Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > 2N7000 CJ
2N7000

2N7000 CJ

2N7000-datasheetjcet.pdf
Produktcode: 200238
Hersteller: CJ
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
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Möglichen Substitutionen 2N7000 CJ

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N7000 2N7000
Produktcode: 20638 		Hersteller : NXP 2N7000-D.PDF Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
verfügbar: 1867 Stück
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2N7000 2N7000
Produktcode: 20638 		Hersteller : NXP 2N7000-D.PDF Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60
Idd,A: 01.03.2000
Rds(on), Ohm: 5
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
JHGF: THT
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Electronics 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Electronics 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N7000 2N7000 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC 2N7000-LGE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
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865+0.083 EUR
1300+ 0.055 EUR
1450+ 0.049 EUR
1600+ 0.045 EUR
1635+ 0.044 EUR
1690+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 865
2N7000 2N7000 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC 2N7000-LGE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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4000+0.088 EUR
8000+ 0.081 EUR
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28000+ 0.066 EUR
100000+ 0.053 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
2N7000 2N7000 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n7000.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 24350 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
670+0.11 EUR
1130+ 0.064 EUR
1610+ 0.044 EUR
1710+ 0.042 EUR
4000+ 0.041 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n7000.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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910+0.17 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
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373+0.41 EUR
557+ 0.26 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
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6+0.48 EUR
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100+ 0.18 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.088 EUR
4000+ 0.084 EUR
8000+ 0.067 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
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34+0.53 EUR
50+ 0.36 EUR
102+ 0.17 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.1 EUR
2000+ 0.088 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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289+0.53 EUR
577+ 0.26 EUR
1000+ 0.16 EUR
2500+ 0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 289
2N7000 2N7000 Hersteller : ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 9465 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
129+0.56 EUR
155+ 0.46 EUR
234+ 0.31 EUR
400+ 0.18 EUR
424+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 129
2N7000 2N7000 Hersteller : ONSEMI 2N7000_2N7002_NDS7002A.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
129+0.56 EUR
155+ 0.46 EUR
234+ 0.31 EUR
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10000+ 0.16 EUR
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
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Anzahl Preis ohne MwSt
221+0.69 EUR
288+ 0.51 EUR
574+ 0.25 EUR
1000+ 0.15 EUR
2500+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 221
2N7000 2N7000 Hersteller : onsemi / Fairchild ONSM_S_A0018755274_1-3326336.pdf MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 200mA, 5 ohm
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4+0.8 EUR
10+ 0.62 EUR
100+ 0.34 EUR
1000+ 0.22 EUR
2500+ 0.21 EUR
10000+ 0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4
2N7000 2N7000 Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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Anzahl Preis ohne MwSt
22+0.81 EUR
29+ 0.62 EUR
100+ 0.37 EUR
500+ 0.34 EUR
1000+ 0.23 EUR
2000+ 0.22 EUR
5000+ 0.21 EUR
10000+ 0.19 EUR
50000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 22
2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 8452 Stücke:
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 653 Stücke:
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2N7000 2N7000 Hersteller : ON Semiconductor nds7002a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 6878 Stücke:
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2N7000 2N7000 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013669918-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 1720 Stücke:
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Electronics 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 1720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N7000 Hersteller : LGE ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 6870 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
300+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 300
2N7000 Hersteller : DIOTEC ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 2N7000-DIO 2N7000 DIOTEC T2N7000 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1100 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300
2N7000 Hersteller : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Транз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
auf Bestellung 306 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.44 EUR
10+ 0.36 EUR
100+ 0.33 EUR
2N7000 Hersteller : NTE Electronics, Inc. ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf N-Ch, Enhancement Mode Field Effect Transistor
auf Bestellung 4300 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
155+0.99 EUR
500+ 0.77 EUR
1000+ 0.73 EUR
2500+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 155
2N7000 Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+1.29 EUR
10+ 1.11 EUR
100+ 0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5
2N7000 Hersteller : DIOTEC ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 2N7000-DIO 2N7000 DIOTEC T2N7000 DIOTEC
auf Bestellung 4000 Stücke:
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2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
2N7000 2N7000 Hersteller : Diodes Incorporated ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf MOSFETs
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2N7000 2N7000 Hersteller : Microchip Technology supertex_2n7000-1181251.pdf MOSFETs 60V 5Ohm
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000 2N7000 Hersteller : Vishay / Siliconix ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf MOSFETs 60V 0.2A 0.4W
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000 2N7000 Hersteller : STMicroelectronics CD00005134-491325.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 0.35 A
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000 2N7000 Hersteller : STMicroelectronics 2N7000%2C%202N7002.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000 ONSM-S-A0003544006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2n7000.pdf 2N7000%2C%202N7002.pdf EDU-2N7000 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000 2N7000 Hersteller : STMicroelectronics 128cd00005134.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag
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2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000 2N7000 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n7000.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
2N7000 2N7000
Produktcode: 182880 		Hersteller : ST datasheet_2N7000.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,32 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
JHGF: THT
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TL431ACLP
Produktcode: 26293		 description tl431.pdf?ts=1708404301053&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FTL431%253FkeyMatch%253D%2526tisearch%253Dsearch-everything%2526usecase%253Dpartmatches
TL431ACLP
Hersteller: TI
IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
Gehäuse: TO-226AA
Kurzbeschreibung: Adjustable precision shunt regulators
Spannung: 36V
Temp.Bereich: -40…+85°C
Монтаж: THT
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
auf Bestellung 1860 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.25 EUR
10+ 0.14 EUR
100+ 0.1 EUR
1 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-1KR-Hitano)
Produktcode: 150096		 mfr_series-hitano-datasheet.pdf
1 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-1KR-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
auf Bestellung 18572 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1N4007
Produktcode: 176822		 1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 64401 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 500 Stück:
1N5408
Produktcode: 2135		 1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
verfügbar: 8173 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.069 EUR
10+ 0.049 EUR
100+ 0.044 EUR
1000+ 0.042 EUR
MER 1uF 100V K(+/-10%), P=15mm, 9,5x16,5x18mm (MER105K2AB-Hitano)
Produktcode: 23344		 MER_070523.pdf
MER 1uF 100V K(+/-10%), P=15mm, 9,5x16,5x18mm (MER105K2AB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 1uF
Nennspannung, V: 100VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=15mm, 9,5x16,5x18mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER105K2AB
ZCODE: 8532 29 00 00
verfügbar: 249 Stück
erwartet: 1000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.24 EUR
10+ 0.19 EUR
100+ 0.13 EUR
1000+ 0.12 EUR