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2SK208-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
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Description: JFET N-CH 50V 6.5MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.2 EUR |
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Technische Details 2SK208-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SK208-O(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA, Durchbruchspannung Vbr: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: MOSFET, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote 2SK208-O(TE85L,F) nach Preis ab 0.15 EUR bis 2.94 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2SK208-O(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
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2SK208-O(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1.4mA; 0.1W; SC59; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 1.4mA Power dissipation: 0.1W Case: SC59 Gate-source voltage: -50V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 11281 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2SK208-O(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 1.4mA; 0.1W; SC59; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 1.4mA Power dissipation: 0.1W Case: SC59 Gate-source voltage: -50V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA |
auf Bestellung 11281 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK208-O(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
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auf Bestellung 2280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK208-O(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
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auf Bestellung 45096 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK208-O(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 6.5 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600 µA @ 10 V |
auf Bestellung 12458 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK208-O(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 8805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK208-O(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 300µA Durchbruchspannung Vbr: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236MOD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 8805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK208-O(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
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auf Bestellung 54 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SK208-O(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
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