2N7000 NXP
Produktcode: 20638
Hersteller: NXPGehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar 1940 Stück:
50 Stück - stock Köln
1890 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.25 EUR |
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Möglichen Substitutionen 2N7000 NXP
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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2N7000 Produktcode: 200238 |
Hersteller : CJ |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/ JHGF: THT |
auf Bestellung 983 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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2N7000 Produktcode: 200238 |
Hersteller : CJ |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/ JHGF: THT |
auf Bestellung 983 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 25900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 2415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 2415 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
auf Bestellung 124000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 25850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 25850 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 653 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N |
auf Bestellung 12640 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
auf Bestellung 131044 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 9747 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 9752 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 200mA, 5 ohm |
auf Bestellung 42211 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
auf Bestellung 45017 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 653 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
auf Bestellung 9752 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 1720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 1720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : LGE |
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 6870 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : LGE |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : DIOTEC |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 2N7000-DIO 2N7000 DIOTEC T2N7000 DIOTEC Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : LGE |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Fairchild Semiconductor | Транз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92 |
auf Bestellung 306 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7000 |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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2N7000 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N7000 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N7000 | EDU-2N7000 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N7000 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V |
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2N7000 | Hersteller : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
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2N7000 | Hersteller : STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 60 Volt 0.35 A |
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2N7000 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 0.2A 0.4W |
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2N7000 | Hersteller : Diodes Incorporated | MOSFET |
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2N7000 | Hersteller : Microchip Technology | MOSFET 60V 5Ohm |
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2N7000 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
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2N7000 | Hersteller : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N7000 | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N7000 Produktcode: 182880 |
Hersteller : ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,32 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4 JHGF: THT |
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47uF 50V ECR 6,3x11mm (ECR470M50B-Hitano) Produktcode: 3509 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 47uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 8122 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.02 EUR |
1000+ | 0.018 EUR |
1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano) Produktcode: 11106 |
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 57269 Stück
erwartet:
40000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.01 EUR |
100+ | 0.0056 EUR |
GNL-5013IRAB G-Nor (IR (infrarot)-LED) Produktcode: 23045 |
Hersteller: G-Nor
LEDs > LED Infrarot (IR)
Beschreibung: IR (infrarot)-LED 940nm, 30°, 7mW, 1.5V, 30mA, 5mm
Größe: 5mm
Spannungsfall, V: 1,5 V
Winckel: 30°
THT
940 нм
LEDs > LED Infrarot (IR)
Beschreibung: IR (infrarot)-LED 940nm, 30°, 7mW, 1.5V, 30mA, 5mm
Größe: 5mm
Spannungsfall, V: 1,5 V
Winckel: 30°
THT
940 нм
auf Bestellung 2188 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.1 EUR |
10+ | 0.08 EUR |
100+ | 0.056 EUR |
1000+ | 0.048 EUR |
1N4148 Produktcode: 176824 |
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
auf Bestellung 13906 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)10uF 25V ECR 5x11mm (ECR100M25B-Hitano) Produktcode: 1245 |
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 25V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 2382 Stück
erwartet:
10000 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.012 EUR |
1000+ | 0.011 EUR |