,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 450MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 450mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKSNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 295mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 28119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002BKS,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+ 0.088 EUR
12000+ 0.079 EUR
18000+ 0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 295mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002BKS,115NexperiaMOSFETs 2N7002BKS/SOT363/SC-88
auf Bestellung 25189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.54 EUR
10+ 0.41 EUR
100+ 0.2 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.1 EUR
9000+ 0.083 EUR
24000+ 0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 6
2N7002BKS,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
218+0.33 EUR
278+ 0.26 EUR
344+ 0.21 EUR
419+ 0.17 EUR
502+ 0.14 EUR
781+ 0.092 EUR
824+ 0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 218
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.08 EUR
6000+ 0.074 EUR
9000+ 0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002BKS,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.33 EUR
278+ 0.26 EUR
344+ 0.21 EUR
419+ 0.17 EUR
502+ 0.14 EUR
781+ 0.092 EUR
824+ 0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 218
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.079 EUR
6000+ 0.075 EUR
9000+ 0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002BKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 251233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.67 EUR
38+ 0.47 EUR
100+ 0.24 EUR
500+ 0.19 EUR
1000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 27
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002BKS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 295mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 28119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.08 EUR
6000+ 0.074 EUR
9000+ 0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002BKS,115NXP2xN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002BKS,115 2N7002BKS,115 T2N7002bks
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 200
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.078 EUR
6000+ 0.075 EUR
9000+ 0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002BKS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 246000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+ 0.11 EUR
9000+ 0.099 EUR
30000+ 0.097 EUR
75000+ 0.081 EUR
150000+ 0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002BKS.115
Produktcode: 109130
NXPTransistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKS/DG/B2115Nexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKS/ZLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKSHNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKSHNexperia USA Inc.Description: 2N7002BKS/SOT363/SC-88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW (Ta), 1.04W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKSHNexperiaMOSFETs MOSFET-LOW VOLT SOT363/SC-88
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKSHNexperia USA Inc.Description: 2N7002BKS/SOT363/SC-88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW (Ta), 1.04W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.56 EUR
45+ 0.39 EUR
100+ 0.2 EUR
500+ 0.16 EUR
1000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 32
2N7002BKT,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 290MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKT,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 290MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKT,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.29A Automotive 3-Pin SC-75 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKV,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 3340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.39 EUR
247+ 0.29 EUR
307+ 0.23 EUR
371+ 0.19 EUR
447+ 0.16 EUR
650+ 0.11 EUR
685+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 186
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.12 EUR
8000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
2N7002BKV,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.34A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
842+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 842
2N7002BKV,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 38434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.67 EUR
37+ 0.48 EUR
100+ 0.24 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 27
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 7568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
263+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 263
2N7002BKV,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 19615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002BKV,115NexperiaMOSFETs NRND for Automotive Applications 2N7002BKV/SOT666/SOT6
auf Bestellung 100583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.65 EUR
10+ 0.46 EUR
100+ 0.21 EUR
1000+ 0.15 EUR
4000+ 0.14 EUR
8000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N7002BKV,115NEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.525W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3340 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
247+ 0.29 EUR
307+ 0.23 EUR
371+ 0.19 EUR
447+ 0.16 EUR
650+ 0.11 EUR
685+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 186
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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4000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.12 EUR
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Mindestbestellmenge: 4000
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
842+0.18 EUR
1207+ 0.12 EUR
4000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 842
2N7002BKV,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.15 EUR
12000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 7568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
263+0.58 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.54 EUR
3000+ 0.52 EUR
6000+ 0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 263
2N7002BKV,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 19615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.11 EUR
8000+ 0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
2N7002BKV,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-666 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.11 EUR
8000+ 0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
2N7002BKV,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1 ohm
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 525mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002BKV/DG/B2115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 192482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3704+0.041 EUR
10000+ 0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3704
