2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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Technische Details 2SK209-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SK209-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA, usEccn: EAR99, Durchbruchspannung Vbr: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-236, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote 2SK209-Y(TE85L,F) nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2SK209-Y(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK209-Y(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 14 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 150 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V |
auf Bestellung 23880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK209-Y(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS |
auf Bestellung 5682 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK209-Y(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK209-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK209-Y(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK209-Y(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 Durchbruchspannung Vbr: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK209-Y(TE85L,F) Produktcode: 168494 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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2SK209-Y(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |