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MMBT4403LT1G

MMBT4403LT1G Fairchild

MMBT4403LT1G.pdf
Produktcode: 30182
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 40
U, V: 45
I, А: 0.8
h21,max: 300
verfügbar 2635 Stück:
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MMBT4403 (2T) MMBT4403 (2T)
Produktcode: 160585 		Hersteller : Yangjie mmbt4403-sot23-datasheet.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 200 MHz
U, V: 40 V
U, V: 40 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 300
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MMBT4403LT1G MMBT4403LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt4403lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT4403LT1G MMBT4403LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt4403lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT4403LT1G MMBT4403LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt4403lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT4403LT1G MMBT4403LT1G Hersteller : onsemi mmbt4403lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
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3000+0.036 EUR
6000+ 0.034 EUR
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30000+ 0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMBT4403LT1G MMBT4403LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt4403lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3585+0.044 EUR
4000+ 0.038 EUR
4150+ 0.035 EUR
6000+ 0.032 EUR
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MMBT4403LT1G MMBT4403LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt4403.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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MMBT4403LT1G MMBT4403LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt4403.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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MMBT4403LT1G MMBT4403LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt4403lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1084+0.14 EUR
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2238+ 0.065 EUR
3268+ 0.043 EUR
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4150+ 0.03 EUR
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MMBT4403LT1G MMBT4403LT1G Hersteller : onsemi MMBT4403LT1_D-2315946.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 40V PNP
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16+0.18 EUR
22+ 0.13 EUR
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3000+ 0.032 EUR
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MMBT4403LT1G MMBT4403LT1G Hersteller : onsemi mmbt4403lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
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84+0.21 EUR
118+ 0.15 EUR
220+ 0.08 EUR
500+ 0.063 EUR
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MMBT4403LT1G MMBT4403LT1G Hersteller : ONSEMI 1571918.pdf Description: ONSEMI - MMBT4403LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9394 Stücke:
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MMBT4403LT1G MMBT4403LT1G Hersteller : ONSEMI 1571918.pdf Description: ONSEMI - MMBT4403LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT4403LT1G MMBT4403LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt4403lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT4403LT1G MMBT4403LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt4403lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT4403LT1G MMBT4403LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt4403lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT4403LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt4403lt1-d.pdf PNP 600mA 40V 300mW 200MHz 100Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.06 EUR
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MMBT4401 (2X)
Produktcode: 160584		 mmbt4401-sot23.pdf
MMBT4401 (2X)
Hersteller: Yangjie
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 250 MHz
Uceo,V: 40 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 300
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1575 Stück:
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IRF7309PBF
Produktcode: 36562		 description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
verfügbar: 466 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.57 EUR
10+ 0.42 EUR
2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31024		 2N5551.pdf
2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 36 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.06 EUR
10+ 0.045 EUR
2SC5200-O(S1,F,S)
Produktcode: 113408		 2sc5200_datasheet_en.pdf
2SC5200-O(S1,F,S)
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-3P
fT: 30 MHz
Uceo,V: 230 V
Ucbo,V: 230 V
Ic,A: 15 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 50 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N5401
Produktcode: 177484		 2n5400.pdf
2N5401
Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
auf Bestellung 1517 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)