2N7002BKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 26623 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.42 EUR
61+ 0.29 EUR
125+ 0.14 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.082 EUR
2000+ 0.071 EUR
5000+ 0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 42
2N7002BKVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
2N7002BKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
2N7002BKVLNEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKVL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002BKVLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 12214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.31 EUR
343+ 0.21 EUR
407+ 0.18 EUR
505+ 0.14 EUR
597+ 0.12 EUR
706+ 0.1 EUR
884+ 0.081 EUR
1662+ 0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 228
2N7002BKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 192456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3732+0.041 EUR
10000+ 0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3732
2N7002BKVLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.35A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 192482 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002BKVLNexperiaMOSFETs 2N7002BK/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 195246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.38 EUR
13+ 0.23 EUR
100+ 0.12 EUR
1000+ 0.072 EUR
2500+ 0.063 EUR
10000+ 0.048 EUR
20000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 8
2N7002BKVLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.245A; Idm: 1.2A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.245A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12214 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
228+0.31 EUR
343+ 0.21 EUR
407+ 0.18 EUR
505+ 0.14 EUR
597+ 0.12 EUR
706+ 0.1 EUR
884+ 0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 228
2N7002BKWNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.055 EUR
9000+ 0.046 EUR
24000+ 0.044 EUR
45000+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002BKW,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14421 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
353+ 0.2 EUR
543+ 0.13 EUR
667+ 0.11 EUR
1097+ 0.065 EUR
1161+ 0.062 EUR
3000+ 0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 264
2N7002BKW,115NexperiaMOSFETs 2N7002BKW/SOT323/SC-70
auf Bestellung 49079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.49 EUR
10+ 0.33 EUR
100+ 0.14 EUR
1000+ 0.092 EUR
3000+ 0.07 EUR
9000+ 0.06 EUR
24000+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 6
2N7002BKW,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.215A; Idm: 1.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
auf Bestellung 14421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.27 EUR
353+ 0.2 EUR
543+ 0.13 EUR
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1161+ 0.062 EUR
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Mindestbestellmenge: 264
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1829+0.084 EUR
3000+ 0.05 EUR
9000+ 0.042 EUR
24000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1829
2N7002BKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 275mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 49171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.51 EUR
52+ 0.34 EUR
105+ 0.17 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 35
2N7002BKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 22230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002BKW,115NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 351
2N7002BKW,115NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 310 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 10; Qg, нКл = 0,6; Rds = 1.6 @ 500mA, 10V Ом; Ugs(th) = 2,1 @ 250µA В; Р, Вт = 0,275 (Ta); Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-323
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+1.06 EUR
10+ 0.59 EUR
100+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.054 EUR
9000+ 0.045 EUR
24000+ 0.043 EUR
45000+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002BKW,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 275mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.084 EUR
6000+ 0.078 EUR
9000+ 0.065 EUR
30000+ 0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002BKW,115NXPTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW; 2N7002BKW,115 T2N7002bkw
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1690 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
2N7002BKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 22230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1829+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 1829
2N7002BKW,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.31A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+0.44 EUR
500+ 0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 351
2N7002BKW,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - 2N7002BKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 275mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002CKNexperia Inc.MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002CKNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002CKNexperia USA Inc.Description: 2N7002 - SMALL SIGNAL FIELD-EFFE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002CKNXPN-MOSFET 60V 300mA 350mW 2N7002CK,215 T2N7002ck
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200
2N7002CK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002CK,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002CK,215NXPТранз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+0.15 EUR
10+ 0.13 EUR
100+ 0.12 EUR
2N7002CK,215NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002CK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002CK,215NXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 300 мА; Ptot, Вт = 0,35; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 55 @ 25; Qg, нКл = 1,3 @ 4,5 В; Rds = 1,6 Ом @ 500 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
auf Bestellung 4284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+0.072 EUR
95+ 0.062 EUR
103+ 0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 89
2N7002CK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002CKVLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002CKVLNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 280000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
2N7002CKVLNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002CKVLNexperiaMOSFET 60V N-CHANNEL 0.3A
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2N7002CSMSemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin CLLCC-1
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002CSM-QR-EBCSemelabTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin LCC-1
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002D87ZFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DS6Rectron USADescription: MOSFET 2 N-CH 60V 250MA SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363-6L
