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Technische Details 2N7002H-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - 2N7002H-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2N7002H-7 nach Preis ab 0.037 EUR bis 0.44 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2N7002H-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002H-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002H-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002H-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002H-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 20 Stücke |
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2N7002H-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.37W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.37W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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2N7002H-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V |
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2N7002H-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002H-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002H-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V |
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2N7002H-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 7.5Ohm 5Vgs 210mA |
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2N7002H-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - 2N7002H-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 170 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002H-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R |
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2N7002H-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
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