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2N5551 Hottech

Name: 2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Brand: Fairchild
SKU: 31024
Price: 0.045 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 193606

Hersteller: Hottech
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT

auf Bestellung 1267 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31024

Hersteller : Fairchild

Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
ZCODE: THT

verfügbar: 36 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.06 EUR
10+	0.045 EUR

2N5551

Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 20500 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1425+	0.051 EUR
2050+	0.035 EUR
2600+	0.028 EUR
3275+	0.022 EUR
3475+	0.021 EUR
12000+	0.02 EUR

Mindestbestellmenge: 1425

2N5551

Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR

auf Bestellung 20500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1425+	0.051 EUR
2050+	0.035 EUR
2600+	0.028 EUR
3275+	0.022 EUR
3475+	0.021 EUR
12000+	0.02 EUR

Mindestbestellmenge: 1425

2N5551

Hersteller : Diotec Electronics

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

auf Bestellung 20500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
3803+	0.041 EUR
4695+	0.032 EUR

Mindestbestellmenge: 3803

2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN

auf Bestellung 12794 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
12+	0.25 EUR
16+	0.18 EUR
100+	0.15 EUR
500+	0.12 EUR
1000+	0.083 EUR
4000+	0.048 EUR
8000+	0.044 EUR

Mindestbestellmenge: 12

2N5551

Hersteller : Lumimax Optoelectronic Technology

Description: TRANS NPN EBC 0.6A 160V TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW

auf Bestellung 2960 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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39+	0.46 EUR
50+	0.39 EUR
100+	0.32 EUR
200+	0.28 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.21 EUR
2000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 39

2N5551

Hersteller : MULTICOMP PRO

Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 167 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2N5551

Hersteller : SLKOR

Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke

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Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1000+	0.046 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

2N5551

Hersteller : HOTTECH

NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke

auf Bestellung 759 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1000+	0.047 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

2N5551

Hersteller : MIC

NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1000+	0.047 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Description: BJT TO92 160V 600MA NPN 0.625W
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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4000+	0.048 EUR

Mindestbestellmenge: 4000

2N5551

Hersteller : JSMicro Semiconductor

Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1000+	0.056 EUR

Mindestbestellmenge: 1000

2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 180; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 100; hFE = 80/125 @ 10 мА; Icutoff-max = 50 нА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3

auf Bestellung 97 Stücke:

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Anzahl	Preis ohne MwSt
59+	0.11 EUR
64+	0.092 EUR
100+	0.081 EUR

Mindestbestellmenge: 59

2N5551

Hersteller : JOTRIN ELECTRONICS

Транз. Бипол. ММ NPN TO92 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=300MHz; Pdmax=0,63W; hfemin=80

auf Bestellung 120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.18 EUR

2N5551

Hersteller : Diotec

Транз. Бипол. ММ NPN TO92 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=300MHz; Pdmax=0,63W; hfemin=80

auf Bestellung 101 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.19 EUR
10+	0.17 EUR
100+	0.15 EUR

2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Description: BJT TO92 160V 600MA NPN 0.625W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW

auf Bestellung 1862 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
63+	0.28 EUR
71+	0.25 EUR
75+	0.24 EUR
131+	0.13 EUR
250+	0.1 EUR
500+	0.083 EUR
1000+	0.057 EUR

Mindestbestellmenge: 63

2N5551

Hersteller : onsemi

Bipolar Transistors - BJT

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2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

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2N5551

Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100MHz

Produkt ist nicht verfügbar

2N5551

Hersteller : CDIL

Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz

Produkt ist nicht verfügbar

2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

Produkt ist nicht verfügbar

2N5551

Hersteller : Diodes Incorporated

Bipolar Transistors - BJT

Produkt ist nicht verfügbar

2N5551

Hersteller : ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT

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2N5551

Hersteller : Diodes Incorporated

Description: BJT TO92 160V NPN 0.625W 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW

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2N5551

Hersteller : NXP Semiconductors

Bipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK STR LEAD

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2N5551

Hersteller : Rectron

Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN 0.6A 160V HighVol

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2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

Produkt ist nicht verfügbar

2N5551

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW

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2N5551

Hersteller : CDIL

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2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

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2N5551

Hersteller : Diotec Semiconductor

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo

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2N5551

Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC

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2N5551
Produktcode: 175303

Hersteller : Fair

Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT

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2N5401
Produktcode: 177484

Hersteller: Diotec
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400

auf Bestellung 1434 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1N4148
Produktcode: 176824

Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns

auf Bestellung 11309 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

BD140
Produktcode: 15292

Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250

verfügbar: 1283 Stück

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.14 EUR
10+	0.12 EUR

1N4007
Produktcode: 176822

Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V

auf Bestellung 66455 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

erwartet 500 Stück:

BD139
Produktcode: 191983

Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
ZCODE: THT

auf Bestellung 2726 Stück:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)