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 221846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+ 0.12 EUR
12000+ 0.11 EUR
18000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DW
Produktcode: 174754
IC > IC andere
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.16 EUR
6000+ 0.15 EUR
9000+ 0.14 EUR
12000+ 0.13 EUR
27000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 2830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
957+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 957
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+ 0.13 EUR
12000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002DWonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 123247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.74 EUR
39+ 0.46 EUR
100+ 0.29 EUR
500+ 0.22 EUR
1000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24
2N7002DWONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002DW - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 115 mA, 115 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 221826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+ 0.13 EUR
12000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWonsemi / FairchildMOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect
auf Bestellung 164848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.75 EUR
10+ 0.49 EUR
100+ 0.24 EUR
1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.16 EUR
9000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 357000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+ 0.11 EUR
12000+ 0.1 EUR
18000+ 0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
157+0.46 EUR
219+ 0.33 EUR
272+ 0.26 EUR
376+ 0.19 EUR
506+ 0.14 EUR
532+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 157
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+ 0.12 EUR
12000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
9000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 5900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
157+0.46 EUR
219+ 0.33 EUR
272+ 0.26 EUR
376+ 0.19 EUR
506+ 0.14 EUR
532+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 157
2N7002DWonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.16 EUR
6000+ 0.15 EUR
9000+ 0.14 EUR
15000+ 0.13 EUR
30000+ 0.12 EUR
75000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 2830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002DW H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
auf Bestellung 170156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+ 0.5 EUR
100+ 0.28 EUR
1000+ 0.14 EUR
3000+ 0.12 EUR
9000+ 0.1 EUR
24000+ 0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N7002DW K72..DIODES/ZETEXTransistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002DW-7-F 2N7002DW T2N7002dw
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200
2N7002DW L6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DW L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DW-13-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DW-7Diodes IncorporatedMOSFET 60V 200mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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2N7002DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.53 EUR
47+ 0.37 EUR
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1000+ 0.11 EUR
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2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
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2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
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3000+0.067 EUR
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2N7002DW-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
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2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
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9000+ 0.037 EUR
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2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
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2N7002DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 13.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 191355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002DW-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; 0.12W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+0.27 EUR
325+ 0.22 EUR
528+ 0.14 EUR
617+ 0.12 EUR
1150+ 0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 264
2N7002DW-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 131750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.097 EUR
6000+ 0.092 EUR
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2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
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2N7002DW-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
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6000+ 0.038 EUR
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30000+ 0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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6000+ 0.045 EUR
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2N7002DW-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 115mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 13.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 191350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+0.067 EUR
6000+ 0.041 EUR
9000+ 0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DW-7-F
Produktcode: 143738
Transistoren > MOSFET N-CH
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2N7002DW-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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3000+0.064 EUR
6000+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DW-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; 0.12W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.12W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
264+0.27 EUR
325+ 0.22 EUR
528+ 0.14 EUR
617+ 0.12 EUR
1150+ 0.061 EUR
9000+ 0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 264
2N7002DW-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 60V 200mW
auf Bestellung 369673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.41 EUR
10+ 0.3 EUR
100+ 0.16 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.081 EUR
9000+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N7002DW-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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2N7002DW-7-F.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N7002DW-7-F. - MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 4.4OHM, 115mA, SOT-363-6
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: 0
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: 0
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET, N Channel
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Verlustleistung, n-Kanal: 0
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 13053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002DW-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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2N7002DW-GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Last Time Buy
