Suchergebnisse für "tc7wh125fk(te85l,f" : 50
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1SS272(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 1SS272(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 2 A, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-24 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 24600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SS272(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 1SS272(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 2 A, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-24 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 24600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SS306(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 1SS306(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 250 V, 100 mA, 1.2 V, 2 A, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-24 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 20040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SS306(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 1SS306(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 250 V, 100 mA, 1.2 V, 2 A, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-24 Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 60ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 20040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SS319(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 1SS319(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 45 V, 100 mA, 600 mV, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-61 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 48745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SS319(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 1SS319(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 45 V, 100 mA, 600 mV, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-61 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 600mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 48745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SS362(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 1SS362(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 85 V, 80 mA, 1.2 V, 1 A, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-416 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 25695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SS362(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 1SS362(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 85 V, 80 mA, 1.2 V, 1 A, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-416 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 25695 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SS398(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 1SS398(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 420 V, 100 mA, 1.3 V, 2 A, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-236MOD Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 420V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 6460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SS398(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 1SS398(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 420 V, 100 mA, 1.3 V, 2 A, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-236MOD Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 420V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 6460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SS402(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 1SS402(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 25 V, 50 mA, 550 mV, 1 A, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-343 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 550mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 25V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 6880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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1SS402(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 1SS402(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 25 V, 50 mA, 550 mV, 1 A, 125 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-343 Durchlassstoßstrom: 1A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 550mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 25V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 6880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC2712-O(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC2712-O(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC2712-O(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC2712-O(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2494 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC4213-B(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC4213-B(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 100 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 300mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 5670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC4213-B(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC4213-B(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 100 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 300mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 5670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK2009(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK2009(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2ohm Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK208-GR(TE85L,F) | TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °CtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA usEccn: EAR99 Durchbruchspannung Vbr: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236MOD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 17265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK208-GR(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 17265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK208-O(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK208-O(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 8805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK208-O(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK208-O(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA Durchbruchspannung Vbr: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236MOD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 8805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK208-R(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK208-R(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA Durchbruchspannung Vbr: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236MOD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 4985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK208-R(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK208-R(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 4985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK209-BL(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK209-BL(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 4855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK209-BL(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK209-BL(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 Durchbruchspannung Vbr: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 4855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK209-GR(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 5865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK209-GR(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA Durchbruchspannung Vbr: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 5865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK209-Y(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK209-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK209-Y(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK209-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 Durchbruchspannung Vbr: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK2145-BL(TE85L,F | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK2145-BL(TE85L,F - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-25, 5 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 Durchbruchspannung Vbr: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-25 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 5164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK2145-BL(TE85L,F | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK2145-BL(TE85L,F - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-25, 5 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-25 Anzahl der Pins: 5 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 5164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK880-GR(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK880-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK880-GR(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK880-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA Durchbruchspannung Vbr: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DF3A5.6FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - DF3A5.6FU(TE85L,F) - ESD-Schutzbaustein, SOT-323, 3 Pin(s), 100 mW tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: SOT-323 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: - Betriebsspannung: - rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 100mW usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 14145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DF3A5.6FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - DF3A5.6FU(TE85L,F) - ESD-Schutzbaustein, SOT-323, 3 Pin(s), 100 mW tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: SOT-323 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: - Betriebsspannung: - rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 100mW usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 14145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DF5A5.6FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - DF5A5.6FU(TE85L,F) - ESD-Schutzbaustein, SOT-353, 5 Pin(s), 200 mW tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 5Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: SOT-353 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: - Betriebsspannung: - rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 200mW usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 42575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DF5A5.6FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - DF5A5.6FU(TE85L,F) - ESD-Schutzbaustein, SOT-353, 5 Pin(s), 200 mW tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 5Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: SOT-353 hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: - Betriebsspannung: - rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 200mW usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 42575 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DF5A6.8FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - DF5A6.8FU(TE85L,F) - ESD-Schutzbaustein, USV, 5 Pin(s), 200 mW tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 5Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: USV hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: - Betriebsspannung: - rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 200mW usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DF5A6.8FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - DF5A6.8FU(TE85L,F) - ESD-Schutzbaustein, USV, 5 Pin(s), 200 mW tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 5Pin(s) euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Diode: USV hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: - Betriebsspannung: - rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 200mW usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HN4B102J(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.1W usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-25 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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HN4B102J(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.1W usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-25 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1498 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT3S111(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 12005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MT3S111(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 11.5GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 12005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3K16FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K16FU(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 12380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3K16FU(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K16FU(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 12380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TC7WH125FK(TE85L,F | Toshiba |
Buffer/Line Driver 2-CH Non-Inverting 3-ST CMOS Automotive 8-Pin US T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TC7WH125FK | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V US8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width) Output Type: 3-State Mounting Type: Surface Mount Number of Elements: 2 Logic Type: Buffer, Non-Inverting Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V Number of Bits per Element: 1 Current - Output High, Low: 8mA, 8mA Supplier Device Package: 8-SSOP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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TC7WH125FK | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V US8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width) Output Type: 3-State Mounting Type: Surface Mount Number of Elements: 2 Logic Type: Buffer, Non-Inverting Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V Number of Bits per Element: 1 Current - Output High, Low: 8mA, 8mA Supplier Device Package: 8-SSOP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| TC7WH125FKTE85LF | Toshiba |
Buffers & Line Drivers x34 3-STATE BUFFER |
Produkt ist nicht verfügbar |
| 1SS272(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 1SS272(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 2 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-24
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 1SS272(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 2 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-24
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 24600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 1SS272(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 1SS272(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 2 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-24
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 1SS272(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 85 V, 100 mA, 1.2 V, 2 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-24
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 85V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 24600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 1SS306(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 1SS306(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 250 V, 100 mA, 1.2 V, 2 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-24
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 60ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 1SS306(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 250 V, 100 mA, 1.2 V, 2 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-24
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 60ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 20040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 1SS306(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 1SS306(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 250 V, 100 mA, 1.2 V, 2 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-24
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 60ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 1SS306(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 250 V, 100 mA, 1.2 V, 2 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-24
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 60ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 250V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 20040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 1SS319(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 1SS319(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 45 V, 100 mA, 600 mV, 125 °C
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Description: TOSHIBA - 1SS319(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 45 V, 100 mA, 600 mV, 125 °C
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auf Bestellung 48745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 1SS319(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
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SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 1SS319(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 45 V, 100 mA, 600 mV, 125 °C
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auf Bestellung 48745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 1SS362(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 1SS362(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 85 V, 80 mA, 1.2 V, 1 A, 125 °C
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SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 1SS362(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 85 V, 80 mA, 1.2 V, 1 A, 125 °C
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auf Bestellung 25695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 1SS362(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 1SS362(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 85 V, 80 mA, 1.2 V, 1 A, 125 °C
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SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 1SS362(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 85 V, 80 mA, 1.2 V, 1 A, 125 °C
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auf Bestellung 25695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 1SS398(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 1SS398(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 420 V, 100 mA, 1.3 V, 2 A, 125 °C
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SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 1SS398(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 420 V, 100 mA, 1.3 V, 2 A, 125 °C
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SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 1SS398(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 1SS398(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 420 V, 100 mA, 1.3 V, 2 A, 125 °C
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Bauform - Diode: TO-236MOD
Durchlassstoßstrom: 2A
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 1SS398(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 420 V, 100 mA, 1.3 V, 2 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-236MOD
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Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 1SS402(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 1SS402(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 25 V, 50 mA, 550 mV, 1 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-343
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 1SS402(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 25 V, 50 mA, 550 mV, 1 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-343
Durchlassstoßstrom: 1A
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Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
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Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: -
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50mA
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Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 25V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 1SS402(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 1SS402(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 25 V, 50 mA, 550 mV, 1 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-343
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50mA
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Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 25V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 1SS402(TE85L,F) - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, isoliert, 25 V, 50 mA, 550 mV, 1 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-343
Durchlassstoßstrom: 1A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 25V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SC2712-O(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC2712-O(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SC2712-O(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SC2712-O(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC2712-O(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SC2712-O(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SC4213-B(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC4213-B(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 100 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SC4213-B(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 100 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SC4213-B(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC4213-B(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 100 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SC4213-B(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 100 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SK2009(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SK2009(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SK2009(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 1108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SK208-GR(TE85L,F) |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
usEccn: EAR99
Durchbruchspannung Vbr: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
usEccn: EAR99
Durchbruchspannung Vbr: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 17265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SK208-GR(TE85L,F) |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SK208-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
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Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 17265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SK208-O(TE85L,F) |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK208-O(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SK208-O(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SK208-O(TE85L,F) |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK208-O(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SK208-O(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 8805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SK208-R(TE85L,F) |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK208-R(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
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Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
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Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SK208-R(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
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Bauform - Transistor: TO-236MOD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SK208-R(TE85L,F) |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK208-R(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SK208-R(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
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Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SK209-BL(TE85L,F) |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK209-BL(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SK209-BL(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SK209-BL(TE85L,F) |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK209-BL(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
Durchbruchspannung Vbr: 50V
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Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SK209-BL(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
Durchbruchspannung Vbr: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SK209-GR(TE85L,F) |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SK209-GR(TE85L,F) |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SK209-Y(TE85L,F) |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK209-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SK209-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SK209-Y(TE85L,F) |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK209-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
Durchbruchspannung Vbr: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SK209-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
Durchbruchspannung Vbr: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SK2145-BL(TE85L,F |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK2145-BL(TE85L,F - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-25, 5 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
Durchbruchspannung Vbr: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SK2145-BL(TE85L,F - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-25, 5 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
Durchbruchspannung Vbr: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SK2145-BL(TE85L,F |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK2145-BL(TE85L,F - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-25, 5 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SK2145-BL(TE85L,F - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-25, 5 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 5164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SK880-GR(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK880-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SK880-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| 2SK880-GR(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK880-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - 2SK880-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DF3A5.6FU(TE85L,F) |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF3A5.6FU(TE85L,F) - ESD-Schutzbaustein, SOT-323, 3 Pin(s), 100 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOT-323
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 100mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - DF3A5.6FU(TE85L,F) - ESD-Schutzbaustein, SOT-323, 3 Pin(s), 100 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOT-323
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 100mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 14145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DF3A5.6FU(TE85L,F) |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF3A5.6FU(TE85L,F) - ESD-Schutzbaustein, SOT-323, 3 Pin(s), 100 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOT-323
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 100mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - DF3A5.6FU(TE85L,F) - ESD-Schutzbaustein, SOT-323, 3 Pin(s), 100 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOT-323
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 100mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 14145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DF5A5.6FU(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF5A5.6FU(TE85L,F) - ESD-Schutzbaustein, SOT-353, 5 Pin(s), 200 mW
tariffCode: 85411000
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rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOT-353
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 200mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - DF5A5.6FU(TE85L,F) - ESD-Schutzbaustein, SOT-353, 5 Pin(s), 200 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOT-353
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Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 200mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 42575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DF5A5.6FU(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF5A5.6FU(TE85L,F) - ESD-Schutzbaustein, SOT-353, 5 Pin(s), 200 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOT-353
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 200mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - DF5A5.6FU(TE85L,F) - ESD-Schutzbaustein, SOT-353, 5 Pin(s), 200 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOT-353
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 200mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 42575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DF5A6.8FU(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF5A6.8FU(TE85L,F) - ESD-Schutzbaustein, USV, 5 Pin(s), 200 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: USV
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 200mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - DF5A6.8FU(TE85L,F) - ESD-Schutzbaustein, USV, 5 Pin(s), 200 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: USV
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 200mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| DF5A6.8FU(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - DF5A6.8FU(TE85L,F) - ESD-Schutzbaustein, USV, 5 Pin(s), 200 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: USV
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 200mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - DF5A6.8FU(TE85L,F) - ESD-Schutzbaustein, USV, 5 Pin(s), 200 mW
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: USV
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 200mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 3660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| HN4B102J(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1.1W
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1.1W
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| HN4B102J(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1.1W
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1.1W
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MT3S111(TE85L,F) |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 12005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| MT3S111(TE85L,F) |
|
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - MT3S111(TE85L,F) - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 6 V, 100 mA, 700 mW, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 12005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| SSM3K16FU(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K16FU(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: TOSHIBA - SSM3K16FU(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 12380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| SSM3K16FU(TE85L,F) |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K16FU(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: TOSHIBA - SSM3K16FU(TE85L,F) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 12380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| TC7WH125FK(TE85L,F |
|
Hersteller: Toshiba
Buffer/Line Driver 2-CH Non-Inverting 3-ST CMOS Automotive 8-Pin US T/R
Buffer/Line Driver 2-CH Non-Inverting 3-ST CMOS Automotive 8-Pin US T/R
Produkt ist nicht verfügbar
| TC7WH125FK |
|
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V US8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
| TC7WH125FK |
|
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V US8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 8-SSOP
Produkt ist nicht verfügbar
| TC7WH125FKTE85LF |
|
Hersteller: Toshiba
Buffers & Line Drivers x34 3-STATE BUFFER
Buffers & Line Drivers x34 3-STATE BUFFER
Produkt ist nicht verfügbar