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2N5551 (Bipolartransistor NPN)

2N5551 (Bipolartransistor NPN) Fairchild

2N5551.pdf
Produktcode: 31024
Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar 36 Stück:
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N5551 2N5551
Produktcode: 193606 		Hersteller : Hottech 2N5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
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2N5551 2N5551
Produktcode: 193606 		Hersteller : Hottech 2N5551.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
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2N5551
+1
 		2N5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5550 Rev4.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1425+0.051 EUR
2050+ 0.035 EUR
2600+ 0.028 EUR
3275+ 0.022 EUR
3475+ 0.021 EUR
12000+ 0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1425
2N5551
+1
 		2N5551 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5550 Rev4.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Electronics 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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3247+0.048 EUR
4167+ 0.036 EUR
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5550 Rev4.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
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16+ 0.18 EUR
100+ 0.15 EUR
500+ 0.12 EUR
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2N5551 2N5551 Hersteller : Lumimax Optoelectronic Technology 2N5551.pdf Description: TRANS NPN EBC 0.6A 160V TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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39+0.45 EUR
50+ 0.39 EUR
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200+ 0.28 EUR
500+ 0.24 EUR
1000+ 0.2 EUR
2000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 39
2N5551 2N5551 Hersteller : MULTICOMP PRO 2861202.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 217 Stücke:
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N5551 Hersteller : SLKOR 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5550 Rev4.pdf Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Mindestbestellmenge: 1000
2N5551 Hersteller : HOTTECH 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5550 Rev4.pdf NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Mindestbestellmenge: 1000
2N5551 Hersteller : MIC 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5550 Rev4.pdf NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
1000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2N5551 Hersteller : JSMicro Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5550 Rev4.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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1000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5550 Rev4.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 180; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 100; hFE = 80/125 @ 10 мА; Icutoff-max = 50 нА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3
auf Bestellung 97 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
59+0.11 EUR
64+ 0.096 EUR
100+ 0.085 EUR
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2N5551 Hersteller : Diotec 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5550 Rev4.pdf Транз. Бипол. ММ NPN TO92 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=300MHz; Pdmax=0,63W; hfemin=80
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1+0.19 EUR
10+ 0.17 EUR
100+ 0.16 EUR
2N5551 Hersteller : JOTRIN ELECTRONICS 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5550 Rev4.pdf Транз. Бипол. ММ NPN TO92 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=300MHz; Pdmax=0,63W; hfemin=80
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2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Description: BJT TO92 160V 600MA NPN 0.625W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 1930 Stücke:
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63+0.28 EUR
72+ 0.24 EUR
76+ 0.23 EUR
132+ 0.13 EUR
250+ 0.099 EUR
500+ 0.082 EUR
1000+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 63
2N5551 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC 2N5551.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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2N5551 Hersteller : Rectron Rectron_11_30_2020_2N5551-1951896.pdf Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN 0.6A 160V HighVol
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2N5551 2N5551
Produktcode: 175303 		Hersteller : Fair 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5550 Rev4.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
Produkt ist nicht verfügbar
2N5551 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC 2N5551.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
Produkt ist nicht verfügbar
2N5551 2N5551 Hersteller : CDIL 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5550 Rev4.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
2N5551 Hersteller : ROHM Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5550 Rev4.pdf Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
2N5551 Hersteller : Diodes Incorporated 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5550 Rev4.pdf Bipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
2N5551 2N5551 Hersteller : NXP Semiconductors 2N5550_5551_4-60942.pdf Bipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK STR LEAD
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N5551 2N5551 Hersteller : onsemi 2N5551_D-1801438.pdf Bipolar Transistors - BJT
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2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
2N5551 2N5551 Hersteller : onsemi 2N5550 Rev4.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5551 2N5551 Hersteller : Diodes Incorporated 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5550 Rev4.pdf Description: BJT TO92 160V NPN 0.625W 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5551 2N5551 Hersteller : CDIL 2n5551.pdf 2N5551.pdf 2N5550 Rev4.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Description: BJT TO92 160V 600MA NPN 0.625W
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
2N5551 2N5551 Hersteller : Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N5401
Produktcode: 177484		 2n5400.pdf
2N5401
Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
auf Bestellung 1517 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BD139 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4745		 cd00001225.pdf
BD139 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
verfügbar: 8 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.1 EUR
BD140
Produktcode: 15292		 BD136,138,140.pdf
BD140
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 1341 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.14 EUR
10+ 0.12 EUR
10 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-10KR – Hitano)
Produktcode: 169934		 mfr_series-hitano-datasheet.pdf
10 kOhm 1% 0,25W выв. (MFR025FTB-10KR – Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 kOhm
Präzision: ±1%
P Nenn.,W: 0,25 W
U Betriebs.,V: 250 V
Typ: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Abmessungen: метало-плівкові
auf Bestellung 6515 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20000 Stück:
20000 Stück - erwartet
1N4007
Produktcode: 176822		 1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 21086 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50000 Stück:
50000 Stück - erwartet 20.07.2024