auf Bestellung 5144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+0.86 EUR
27+ 0.66 EUR
100+ 0.4 EUR
500+ 0.37 EUR
1000+ 0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 21
2N7002DW-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SC-88
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+0.75 EUR
266+ 0.56 EUR
497+ 0.29 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 205
2N7002DW-GonsemiMOSFET FET 60V 2.0 MOHM
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.87 EUR
10+ 0.7 EUR
100+ 0.36 EUR
1000+ 0.27 EUR
3000+ 0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
2N7002DW-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DW-GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Last Time Buy
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2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 402000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R
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2N7002DW-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET Dual N-CH 60V 115mA
auf Bestellung 38363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.62 EUR
10+ 0.48 EUR
100+ 0.3 EUR
1000+ 0.16 EUR
3000+ 0.14 EUR
9000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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6000+ 0.049 EUR
12000+ 0.044 EUR
18000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 342000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 342000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 342000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.097 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 402000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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6000+ 0.085 EUR
9000+ 0.072 EUR
30000+ 0.068 EUR
75000+ 0.054 EUR
150000+ 0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DW-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.215A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
335+0.21 EUR
465+ 0.15 EUR
530+ 0.14 EUR
570+ 0.13 EUR
605+ 0.12 EUR
3000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 335
2N7002DW-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 1162140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.44 EUR
59+ 0.3 EUR
116+ 0.15 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 40
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.066 EUR
6000+ 0.061 EUR
9000+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 201000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.089 EUR
6000+ 0.085 EUR
9000+ 0.078 EUR
15000+ 0.073 EUR
24000+ 0.069 EUR
30000+ 0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 261000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.061 EUR
6000+ 0.058 EUR
9000+ 0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DW-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.215A; 0.3W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.215A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+0.21 EUR
465+ 0.15 EUR
530+ 0.14 EUR
570+ 0.13 EUR
605+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 335
2N7002DW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 342000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.059 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DW-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 1158000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.078 EUR
6000+ 0.074 EUR
9000+ 0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DW-TPQ2Micro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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2N7002DW-TPQ2Micro Commercial ComponentsDual N-Channel MOSFET
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2N7002DW-TPQ2Micro Commercial Components (MCC)MOSFET
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2N7002DW1T1GLRCSOT363
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2N7002DW1T1GONSOT-363 05+
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002DWA-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Obsolete
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2N7002DWA-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Obsolete
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2N7002DWA-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
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2N7002DWAQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
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2N7002DWAQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
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2N7002DWAQ-7Diodes IncDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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2N7002DWAQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 115mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
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2N7002DWH6327XTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
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5+0.67 EUR
10+ 0.5 EUR
100+ 0.28 EUR
1000+ 0.14 EUR
3000+ 0.12 EUR
9000+ 0.1 EUR
24000+ 0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 121325 Stücke:
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2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
auf Bestellung 84585 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.67 EUR
38+ 0.46 EUR
100+ 0.23 EUR
500+ 0.19 EUR
1000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 27
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002DWH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
358+0.2 EUR
404+ 0.18 EUR
613+ 0.12 EUR
697+ 0.1 EUR
1134+ 0.063 EUR
1200+ 0.06 EUR
75000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 358
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.097 EUR
9000+ 0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.41 EUR
Mindestbestellmenge: 24
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 300mA SOT-363-6
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7+0.41 EUR
10+ 0.3 EUR
100+ 0.16 EUR
1000+ 0.14 EUR
3000+ 0.1 EUR
24000+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.093 EUR
9000+ 0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - 2N7002DWH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 300 mA, 300 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 121325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+6.41 EUR
Mindestbestellmenge: 24
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+ 0.11 EUR
9000+ 0.099 EUR
30000+ 0.097 EUR
75000+ 0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.2 EUR
404+ 0.18 EUR
613+ 0.12 EUR
697+ 0.1 EUR
1134+ 0.063 EUR
1200+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 358
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.092 EUR
9000+ 0.06 EUR
24000+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.097 EUR
9000+ 0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 177325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
576+0.27 EUR
630+ 0.23 EUR
1000+ 0.15 EUR
2000+ 0.13 EUR
15000+ 0.075 EUR
60000+ 0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 576
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.092 EUR
9000+ 0.058 EUR
24000+ 0.053 EUR
45000+ 0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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2N7002DWK-13Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family SOT363 T&R 10K
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2N7002DWK-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWK-13Diodes Inc2N7002 Family SOT363 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWK-7Diodes Inc2N7002 Family SOT363 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWK-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
2N7002DWK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
auf Bestellung 5452 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.57 EUR
10+ 0.39 EUR
100+ 0.25 EUR
1000+ 0.11 EUR
3000+ 0.095 EUR
9000+ 0.072 EUR
24000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N7002DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.261A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 261mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V
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Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 2834 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.44 EUR
67+ 0.27 EUR
107+ 0.16 EUR
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1000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40
2N7002DWKX-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWKX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWL-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET Dual N-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWL-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT23-6L
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWL-TPMicro Commercial ComponentsDual N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWL6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWQ-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWQ-13-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWQ-13-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2150000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.17 EUR
20000+ 0.15 EUR
50000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
2N7002DWQ-13-FDiodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT363 T&R 10K
auf Bestellung 9879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+ 0.55 EUR
100+ 0.37 EUR
1000+ 0.21 EUR
2500+ 0.19 EUR
10000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N7002DWQ-13-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2150000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+0.88 EUR
33+ 0.54 EUR
100+ 0.34 EUR
500+ 0.26 EUR
1000+ 0.23 EUR
2000+ 0.21 EUR
5000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 20
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 42777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.62 EUR
41+ 0.43 EUR
100+ 0.22 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 29
2N7002DWQ-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DWQ-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 230 mA, 230 mA, 4.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 230mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002DWQ-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A
auf Bestellung 208817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.61 EUR
10+ 0.33 EUR
100+ 0.16 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.097 EUR
9000+ 0.083 EUR
45000+ 0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.099 EUR
9000+ 0.091 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
9000+ 0.091 EUR
30000+ 0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002DWQ-7-F - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 230 mA, 230 mA, 4.4 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 230mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7704 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002DWQ-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002DWQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWQ-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.31W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.31W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWS-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWS-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 195000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.72 EUR
35+ 0.51 EUR
100+ 0.26 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 25
2N7002DWS-7Diodes IncDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002DWS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.247A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 247mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 195000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
9000+ 0.11 EUR
75000+ 0.088 EUR
150000+ 0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002DWT/RPANJITSOT-363 09+
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002EVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002ENXPSOT23/SOT323
auf Bestellung 1772 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002EVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT 2N7002E-T1-E3
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002EonsemiMOSFETs NFET SOT23 60V 115MA 7MO
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002EPanasonic Electronic ComponentsDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002EDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002ESILICONIX
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002EPanasonicMOSFETs Nch MOSFET 60V 0.3A RDS(on)=3ohms SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002EPanasonic Electronic ComponentsDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002EVishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002E,215NexperiaMOSFETs TAPE7 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002E,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 385MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002E,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.385A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002E,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 385MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002E-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3226+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 3226
2N7002E-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3704+0.041 EUR
24000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3704
2N7002E-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
543+0.13 EUR
834+ 0.086 EUR
1064+ 0.067 EUR
1232+ 0.058 EUR
1382+ 0.052 EUR
1774+ 0.04 EUR
2464+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 543
2N7002E-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs N-Channel
auf Bestellung 29094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.34 EUR
12+ 0.24 EUR
100+ 0.1 EUR
1000+ 0.083 EUR
3000+ 0.062 EUR
24000+ 0.06 EUR
45000+ 0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 9
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3522+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3522
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3522+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3522
2N7002E-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 12766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.44 EUR
59+ 0.3 EUR
120+ 0.15 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.085 EUR
Mindestbestellmenge: 40
2N7002E-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002E-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 370mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2N7002E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3677+0.042 EUR
24000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3677
2N7002E-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
543+0.13 EUR
834+ 0.086 EUR
1064+ 0.067 EUR
1232+ 0.058 EUR
1382+ 0.052 EUR
1774+ 0.04 EUR
2464+ 0.029 EUR
2605+ 0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 543
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002E-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002E-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.074 EUR
6000+ 0.068 EUR
9000+ 0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002E-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - 2N7002E-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2N7002E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002E-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002E-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002E-T1 SOT23-7EVISHAY
auf Bestellung 1698 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002E-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 1394018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002E-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - 2N7002E-T1-E3 - N CHANNEL MOSFET, 60V, 240mA TO-236
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002E-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1172 Stücke:
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300+0.51 EUR
445+ 0.33 EUR
457+ 0.31 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 300
2N7002E-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002E-T1-E3VISHAYSOT23
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2N7002E-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 187460 Stücke:
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2N7002E-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002E-T1-E3VISHAY2006
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002E-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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250+0.61 EUR
366+ 0.4 EUR
500+ 0.28 EUR
678+ 0.2 EUR
1000+ 0.17 EUR
2000+ 0.15 EUR
3000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 250
2N7002E-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
auf Bestellung 3776 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1 EUR
21+ 0.86 EUR
100+ 0.6 EUR
500+ 0.46 EUR
1000+ 0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 18
2N7002E-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 0.24A
auf Bestellung 411275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.75 EUR
10+ 0.57 EUR
100+ 0.36 EUR
1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4
2N7002E-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.7 EUR
264+ 0.56 EUR
300+ 0.47 EUR
445+ 0.31 EUR
457+ 0.29 EUR
500+ 0.27 EUR
1000+ 0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 218
2N7002E-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002E-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002E-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.22W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.47 EUR
176+ 0.41 EUR
248+ 0.29 EUR
428+ 0.17 EUR
451+ 0.16 EUR
3000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 152
2N7002E-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
889+0.17 EUR
1012+ 0.15 EUR
1058+ 0.13 EUR
2000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 889
2N7002E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002E-T1-GE3
Produktcode: 167495
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002E-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V
auf Bestellung 175149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.41 EUR
10+ 0.36 EUR
100+ 0.21 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2N7002E-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.12 EUR
9000+ 0.11 EUR
24000+ 0.098 EUR
45000+ 0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002E-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; Idm: 1.3A; 0.22W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Pulsed drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.22W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
152+0.47 EUR
176+ 0.41 EUR
248+ 0.29 EUR
428+ 0.17 EUR
451+ 0.16 EUR
3000+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 152
2N7002E-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002E-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 5 V
auf Bestellung 15103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.46 EUR
46+ 0.39 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.21 EUR
1000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 39
2N7002EDWT/RPANJITSOT-363 09+
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002EPT06+ SOT-323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002EQ-13-FDiodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002EQ-13-FDiodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 292mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002EQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 292mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.092 EUR
6000+ 0.086 EUR
9000+ 0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002EQ-7-FDiodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.57 EUR
10+ 0.39 EUR
100+ 0.25 EUR
1000+ 0.11 EUR
3000+ 0.095 EUR
9000+ 0.074 EUR
24000+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N7002EQ-7-FDiodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
2N7002EQ-7-FDiodes Inc2N7002 Family SOT23 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002ET1
auf Bestellung 5580315 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002ET1GON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 260 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 26,7 @ 25; Qg, нКл = 0,81 @ 5 В; Rds = 2,5 Ом @ 240 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкA; SOT-23-3
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+0.29 EUR
100+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 20
2N7002ET1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 88645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002ET1GonsemiMOSFETs NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms
auf Bestellung 618877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.33 EUR
14+ 0.22 EUR
100+ 0.099 EUR
1000+ 0.074 EUR
3000+ 0.049 EUR
9000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 9
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 28216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
826+0.19 EUR
1056+ 0.14 EUR
1177+ 0.12 EUR
1667+ 0.082 EUR
2213+ 0.059 EUR
2238+ 0.056 EUR
2578+ 0.047 EUR
3413+ 0.035 EUR
6000+ 0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 826
2N7002ET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
auf Bestellung 377619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.32 EUR
88+ 0.2 EUR
142+ 0.12 EUR
500+ 0.091 EUR
1000+ 0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 56
2N7002ET1GON-SemicoductorN-MOSFET 60V 260mA 2N7002ET1G T2N7002et1g
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 28216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2213+0.069 EUR
2238+ 0.066 EUR
2578+ 0.055 EUR
3413+ 0.04 EUR
6000+ 0.033 EUR
15000+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 2213
2N7002ET1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002ET1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
auf Bestellung 375000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.066 EUR
6000+ 0.059 EUR
9000+ 0.055 EUR
15000+ 0.051 EUR
21000+ 0.049 EUR
30000+ 0.047 EUR
75000+ 0.042 EUR
150000+ 0.038 EUR
300000+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002ET1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5599 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
491+ 0.15 EUR
719+ 0.1 EUR
847+ 0.085 EUR
1755+ 0.041 EUR
1859+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 313
2N7002ET1GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N7002ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 310 mA, 0.86 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 310mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 420mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 88645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7002ET1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002ET1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.22A; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 5599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.23 EUR
491+ 0.15 EUR
719+ 0.1 EUR
847+ 0.085 EUR
1755+ 0.041 EUR
1859+ 0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 313
2N7002ET3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002ET3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.7 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002ET7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002ET7GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
auf Bestellung 25404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.3 EUR
97+ 0.18 EUR
157+ 0.11 EUR
500+ 0.082 EUR
1000+ 0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 59
2N7002ET7GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.13 EUR
705+ 0.1 EUR
1055+ 0.068 EUR
1260+ 0.057 EUR
1563+ 0.046 EUR
1799+ 0.04 EUR
1970+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 556
2N7002ET7GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 240mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.81 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3500+0.058 EUR
7000+ 0.052 EUR
10500+ 0.049 EUR
17500+ 0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3500
2N7002ET7GONSТранз. Пол. ММ N-FET ПТ SOT23 Vds=60V, Id=0.18A, Rds=5Ohm, Vgs=3V, P=0.25W, smd.
auf Bestellung 3633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+0.58 EUR
10+ 0.51 EUR
100+ 0.44 EUR
2N7002ET7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002ET7GonsemiMOSFETs N-Channel Small Signal MOSFET 60V, 310mA, 2.5 ohm
auf Bestellung 456258 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.34 EUR
13+ 0.23 EUR
100+ 0.095 EUR
1000+ 0.063 EUR
3500+ 0.042 EUR
7000+ 0.035 EUR
24500+ 0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 9
2N7002ET7GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.2A; 0.42W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
556+0.13 EUR
705+ 0.1 EUR
1055+ 0.068 EUR
1260+ 0.057 EUR
1563+ 0.046 EUR
1799+ 0.04 EUR
1970+ 0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 556
2N7002EWAnBonTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 340mA; 200mW; -55°C~150°C; 2N7002EW T2N7002EW ANB
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
2N7002EYANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
auf Bestellung 5384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.23 EUR
112+ 0.16 EUR
206+ 0.086 EUR
500+ 0.067 EUR
1000+ 0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 77
2N7002EYAnbon Semiconductor2N7002EY
auf Bestellung 258000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10990+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 10990
2N7002EYANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.039 EUR
6000+ 0.037 EUR
9000+ 0.031 EUR
30000+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
2N7002FPHILIPS0551+
auf Bestellung 2147 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002FNXP08+ROHS SOT-23
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002F,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.475A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002F,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 475MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 475mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002F,215NexperiaMOSFETs N-CH TRNCH 60V .475A
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002F,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 475MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 475mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002HNexperiaMOSFET 2N7002H/SOT23/TO-236AB
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002HDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002HSOT23/SOT323
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N7002H-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002H-13Diodes IncorporatedMOSFET 60V N-Ch Enh FET 7.5Ohm 5Vgs 210mA
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002H-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002H-13Diodes IncN-Channel Enhancement Mode Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1269000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
423+0.36 EUR
669+ 0.22 EUR
676+ 0.21 EUR
1486+ 0.092 EUR
1546+ 0.085 EUR
1563+ 0.08 EUR
2605+ 0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 423
2N7002H-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 11700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.2 EUR
511+ 0.14 EUR
622+ 0.12 EUR
981+ 0.073 EUR
1774+ 0.04 EUR
1877+ 0.038 EUR
3000+ 0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 358
2N7002H-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1263000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
2N7002H-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V
auf Bestellung 1102552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.42 EUR
62+ 0.29 EUR
127+ 0.14 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 42